臺(tái)積電提交公告表示,，6納米技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢,，并且延續(xù)7納米技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位,。臺(tái)積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7納米技術(shù)增加18%,。

　　新的6nm制程采用了EUV光刻技術(shù),，據(jù)稱與第一代7nm制程相比,，晶體管密度增加了18%,，而設(shè)計(jì)規(guī)則與第一代7nm制程完全兼容,，便于升級(jí)遷移和降低成本,。

　　臺(tái)積電的6nm制程預(yù)計(jì)將于2020年第一季度試產(chǎn),，適用于中高端移動(dòng)芯片、消費(fèi)應(yīng)用,、人工智能,、網(wǎng)絡(luò)、5G,、高性能計(jì)算,。

　　在過去幾年里，英特爾在新制程方面進(jìn)展緩慢,，而其10nm制程在大規(guī)模生產(chǎn)方面也進(jìn)展緩慢,，主要原因是該公司對(duì)技術(shù)指標(biāo)要求高，難以投入生產(chǎn),。

　　另一方面,，臺(tái)積電和三星取得了很大進(jìn)展。除了技術(shù)上的突破,，他們采取了更加靈活的策略,，降低了新技術(shù)的難度，每次稍有改進(jìn)就會(huì)做出一個(gè)新的版本,。

　　例如,，臺(tái)積電的16nm制程是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，而12nm則是在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了升級(jí)和優(yōu)化,。三星則更加復(fù)雜,，除了14nm,、10nm、7nm,、5nm的升級(jí)版,，還有一系列過渡版，如11nm,、8nm,、6nm、4nm,。

　　近日,，臺(tái)積電宣布，其5nm EUV制程已開始試制,。與7nm相比,，該公司的5nm EUV制程可使性能提高15%。與此同時(shí),，三星的5nm EUV制程可使功耗降低20%,，性能提高10%。