賓夕法尼亞,、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布,，推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件,，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW,，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝,。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率和功率密度,，柵極電荷僅為22.5 nC,，同時具有低輸出電荷（QOSS）,。

　　與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平臺電壓,，適用于柵極驅(qū)動電壓高于6 V的電路,，器件最佳動態(tài)特性縮短死區(qū)時間，防止同步整流應用發(fā)生擊穿,。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%—與領(lǐng)先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC,，QOSS與導通電阻乘積，即零電壓開關(guān)（ZVS）或開關(guān)柜拓撲結(jié)構(gòu)功率轉(zhuǎn)換設計中,，MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到最佳水平,。為實現(xiàn)更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節(jié)省65%的PCB空間,。

　　SiSS22DN改進了技術(shù)規(guī)格,，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導通和開關(guān)損耗,，多電源管理系統(tǒng)構(gòu)件可實現(xiàn)更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結(jié)構(gòu)同步整流,、DC/DC轉(zhuǎn)換器主邊開關(guān),、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務器電源OR-ing功能,、電動工具和工業(yè)設備電機驅(qū)動控制和電路保護,、電池管理模塊的電池保護和充電。

　　MOSFET經(jīng)過100 % RG和UIS測試,，符合RoHS標準,，無鹵素。

　　SiSS22DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為30周,，視市場情況而定。