據(jù)報(bào)道,，海思半導(dǎo)體已與中芯國(guó)際簽訂了14納米訂單,。

    據(jù)《Digitimes》援引不愿透露姓名的業(yè)內(nèi)消息稱,，華為海思半導(dǎo)體已向中國(guó)最大的芯片制造商中芯國(guó)際發(fā)出了14nm訂單,。

    海思半導(dǎo)體的麒麟710智能手機(jī)處理器是基于臺(tái)積電的12nm FinFET節(jié)點(diǎn)所開發(fā),，2018年年中已經(jīng)淘汰,。有傳言說,，海思計(jì)劃發(fā)布麒麟710的簡(jiǎn)化版本麒麟710A,，麒麟710A有望利用14nm FinFET工藝,。

    臺(tái)積電一直是海思的核心供應(yīng)商,，最近的變化表明，中芯國(guó)際的14nm FinFET制造工藝已經(jīng)改進(jìn)到可以與臺(tái)積電的14nm工藝節(jié)點(diǎn)相抗衡,。此外,，美國(guó)可能會(huì)阻止臺(tái)積電與華為的合作，這可能也是海思決定從臺(tái)積電轉(zhuǎn)到中芯國(guó)際的另一個(gè)原因,。

    自2019年第四季度以來,，中芯國(guó)際的第一代14nm FinFET工藝已經(jīng)投入運(yùn)行，財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,，該節(jié)點(diǎn)占第四季度公司晶圓總收入的1％左右,，中芯國(guó)際也計(jì)劃今年逐步提高產(chǎn)量。

    盡管與臺(tái)積電相比,，中芯國(guó)際的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力稍弱,，但不應(yīng)低估中國(guó)芯片制造商。中芯國(guó)際希望完全跳過10nm節(jié)點(diǎn),，直接過渡到7nm節(jié)點(diǎn),。該公司預(yù)計(jì)到2020年底將進(jìn)行7nm工藝的試生產(chǎn)。而反觀臺(tái)積電,，目前其EUV工藝進(jìn)展順利,。據(jù)稱，海思在臺(tái)積電采用了EUV節(jié)點(diǎn)的工藝,。

    根據(jù)報(bào)道,，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在繼續(xù)努力以逐步擺脫美國(guó)技術(shù)的封鎖并實(shí)現(xiàn)自給自足。