SK海力士近日公布了第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片,，頻率高達6400MHz,，是現(xiàn)在多數(shù)DDR4內(nèi)存的兩倍左右，而單顆容量為16Gb(2GB),。

SK海力士的這種DDR5-6400內(nèi)存采用1ynm工藝制造,，也就是第二代10nm級別工藝(DRAM工藝現(xiàn)在極少明確到個位數(shù))，四個金屬層,，面積為76.22平方毫米,。

這是什么概念呢？

SK海力士此前的第一代21nm工藝8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存芯片面積是76平方毫米,，等于如今在同樣的面積內(nèi)實現(xiàn)了兩倍的容量，存儲密度翻了一番,。

不過,，76.22平方毫米仍然是相當大的面積，成本肯定很高,，后續(xù)仍依賴于工藝的進步,，比如第二代21nm工藝的8Gb DDR4就縮小到了53.6平方毫米，足足30％,。

當然了,，翻番的存儲密度可以有效抵消上漲的成本，更何況還可以做出更小的4Gb芯片,。

另外,，新內(nèi)存的工作電壓僅為1.1V，相比于DDR4標準的1.2V又降低了大約8％,，而很多高頻DDR4內(nèi)存都要加到1.35V甚至是很危險的1.5V,。

為了達成6400MHz高頻率,、1.1V低電壓，SK海力士在電路設(shè)計上費了不少心思,，比如為了減少高頻下的時鐘抖動,、時鐘占空比失真，加裝了新的延遲鎖定環(huán)DLL,，使用了相位旋轉(zhuǎn)器(phase rotator),、注頻鎖相振蕩器(injection locked oscillator)。

另外還有新的前向反饋均衡(FFE)電路,，以及新的寫入均衡訓練算法,。

目前，三星電子,、SK海力士,、美光等巨頭都在沖刺DDR5，但是行業(yè)規(guī)范遲遲沒能定下來,，原計劃2018年底出爐現(xiàn)已嚴重超時,，而且JEDEC組織一直沒有給出新的時間表。

而在另一方面,，針對智能手機等低功耗便攜式設(shè)備的LPDDR5都已經(jīng)搞定了,。