賓夕法尼亞,、MALVERN — 2019年12月11日—日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK  1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器,、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率,。

　　日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60 V器件,，比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%,，比Vishay上一代器件低89%。

　　從而降低電源通道壓降,，減小功耗,，提高效率。為提高功率密度,，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,，甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案。

　　為節(jié)省PCB空間,，減少元件數(shù)量并簡化設(shè)計,，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu),，兩個單片集成TrenchFET  第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置,。SiSF20DN源極觸點并排排列，加大連接提高PCB接觸面積,，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進一步減小電阻率,。這種設(shè)計使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān)，包括工廠自動化,、電動工具,、無人機、電機驅(qū)動器,、白色家電,、機器人、安防/監(jiān)視和煙霧報警器,。

　　SiSF20DN進行了100 % Rg和UIS測試,，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素,。

　　新型MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨供貨周期為30周。