前言：

奇夢(mèng)達(dá)的衰落,，使得歐洲再無(wú)儲(chǔ)存器。而我國(guó)從飽受儲(chǔ)存器進(jìn)口之苦,，到可以預(yù)見的儲(chǔ)存器產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)潮,，這一路并不平坦。

合肥長(zhǎng)鑫成國(guó)內(nèi)首家內(nèi)存供應(yīng)商

合肥長(zhǎng)鑫起源于“506項(xiàng)目”,，項(xiàng)目的發(fā)展目標(biāo)就是成為國(guó)內(nèi)自主發(fā)展主流DRAM存儲(chǔ)器IDM,。

2017年3月合肥長(zhǎng)鑫12英寸項(xiàng)目一期廠房開工建設(shè)；

2018年1月一期廠房建設(shè)完成開始設(shè)備安裝,；

2018年7月16日,，合肥長(zhǎng)鑫12英寸DRAM項(xiàng)目正式投產(chǎn)電性片；

2018年底19納米8GB DDR4工程樣片下線,；

2019年第三季度8GB LPDDR4正式投產(chǎn),。

也就是在去年9月，合肥長(zhǎng)鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存,，成為首家國(guó)產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商,。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對(duì)外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組,。

預(yù)計(jì)今年底擴(kuò)展到4萬(wàn)片晶圓／月,，產(chǎn)能大約能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3％。

DDR4芯片是中國(guó)第一顆自主研發(fā)的19納米DRAM芯片,，和國(guó)際主流DRAM工藝同步,，與此同時(shí)，其正在進(jìn)行17納米工藝研發(fā),，預(yù)計(jì)2021年完成,。

合肥長(zhǎng)鑫主攻是移動(dòng)式存儲(chǔ)產(chǎn)品，目前中國(guó)國(guó)內(nèi)品牌手機(jī)出貨已占全球四成以上,，LPDDR4的順利量產(chǎn)并達(dá)到理想的良率,，將有助于進(jìn)口替代的策略。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)DRAM的空白,，有望突破韓國(guó),、美國(guó)企業(yè)在國(guó)際市場(chǎng)的壟斷地位。

內(nèi)存技術(shù)來(lái)源得益于奇夢(mèng)達(dá)

奇夢(mèng)達(dá)在2008年已經(jīng)成功研發(fā)完成堆疊式DRAM技術(shù)Buried Wordline,，基于Buried Wordline的46nm工藝產(chǎn)品完成研發(fā),，與公司上一代58nm工藝相比，晶圓數(shù)量增加100％,。

只可惜,，金融危機(jī)爆發(fā),，DRAM價(jià)格斷崖式下滑,，奇夢(mèng)達(dá)無(wú)法讓Buried Wordline技術(shù)進(jìn)入大生產(chǎn),，而在2009年破產(chǎn)后，Buried Wordline技術(shù)被封存,。

當(dāng)年全球 DRAM 技術(shù)架構(gòu)分為兩大陣營(yíng),，一種是溝槽式技術(shù)，以奇夢(mèng)達(dá)為代表,，另一種是堆疊式技術(shù),，包括三星、SK 海力士,、美光等都是代表,。

業(yè)界表示，奇夢(mèng)達(dá) 2009 年破產(chǎn)后,，從此歐洲最后一家存儲(chǔ)大廠也結(jié)束了,，但奇夢(mèng)達(dá)手上有眾多專利，尤其是 Buried Wordline 技術(shù),，還是持續(xù)向許多半導(dǎo)體公司收取授權(quán)費(fèi)用,，有點(diǎn)像是一家專利公司的角色。

而長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來(lái)源,，主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司,，獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2．8TB數(shù)據(jù)。

合肥長(zhǎng)鑫基于授權(quán)所獲得的奇夢(mèng)達(dá)Buried Wordline相關(guān)技術(shù)和從全球招攬擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的人才,，借助先進(jìn)的制造裝備把奇夢(mèng)達(dá)的46納米技術(shù)平穩(wěn)推進(jìn)到了10納米級(jí)別,。公司目前也已經(jīng)開始了HKMG、EUV和GAA等新技術(shù)的探索,。

長(zhǎng)鑫公司在此基礎(chǔ)上將奇夢(mèng)達(dá)46nm工藝的內(nèi)存改進(jìn),，研發(fā)出了10nm級(jí)的自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元,。

技術(shù)發(fā)展路線各家大體一致

從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM技術(shù)發(fā)展的路線規(guī)劃來(lái)看,，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括DDR4、LPDDR4X,、DDR5以及 LPDDR5,、GDDR6，雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn),，但產(chǎn)品發(fā)展線路與三星,、SK海力士、美光等國(guó)際大廠DRAM發(fā)展大體一致,。

全球主要的DRAM廠商三星,、SK海力士,、美光等目前采用的是1Znm DRAM技術(shù)。其中三星在2019年3月宣布將在下半年采用1Znm工藝技術(shù)量產(chǎn)8Gb DDR4,，生產(chǎn)率提高20％以上,；

美光也在8月份大規(guī)模生產(chǎn)1Znm 16Gb DDR4產(chǎn)品，SK Hynix也采用第三代10nm級(jí)（1znm）工藝開發(fā)出了16Gbit DDR4,。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還規(guī)劃將采用10G3（17nm工藝）發(fā)展DDR4,、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5產(chǎn)品,，采用10G5工藝推出DDR5,、LPDDR5以及GDDR6產(chǎn)品，該技術(shù)是使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù),，并在未來(lái)導(dǎo)入使用柱狀電容器,、全能柵極晶體管以及極紫外光刻（EUV）工藝。

奇夢(mèng)達(dá)的興衰就是歐洲存儲(chǔ)的命運(yùn)

2005年7月,，英飛凌發(fā)布2005年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告,，英飛凌的內(nèi)存部門，同比營(yíng)收跌幅達(dá)到了19％,。

隨后,，英飛凌加快了重組進(jìn)度，并于2006年5月1日完成,，這比計(jì)劃提前了兩個(gè)月,。由內(nèi)存部門剝離的新公司，命名為“奇夢(mèng)達(dá)”,。

奇夢(mèng)達(dá)是當(dāng)時(shí)全球內(nèi)存廠商中,，率先投資12英寸晶圓的廠家，奇夢(mèng)達(dá)約三份二DRAM內(nèi)存是使用300mm晶圓生產(chǎn),，是全球300mm晶圓使用率最高的企業(yè),；

在2006年9月，奇夢(mèng)達(dá)與南亞科合作,，宣布了75nmDRAM溝槽式技術(shù),，75nm工藝的出現(xiàn)，比90nm工藝進(jìn)一步減低芯片的尺寸,，從而達(dá)到每塊晶圓的可分割量約40％的增長(zhǎng),。

2007年，作為全球第四大DRAM供應(yīng)商,，奇夢(mèng)達(dá)發(fā)布GDDR5白皮書,，其GDDR5顯存生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)批量試產(chǎn)。而當(dāng)時(shí)世界的主流儲(chǔ)存器芯片是GDDR4,，對(duì)于一心試圖跳過GDDR4直接上GDDR5的奇夢(mèng)達(dá)來(lái)說,，這無(wú)疑是個(gè)巨大的進(jìn)步,。

但在2008年上半年，其營(yíng)收為9．25億歐元,，較前一年同期減少57％,，2008年上半財(cái)年度的稅前息前凈虧損為10．58億歐元，而2007財(cái)年上半年,，奇夢(mèng)達(dá)稅前息前凈利還有可觀的3．35億歐元,。

也就是說,，短短一年的時(shí)間,，奇夢(mèng)達(dá)從一家盈利超過3億歐元的公司，變成了一家凈虧損超過10億歐元的公司,，利潤(rùn)跌幅超過300％,。

最終，奇夢(mèng)達(dá)沒有等到批準(zhǔn),，也沒用等到援助資金,，只能無(wú)奈的宣布破產(chǎn)，時(shí)間是2009年1月23日,，歐洲儲(chǔ)存器之光奇夢(mèng)達(dá),，短短3年時(shí)間里走到了盡頭。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited已達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議,。這些專利由德國(guó)制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā),，Polaris從其母公司英飛凌購(gòu)得。

依據(jù)雙方達(dá)成的獨(dú)立專利采購(gòu)協(xié)議,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris購(gòu)得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利,，此專利許可和專利采購(gòu)協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款未予披露。

合肥長(zhǎng)鑫通過兩次合作,，基本上將奇夢(mèng)達(dá)遺留在外的專利收歸囊中,，但是依舊沒辦法完全規(guī)避DRAM的技術(shù)專利風(fēng)險(xiǎn)，畢竟在奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)案中,，其當(dāng)時(shí)領(lǐng)先世界的技術(shù)被華邦和爾必達(dá),、華亞科及鎂光獲得一部分，這部分也有可能成為后期專利戰(zhàn)的風(fēng)險(xiǎn),。

結(jié)尾：

在可以預(yù)期的2－3年內(nèi),，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存極有可能會(huì)面臨著出生即落后的境遇。而由于制程與產(chǎn)能的雙重落后,，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存在短期內(nèi)很難對(duì)國(guó)際DRAM市場(chǎng)格局造成影響,。但從長(zhǎng)期來(lái)說，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的大規(guī)模投產(chǎn)一定會(huì)對(duì)市場(chǎng)格局造成沖擊,。