GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT－MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM,。

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ),，其前景被廣泛看好，Intel,、IBM,、TDK、三星,、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究,，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,，但同時(shí)又是非易失性的,，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存,、閃存的優(yōu)點(diǎn),。

STT－MRAM則進(jìn)一步通過自旋電流實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入，具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、成本低,、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點(diǎn),，只是容量密度提升困難,，所以想取代內(nèi)存、閃存暫時(shí)不現(xiàn)實(shí),，但非常適合用在各種嵌入式領(lǐng)域,。

GF、Everspin的良好合作由來已久,，2012年的第一代STT－MRAM就是用GF 40nm制造的,，單顆容量32MB，2019年的第二代則升級(jí)為GF 28nm,，單顆容量翻了兩番達(dá)到128MB,。

就在日前，GF 22FDX工藝成功試產(chǎn)了eMRAM,，－40℃到125℃環(huán)境下可工作10萬個(gè)周期,，數(shù)據(jù)保持可長(zhǎng)達(dá)10年。

進(jìn)一步升級(jí)到12nm,，自然有利于進(jìn)一步提升MRAM的容量密度,，并繼續(xù)降低成本,，尤其是隨著MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先進(jìn)的工藝,。

GF 12nm工藝包括12LP,、12LP＋兩個(gè)版本，雖然算不上多先進(jìn)但也有廣闊的用武之地,，尤其適合控制器,、微控制器等，比如群聯(lián)電子,、Sage的不少企業(yè)級(jí)SSD主控都計(jì)劃加入eMRAM,，從而提升性能、降低延遲,、提高QoS,。

雖然大家可能覺得沒見過MRAM，不過Everspin宣稱已經(jīng)向100多家客戶出貨了1．25億顆MRAM芯片,，還援引報(bào)告稱到2029年獨(dú)立MRAM芯片銷售額可達(dá)40億美元,。

作者：上方文Q