?。▓D源：Nexperia官網(wǎng)）

　　據(jù)外媒報道,，功率和分立器件專家Nexperia采用硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）技術,，推出第一款大功率GaN場效應晶體管,。

　　Nexperia公司MOS分立式器件業(yè)務集團總經(jīng)理Toni Versluijs表示：“Nexperia準備進軍高壓領域,，因此推出這一戰(zhàn)略舉措?，F(xiàn)在,，我們能夠提供適用于電動汽車（xEV）功率半導體應用的技術,。我們的GaN技術已經(jīng)可以量產,，滿足大批量應用,。汽車行業(yè)是Nexperia關注的重點領域，隨著電動汽車取代傳統(tǒng)內燃機汽車,，成為個人和公共交通的首選工具,，預計未來20年該行業(yè)將顯著增長?！?/p>

　　該工藝在大型硅襯底上生成GaN厚外延層,，并獲得合適的外延性能，因此,，可以利用標準的150mm晶圓生產線,，進行初級生產，具有批量生產所需的可擴展性,，以及成本優(yōu)勢,。

　　650V GAN063-650WSA的柵極電壓為±20V，工作溫度在-55至+175°C之間。產品特色在于,，導通電阻低至60 m?,，可以減少損耗，支持頻率切換,，提高電源效率,。重要的是，該產品采用業(yè)內常用的標準TO-247封裝,，更便于設計者操作,，提升產品性能。

　　GAN063-650WSA GaN場效應晶體管是Nexperia旗下GaN系列設備首款產品,，適用于汽車,、通信基礎設施和工業(yè)領域。