器件采用PowerPAK SO-8單體封裝,，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

　　賓夕法尼亞,、MALVERN -2020年8月17日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP ，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來(lái)提高功率密度,。

　　日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%,，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度,。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC,，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) （FOM） 為185 mW*nC,，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平,。

　　器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器,、電池和通用電源開關(guān),、反向極性電池保護(hù)、 OR-ing功能,，以及電信設(shè)備,、服務(wù)器、工業(yè)PC和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量,，換句話說(shuō)，加大單個(gè)器件電流,，從而提高功率密度,，節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間。此外,，作為p溝道MOSFET,，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓,。

　　這款MOSFET經(jīng)過RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),，無(wú)鹵素,。

　　SiRA99DP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周,，視市場(chǎng)情況而定,。

　　VISHAY簡(jiǎn)介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器,、電容器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算,、汽車,、消費(fèi)、通信,、國(guó)防,、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。