繁華的城市離不開LED燈的裝飾,，相信大家都見過LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個(gè)地方,，也照亮著我們的生活,。1.正向電壓降低，暗光

    A：一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸,，但接觸電阻大,，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

    B：一種是電極與材料為非歐姆接觸,，主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印,，分布位置。

    另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,，主要原因有銀膠固化不充分,，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。 正向壓降低的芯片在固定電壓測試時(shí),，通過芯片的電流小,，從而表現(xiàn)暗點(diǎn)，還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低,，正向壓降正常,。

    2.難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落,，打穿電極)

    A：打不粘：主要因?yàn)殡姌O表面氧化或有膠

    B：有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,，其中以加厚層脫落為主。

    C：打穿電極：通常與芯片材料有關(guān),，材料脆且強(qiáng)度不高的材料易打穿電極,，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極.

    D：壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度,，超聲波功率,，超聲時(shí)間，壓力,，金球大小,，支架定位等進(jìn)行調(diào)整。

    3.發(fā)光顏色差異：

    A：同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因?yàn)橥庋悠牧蠁栴},，ALGAINP四元素材料采用量子結(jié)構(gòu)很薄,，生長是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度,，禁帶寬度決定波長),。

    B：GAP黃綠芯片，發(fā)光波長不會(huì)有很大偏差,，但是由于人眼對這個(gè)波段顏色敏感,，很容易查出偏黃,，偏綠。由于波長是外延片材料決定的,，區(qū)域越小,，出現(xiàn)顏色偏差概念越小，故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法,。

    C：GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃 色,，這是由于其發(fā)光機(jī)理為間接躍進(jìn)。受雜質(zhì)濃度影響,，電流密度加大時(shí),，易產(chǎn)生雜質(zhì)能級(jí)偏移和發(fā)光飽和，發(fā)光是開始變?yōu)槌赛S色,。

    4.閘流體效應(yīng)：

    A：是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導(dǎo)通,，當(dāng)電壓加高到一定程度，電流產(chǎn)生突變,。

    B：產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長時(shí)出現(xiàn)了反向夾層,，有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時(shí)測試的正向壓降有隱藏性，在使用過程是出于兩極電壓不夠大,，表現(xiàn)為不亮,，可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線，也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),，小電流下的正向壓降明顯偏大,，則可能是該問題所致。

    5.反向漏電：

    A：原因：外延材料,，芯片制作,，器件封裝，測試一般5V下反向漏電流為10UA,，也可以固定反向電流下測試反向電壓,。

    B：不同類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可達(dá)到一百多伏,，而普芯片則在十幾二十伏之間。

    C：外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致,，芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,，嚴(yán)禁用有機(jī)溶液調(diào)配銀膠。以防止銀膠通過毛細(xì)現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū),。做到在LED顯示屏產(chǎn)品上符合高可靠的要求,，生產(chǎn)廠家還需要發(fā)更多時(shí)間，更多精力去往這方面發(fā)展,，我相信,，未來的LED顯示屏行業(yè)技術(shù)將越來越精湛,，發(fā)展將無可限量.