繼此前英特爾,、高通等美國芯片大廠暫停與華為合作之后,，5月29日美國內(nèi)存芯片大廠美光科技也正式發(fā)出聲明,，宣布暫停向華為供貨,。
美光在這份聲明中指出,，作為一家擁有全球業(yè)務(wù)的美國企業(yè),，美光尊重并遵守美國及各營運據(jù)點所在國家的所有法律與法規(guī),，目前已暫停向華為供貨，以遵從美國政府的相關(guān)管制規(guī)定,。
此外,，美光還發(fā)函要求各大模組廠配合，不準(zhǔn)將使用美光存儲芯片做成的模組,、內(nèi)存卡或固態(tài)硬盤等相關(guān)存儲產(chǎn)品,，直接或間接供貨給華為及其關(guān)系企業(yè)。盡管美國商務(wù)部在5月20日向美光發(fā)放臨時許可證,，以保證截至5月16日前在市場上銷售的,、含有美光零件的華為產(chǎn)品不受影響。這張來自美國商務(wù)部臨時許可證,，只能夠確保華為產(chǎn)品16日（含16日）為止的出貨,。
美光下半年營收或?qū)⒋蠓禄?/p>
根據(jù)美光的財報顯示，截至2019財年上半年,，美光公司有13％營收是來自于華為,，因此，美光公司正在評估可行方案,，以減輕對公司業(yè)務(wù)造成的預(yù)期影響,。
也就是說，如果不考慮其他因素的影響,，僅因中斷與華為的合作的影響,，美光下半年的營收可能就將會減少13％。
另外需要指出的是,，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示,，今年第一季度DRAM價格跌幅從原先預(yù)估的下跌20～25％，擴大到了30％左右，是2011年以來單季最大跌幅,。集邦科技對DRAM后市看法保守,，預(yù)計第2季度價格仍將逐月走低，整季跌幅將逼近25％,。
而美光在暫停向華為供貨后,，或?qū)⒁l(fā)DRAM市場價格進一步下行壓力，而這也必然將導(dǎo)致美光下半年營收的進一步下滑,。盡管美光強調(diào),，將調(diào)整策略減輕沖擊，但也增加市場對于價格持續(xù)下跌的預(yù)期心理,。
對華為影響幾何,？
從彭博社此前的數(shù)據(jù)顯示，華為的全球前十大供應(yīng)商（從采購金額來看）分別是富士康,、比亞迪,、臺積電、歐菲光,、FIH Mobile,、偉創(chuàng)力、SK海力士,、博通,、高通和舜宇。其中只有一家存儲芯片廠商,，那就是SK海力士,，排名第7。也就是說,，在所有存儲供應(yīng)商當(dāng)中,，華為對于SK海力士的依賴程度，要遠高于三星,、美光,、東芝等存儲廠商。
從目前整個DRAM內(nèi)存市場份額來看,，一季度三星營收額為69．7億美元,，較上季度下滑26．3％，占據(jù)了42．7％的市場份額,，排名第一,。SK海力士第一季營收48．8億美元，較上季衰退31．7％,，市場份額為29．9％,，排名第二,。美光維持第三位，營收為37．6億美元,，較上季下滑30．0％,，市占率維持在約23％左右。
對于華為來說,，DRAM供應(yīng)商的可選擇性相對較小，主要都是集中在三星,、SK海力士和美光這三家之間,，因此華為在DRAM的采購上，對于美光還是存在著一定的依賴,，但是并不是不可替代,。
另外兩大DRAM廠商三星和SK海力士，完全有能力接下美光吐出的華為訂單,。但是考慮到目前DRAM市場價格的持續(xù)下滑,，三大DRAM廠商可能會考慮通過減少產(chǎn)能來提振市場價格。此前,，三星,、美光、SK海力士等公司都曾宣布計劃削減2019年的資本支出以減少NAND Flash,、DRAM 的產(chǎn)能,。而這或許會使得三星、SK海力士對華為DRAM的供應(yīng)受到一定的影響,。
在NAND Flash市場方面,，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，目前全球前五大 NAND Flash 供應(yīng)商分別為三星,、東芝,、西部數(shù)據(jù)、美光,、 SK 海力士,，其中排名第四的美光市場份額為15％。不過,，美光斷供華為,，對其NAND Flash的供應(yīng)影響較小。此前華為的主力機型的存儲芯片主要都是由三星,、SK海力士,、東芝等廠商供應(yīng)。
正如前面所提及的,，在存儲廠商當(dāng)中,，華為對于SK海力士的依賴程度最高,，其次應(yīng)該就是三星，而隨著美光的斷供,，這也意味著華為對于SK海力士和三星的依賴程度將會進一步的提升,。而未來美方禁令未來是否也會對三星和SK海力士產(chǎn)生影響，這也成為了決定未來華為能否持續(xù)正常運轉(zhuǎn)的關(guān)鍵,。
雖然,，目前國內(nèi)的長江存儲的32層3D NAND FLASH已經(jīng)量產(chǎn)，年底有望量產(chǎn)64層3D NAND FLASH（明年將會挑戰(zhàn)128層3D NAND FLASH,，有望追上國外主流的水平）,。在DRAM內(nèi)存芯片方面，合肥長鑫存儲的DRAM內(nèi)存芯片也有望在今年四季度量產(chǎn),。但是,，目前國產(chǎn)DRAM、NAND Flash與國外廠商無論是在技術(shù),，還是在產(chǎn)能上,，都有著不小的差距，對于目前的華為來說,，國產(chǎn)存儲廠商尚難以提供足夠的助力,。不過，卻給華為提供了最后的保障,。