全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓）,，非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等,。

　　此次新開發(fā)的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能,。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比,，開關損耗可降低約35％,，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。

　　另外,，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,，該評估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅動的ROHM柵極驅動器IC（BM6101FV-C）,、各種電源IC及分立產品,，可為客戶提供輕松進行元器件評估的解決方案。

　　本系列產品已于2019年8月起以月產50萬個的規(guī)模逐步投入量產（樣品價格2,100日元起,，不含稅）,。生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡）。此外,，本系列產品和評估板已于2019年9月起開始網(wǎng)售，可從AMEYA360,、icHub購買。

　　近年來,，隨著AI和IoT的發(fā)展與普及，對云服務的需求日益增加,，與此同時，在全球范圍對數(shù)據(jù)中心的需求也隨之增長,。數(shù)據(jù)中心所使用的服務器正在向大容量,、高性能方向發(fā)展，而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題,。另一方面,，以往服務器的功率轉換電路中，主要采用的是硅（Si）元器件,，如今,，損耗更低的SiC元器件被寄予厚望,。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,，與以往封裝相比,，可降低開關損耗,，因此有望應用于服務器,、基站,、太陽能發(fā)電等高輸出應用中,。

　　2015年,，ROHM于全球第一家成功實現(xiàn)溝槽柵結構SiC MOSFET的量產,，并一直致力于領先于行業(yè)的產品開發(fā)。此次新開發(fā)出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,，未來也會繼續(xù)推進創(chuàng)新型元器件的開發(fā)，同時提供包括非常適用于SiC驅動的柵極驅動器IC等在內的解決方案,，為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。

　　＜特點＞

　　采用4引腳封裝（TO-247-4L）,，開關損耗降低約35％

　　在傳統(tǒng)的3引腳封裝（TO-247N）中,，源極引腳的電感分量※2）會引起柵極電壓下降,，并導致開關速度延遲。

　　此次,，SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝（TO-247-4L）,，可以分離電源源極引腳和驅動器源極引腳，因此,，可減少電感分量的影響,。這樣，能夠充分地發(fā)揮出SiC MOSFET的高速開關性能,，尤其是可以顯著改善導通損耗,。與以往產品相比,，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗,。

　　＜產品陣容＞

　　SCT3xxx xR系列是采用溝槽柵結構的SiC MOSFET,。此次新推出了共6款機型，其中包括650V的3款機型和1200V的3款機型,。

　　＜應用＞

　　服務器、基站,、太陽能逆變器、蓄電系統(tǒng),、電動汽車的充電站等,。

　　＜評估板信息＞

　　SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配備了非常適用于SiC元器件驅動的ROHM柵極驅動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及分立產品,，可輕松進行元器件的評估,。為了提供在同一條件下的評估環(huán)境，該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品,，還可安裝并評估TO-247N封裝的產品。另外,，使用該評估板,，可進行雙脈沖測試,、Boost電路、兩電平逆變器,、同步整流型Buck電路等評估,。

　　開始銷售時間　2019年9月

　　評估板型號　　P02SCT3040KR-EVK-001

　　網(wǎng)售平臺　　　AMEYA360,、icHub

　　支持頁面　　　https://www.rohm.com.cn/power-device-support