0 引言

    功率電子電路大多要求具有大電流輸出能力,，以便驅(qū)動各種類型的負(fù)載,。功率驅(qū)動電路是功率電子設(shè)備輸出電路的一個重要組成部分，大電流達林頓晶體管陣列結(jié)構(gòu)廣泛用于這類可控大功率器件^[1],。達林頓陣列結(jié)構(gòu)具有較高的電流增益,，驅(qū)動能力強，達林頓結(jié)構(gòu)用作輸出級,，為單片高壓大功率集成電路驅(qū)動能力提供了可能^[2],。

    單片高壓功率模擬IC具有電源電壓高、輸出電流大的特點,，達林頓晶體管結(jié)構(gòu)廣泛用于中大功率模擬IC產(chǎn)品中,。為了達到較高的電流承載能力和耐壓特性，達林頓管陣列需要并聯(lián)的晶體管數(shù)量巨大,。在輸出大電流時,，電路工作會產(chǎn)生很大的熱量，對版圖的布局和散熱造成很大困難,，需要提出一種兼顧性能和版圖面積的達林頓管版圖結(jié)構(gòu),。

1 大電流特性設(shè)計

    本文達林頓陣列結(jié)構(gòu)版圖已用于一款高壓大功率運放的輸出級。電路輸出級采用復(fù)合NPN達林頓管驅(qū)動大電流,，要求版圖具有輸出9 A峰值大電流能力,。

1.1 電路設(shè)計

    電路輸出級為雙端輸入、單端并聯(lián)輸出的對稱結(jié)構(gòu),。如圖1所示,，上下兩端分別為復(fù)合共集、共射輸出,，T1,、T2和T3、T4構(gòu)成NPN+NPN復(fù)合達林頓結(jié)構(gòu), T1,、T2發(fā)射極輸出,，T3、T4集電極輸出,，其中T2和T4陣列分別并聯(lián)了18 000個小功率NPN管,。兩端功率管同時工作時，可以實現(xiàn)動態(tài)電流的雙倍輸出,。

1.2 版圖布局對稱性和熱均勻性

    為保證上下管電流的對稱性,，達林頓管版圖上下對稱分布,。如圖2所示,，基極金屬連接和叉指結(jié)構(gòu)對稱分布，發(fā)射極金屬連接位于內(nèi)側(cè)對稱分布，叉指結(jié)構(gòu)沿著電流方向不斷變寬對稱分布,。在大電流通過時,，由于器件等寄生因素帶來的熱效應(yīng)，版圖設(shè)計時還需考慮熱對稱性和熱均勻性^[3],。上下兩組達林頓管,，陣列單元內(nèi)由頂部至底部不斷加寬，降低電流頂部和底部的不均勻?qū)е碌木植繙囟冗^高,。同時較高的匹配性和對稱布局也可防止由于工藝原因造成的電路性能失調(diào),。由圖2熱度梯度表顯示，熱量分散均勻,。

1.3 陣列結(jié)構(gòu)射出大電流設(shè)計

    兩組達林頓管,，上半部分所有陣列單元發(fā)射極電流通過寬發(fā)射極金屬從底部引出，下半部分電流從集電極頂部引出,，中間通過寬金屬輸出9 A的電流,，減少了走線面積。當(dāng)版圖側(cè)邊出線時,，所有的電流會流經(jīng)出線側(cè)底部很小的一塊金屬,，如圖3所示，電流產(chǎn)生的熱量遠遠超過另外一側(cè),，當(dāng)電流密度超過金屬的最大電流密度時,，會燒斷金屬連線。當(dāng)采用底部寬金屬出線,，可有效避免電流在側(cè)邊出線時,，版圖拐角造成的大電流積累，超過拐角金屬的最大電流密度,，造成版圖失效,。

    在大電流環(huán)境下為了保證達林頓管對電流的放大作用，發(fā)射極金屬需承受I_O=9 A電流,，共有180個指狀發(fā)射區(qū),，每個指狀發(fā)射區(qū)需承受50 mA電流大小。

    采用70 V雙極型晶體管工藝,，M1的電流密度約為J=1 mA/μm,，M1金屬層電阻ρ=0.058 Ω/μm，發(fā)射極接觸孔電阻R=2.1 Ω/cont,。單個發(fā)射極叉指寬度w=10 μm,，每個叉指含n個接觸孔，叉指長度為L,。所能承受的電流大小I₁由下式可得：

    經(jīng)計算每個叉指能承受的電流大于50 mA,。

1.4 陣列結(jié)構(gòu)單元穩(wěn)定性設(shè)計

    用作大電流環(huán)境時，由于載流子的堆積，發(fā)射極邊緣所承受的壓降較中間更大,。同時發(fā)射區(qū)版圖電流從底部引出,，較頂部所承受的電流更大，發(fā)射極條狀結(jié)構(gòu)越長,，電流分布就會越不均勻^[4],。在不改變發(fā)射極長度的情況下，為增加達林頓陣列結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,，如圖4所示,，發(fā)射區(qū)寬度從頂部至底部不斷加寬，增大電流的承受能力,，同時發(fā)射指加寬也能減小發(fā)射極去偏置效應(yīng),，縮短發(fā)射指長度，減小限流電阻的值,，降低功耗,。為了避免發(fā)射極去偏置效應(yīng)，在每個發(fā)射極連線中插入限流電阻,重新分配叉指流過的電流,，限制指狀發(fā)射極的電流大小,。每個叉指上晶體管約能承受1/4限流電阻上電壓^[5]，金屬最大電流密度為J,，發(fā)射指長度為L,，寬度為W，發(fā)射極基極的電壓差為V_be,，由式(2)可得所需電阻阻值R,。

1.5 最大化發(fā)射極有效周長

    選用70 V雙極型工藝，為保證NPN管在大電流情況下的放大能力,，需要足夠的發(fā)射極有效周長,，增大放大倍數(shù)。版圖設(shè)計時,，基極叉指分布在發(fā)射極叉指兩側(cè),，對應(yīng)的剖面圖如圖5所示，等深的基區(qū)分布于發(fā)射區(qū)的兩側(cè)充分利用發(fā)射極面積,。由于輕摻雜的基區(qū),，會導(dǎo)致大電流時，發(fā)生發(fā)射極集邊效應(yīng),，NPN管工作時載流子會聚集在發(fā)射極一側(cè),。當(dāng)兩邊均被等寬的基區(qū)包住時，基區(qū)載流子會在電流通過時聚集在發(fā)射極的兩側(cè)和底部,，增大了有效發(fā)射區(qū)面積,。

1.6 提高布線平整性設(shè)計

    功率達林頓管工作時電流較大,，且達林頓管占用面積較多。若采用傳統(tǒng)的雙極型工藝,，會在刻蝕的區(qū)域產(chǎn)生較高臺階，大電流工作時,，凹凸不平的表面會使電流積聚,，導(dǎo)致金屬連線斷裂。本次設(shè)計改進了雙極型工藝,，采用了STI,、LOCOS工藝實現(xiàn)集成器件等平面結(jié)構(gòu)，降低器件整體臺階高度,，提高鋁布線平緩度,，降低電流分布受臺階的影響。工藝流程為隔離擴散后有源區(qū)中刻出場區(qū)后,，通過高密度等離子體刻蝕形成淺槽,，通過注入提高場開啟，然后高壓氧化,，形成基本平緩的表面,，再在有源區(qū)內(nèi)制作器件。改進后如圖6所示,，發(fā)射區(qū),、基區(qū)、集電區(qū)高度近乎相同,，臺階有效降低,，布線平整性提高，降低了大電流達林頓管受布線臺階影響,。

2 仿真驗證

    達林頓陣列版圖設(shè)計完成后,，經(jīng)過Calibre_DRC驗證滿足70 V高壓雙極型版圖規(guī)則，通過軟件Calibre_xRC提取寄生參數(shù)用于后仿,。添加版圖寄生參數(shù)后,，電源±35 V供電，負(fù)載電阻選用6 Ω,，負(fù)載電容選用100 pF,，通過Cadence_spectre完成了后仿真。電路仿真結(jié)果如圖7所示,，正向電流峰值達到9.52 A,，反向電流為-9.04 A。添加提取的版圖寄生參數(shù),，后仿真結(jié)果如圖8所示,，正向電流為9.02 A,，負(fù)向為8.84 A，滿足輸出9 A動態(tài)電流要求,。

    大功率運放芯片整體版圖如圖9所示,，輸出級達林頓管面積為4 000 μm×2 251.5 μm，約占芯片內(nèi)部核心面積的6/7,，后仿真結(jié)果達到要求,，沒有違反設(shè)計規(guī)則，可進行流片,。

3 結(jié)論

    本文基于70 V高壓雙極型工藝,，設(shè)計了一種中大功率達林頓陣列版圖結(jié)構(gòu)。采用單元陣列對稱叉指結(jié)構(gòu),，散熱均勻,，穩(wěn)定性好，改進工藝采用等平面布線結(jié)構(gòu)后,，降低了布線臺階,，提高了面積利用率。版圖用于一款高壓功率運放的輸出級,，添加相關(guān)寄生參數(shù)后仿真結(jié)果表明,，能夠達到電路驅(qū)動9 A峰值電流。

參考文獻

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[4] SAINT C,，SAINT J.集成電路版圖設(shè)計IC Mask Design[M].北京：清華大學(xué)出版社，2003.

[5] HASTINGS A.模擬電路的版圖的藝術(shù)[M].北京：電子工業(yè)出版社,，2011.

作者信息:

徐凱英1,，馬  奎1，2

（1.貴州大學(xué) 大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院,，貴州 貴陽550025,；2.貴州省微納電子與軟件技術(shù)重點實驗室，貴州 貴陽550025）