EUV（極紫外光）,，是基于DUV（深紫外光）升級的最新一代光刻機(jī)設(shè)備。隨著半導(dǎo)體制程微縮走向極限,，EUV光刻機(jī)設(shè)備成為焦點(diǎn),。EUV的作用在于，可繼續(xù)壓榨晶體管的密度,，降低光罩用量,，提升良率并降低芯片制造成本。
由于DRAM制程向1z納米或1α納米制程推進(jìn)的難度越來越高（三星18 nm工藝技術(shù)被傳出因良率過低導(dǎo)致的瑕疵品引發(fā)客戶賠償?shù)南ⅲ?，目前采用EUV設(shè)備提升量產(chǎn)能力,，降低DRAM的生產(chǎn)成本，成為最為緊迫的辦法,。
目前全球三大DRAM芯片巨頭——三星、美光和海力士都將工藝制程開進(jìn)10nm級別,，此10nm級別并非就是10nm,，它又分為三個等級，其中1xnm對應(yīng)16nm-19nm制程,，1ynm對應(yīng)14nm-16nm制程,，1znm對應(yīng)12nm-14nm制程,，在這之后還會有1α及1β納米制程節(jié)點(diǎn)。制程的微縮逐漸成為DRAM原廠的發(fā)展瓶頸,。
一年前,，美光不認(rèn)為EUV 光刻機(jī)在DRAM芯片的制造環(huán)節(jié)上是必須的，甚至未來發(fā)展到1znm以下的1α和1β工藝技術(shù),，可能都不需要EUV光刻機(jī),。加上EUV價格昂貴（1億美金以上），及去年DRAM價格正處于高漲的甜蜜期,，美光做此判斷乃情理之中,。但今年迫于市場壓力不得不改變此策略。
據(jù)多家調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,，2019年上半年,，受市場供需影響，消費(fèi)類NAND Flash閃存價格下滑了30%,，DRAM內(nèi)存價格也是一路下跌,，雖然原廠計劃減產(chǎn)救市，但短期仍不見止跌信號,。要降低成本,，一是微縮制程，二是啟用EUV設(shè)備,。顯然,，啟用EUV設(shè)備將更為直接有效。
據(jù)韓媒報道,，三星將在2019年11月開始量產(chǎn)采用EUV 技術(shù)的1z 納米DRAM,。量產(chǎn)初期將在華城17產(chǎn)線，不過由于與晶圓代工事業(yè)部共享EUV設(shè)備,，所以初期使用量不大,，之后平澤工廠也會啟動EUV DRAM量產(chǎn)；美光計劃2019年底在日本廣島B2新工廠量產(chǎn)1znm LPDDR4,；SK海力士也有意以EUV制程生產(chǎn)DRAM,。可以判斷,，在1α納米或1β納米世代,，EUV將開始全面導(dǎo)入。
EUV時代,，ASML獲利最大
在DUV（深紫外光）時代,，光刻機(jī)市場主要被荷蘭ASML、日本索尼和尼康三巨頭占據(jù),，但到了EUV時代,，變成只有ASML一家供應(yīng)商,。目前，ASML已占據(jù)整個光刻機(jī)市場70%的份額,。
今年4月,，ASML發(fā)布首季財報，第一季凈收入3.55億歐元,，毛利率41.6%,。業(yè)績成長迅速。
競爭格局分水嶺出現(xiàn)在193nm光刻技術(shù)成為市場主流之后,，ASML逐漸后來居上,。加上英特爾、臺積電和三星入股ASML更加夯實(shí)了其龍頭地位,。
2012年英特爾以25.38億歐元購買了ASML 15%的股權(quán),，臺積電以8.38億歐元購買了ASML 5%的股權(quán)，三星以5.03億歐元購買了ASML 3%的股權(quán),。除此,，三巨頭還給出高額資金助力技術(shù)研發(fā)。
有了三大巨頭的助力,，ASML在2012年推出了試驗(yàn)型EUV光刻設(shè)備NXE 3100,，后續(xù)又推出了量產(chǎn)型NEX 3300B，2014年推出了NXE 3350B,，目前,，已經(jīng)推出新一代量產(chǎn)型的NXE 3400B和NXE 3400C EUV設(shè)備。
在7nm工藝量產(chǎn)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),，ASML的NXE 3400B EUV光刻機(jī)成為了臺積電,、三星實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)計劃的關(guān)鍵。ASML曾表示,，2017年下半到2018年初,，EUV光刻機(jī)每小時晶圓吞吐量約125片，而ASML新一代EUV光刻機(jī)（NXE 3400C）,，芯片吞吐量可達(dá)到每小時170片水準(zhǔn),，這將使產(chǎn)能增加36%。
更有消息顯示,，ASML計劃在2019年出貨30臺EUV光刻機(jī),，同時正準(zhǔn)備將NXE 3400C EUV光刻機(jī)推廣到DRAM產(chǎn)業(yè)，而這恰恰與DRAM原廠導(dǎo)入EUV的想法不謀而合,。
工藝制程微縮的挑戰(zhàn)尚存,，DRAM在1znm出現(xiàn)的良率瑕疵問題，EUV能否幫助全部解決,？我們拭目以待,。