《電子技術(shù)應(yīng)用》
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在負(fù)載的高端進行直流電流檢測

2018-09-07
關(guān)鍵詞: 直流電流 rail-to-rail CMRR

  盡管滿擺幅(rail-to-rail)運算放大器現(xiàn)在是一種公認(rèn)的高端直流(dc)電流檢測方法,,但可靠的電路仍然需要仔細的分析與設(shè)計。

  在負(fù)載的高端進行電流檢測通常是可取的,。不過,,為了成功地實現(xiàn)這種方法,工程師們必須克服一些設(shè)計障礙?,F(xiàn)在,,由于可以得到滿擺幅運算放大器,圖1所示 電路業(yè)已成為一種受歡迎的高端直流檢測手段,。這種電路受歡迎有幾個原因,,它以單電源供電,電源電壓范圍寬,,因而適用于高端或低端電流檢測,。輸入 CMRR(共模抑制比)也與運算放大器本身的基本抑制特性相當(dāng),并且不依賴于電阻器的匹配,。該電路的增益和輸入輸出電壓范圍設(shè)置方便,,可達到±1%乃至更 佳測量精度。只要元件選擇得當(dāng),,它還可以在很寬的溫度范圍內(nèi)工作,,并且不需要“特殊功能”IC或單電源IC。

  本例采用的滿擺幅運算放大器的優(yōu) 點是,,輸入共模范圍可以一直“達到”正電源電壓,。大多數(shù)常規(guī)運算放大器的輸入電壓范圍僅僅在正電源電壓的大約1V或2V 以內(nèi)。在選擇滿擺幅運算放大器時要小心謹(jǐn)慎,。制造商可能使用這一術(shù)語來表示輸入電壓范圍,、輸出電壓范圍或同時表示輸入和輸出電壓范圍。在本例應(yīng)用中,,滿擺 幅運算放大器的主要特性是,,其輸入范圍包含正電源電壓。剛上市的一些運算放大器都具有高端檢測所必需的這一特性,,不過這些器件并沒有歸類為滿擺幅運算放大器,;其中一個例子就是LF355 FET輸入型運算放大器。

  

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圖1,這一基本的直流電流檢測電路具有良好的測量精度,,可在很寬的溫度范圍內(nèi)工作,,不需要獨家生產(chǎn)的集成電路。

  圖1所示電路先檢測電流檢測電阻器兩端的壓降,,然后調(diào)節(jié)輸出晶體管的工作點,,從而在ROUT和由RIN形成的反饋路徑中產(chǎn)生同樣的電流。由于本例中的晶體管具有反相響應(yīng),,你必須將反饋路徑接回到同相輸入端,,以獲得完全的負(fù)反饋響應(yīng)。該電路的傳遞函數(shù)為:

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  這個電路存在幾個潛在的誤差來源,。很顯然,,你要確保電流檢測電阻器具有應(yīng)用所必需的精確度。再者,,你要確保增益電阻器(ROUT/RIN)很精確,。R'IN是 選件,用來進一步降低由運算放大器的輸入偏置電流引起的任何失調(diào)誤差,。除此之外,,你還得在輸出晶體管上費些腦筋。如果你使用雙極結(jié)型晶體管,,則附加的基極 電流會產(chǎn)生輸出誤差,。如果雙極結(jié)型晶體管具有的β為100(β=100),你就可以預(yù)料到輸出會提高1%(即1/β,,用百分比表示),。你可以用達林頓晶體 管來大大降低這種誤差。此外,,你也可以使用MOSFET,,這種器件因其源極電流和漏極電流完全相同,不存在這種等效的基極電流誤差,。但是,,由于可能存在由 MOSFET漏電流引起的誤差,所以漏電流小的器件是最佳選擇,。這種漏電流只是在測量零電流或甚小電流值時才會產(chǎn)生誤差,,但是不會像雙極結(jié)型晶體管那樣產(chǎn) 生“增益”誤差。

  最后一個要解決的問題是輸入和輸出的濾波,。在大多數(shù)情況下,,增加一只與ROUT并聯(lián)的電容器就綽綽有余了。這樣做就可給出如下熟悉的濾波響應(yīng):

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  如果輸出必須對負(fù)載電流的快速變化迅速做出響應(yīng),,則你要確保輸出濾波器符合必要的上升/下降時間要求,。你可以通過以下公式快速估算該值:

  %20 如果你的電路必須在輻射電平和傳導(dǎo)噪聲電平很高的惡劣環(huán)境下工作,則要確保檢測引腳盡可能短并減小這些引腳之間的環(huán)路面積。不要把電容器直接接在運算放%20大器的反相引腳和同相引腳之間,;這樣做可能會導(dǎo)致嚴(yán)重的穩(wěn)定性問題,。如果你堅持要在輸入端增加濾波功能,那就要采用圖2所示的安排,。CDIFF有助于限制差分噪聲的帶寬,,在其他情況下,這種噪聲會被作為合法信號加以放大和處理,。元件參數(shù)值如圖2所示時,3-dB帶寬大約為800%20Hz,。修改輸出級(ROUT和COUT)還可以進一步提高過濾功能,。

  運算放大器能充分抑制共模噪聲,如60-Hz噪聲,,但是其抑制共模噪聲的能力隨頻率的升高而降低,。在這一方面,可以在運算放大器不起作用處增加共模電容器(CCM)來濾除共模噪聲,。在所給的例子中,,f3dB-CM設(shè)置為大約160 kHz。不要使用電容量較大的CCM來進一步改善共模抑制性能,。如果CCM電容器的電容值太大,,匹配又不良,共模噪聲就會轉(zhuǎn)換成(由于電容器值失配而引起的)差模信號,,于是,,放大器會將其作為合法信號來處理。

  一個經(jīng)驗法則是選用對設(shè)定輸入帶寬最有意義的CDIFF值,。然后,,選用CCM,使其電容量小到1/10,最好為1/100,。并要確保這些電容器具有合理的容差和良好匹配,。溫度系數(shù)很小的陶瓷電容器價格低廉,非常適合用做CCM,。此外,,還要記住運算放大器電源引腳之間適當(dāng)去耦也是非常重要的,因為傳導(dǎo)噪聲也可通過電源進入,,尤其是在運算放大器直接由高端電源線供電(如圖所示)時,。

  該電路的輸出阻抗等于ROUT, 因此,,如果你將該電路輸出端連接到一個具有相對較低輸入阻抗的ADC(例如許多微控制器中的ADC),,那就要使用跟隨器來緩沖輸出,以防止輸出端無謂加載 和引起重大差錯。幸運的是,,如果使用的是雙運算放大器,,就可以將剩余的運算放大器配置成跟隨器,從而在不增加空間的情況下,,很方便地完成這一任務(wù),。

  規(guī)定使用±15V電源的滿擺幅運算放大器,可以由高達30V的電源供電,。在由較高電壓的電源供電時,,圖3所示電路非常理想。運算放大器僅承受齊納穩(wěn)壓器 兩端的電壓,,而輸出晶體管則提供必要的以地為基準(zhǔn)的電平移動,。對高端電壓最大值的唯一限制是,它不可超過輸出晶體管的額定擊穿電壓,。

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  圖3,,在進行高壓直流電流檢測的場合,齊納穩(wěn)壓器為運算放大器提供了一個高端基準(zhǔn)電源,。

  要注意的是,,運算放大器的參考點是相對于其V+電源端的,而在前面電路中則是相對于V-電源端的,。這就要求你用npn晶體管(或n溝道FET)去替換pnp晶體管(或p溝道FET),,并觀察反相和同相輸入端的合適取向。在其他情況下,,適用于前面電路的公式,、論述、濾波技術(shù)和工作原理同樣適用于這一電路,。這個電路的唯一不利之處是,,如果輸出要求緩沖的話,它必須使用一個獨立的運算放大器,。

  這些電路都很靈活,,通常具有良好的性能。不過,,根據(jù)運算放大器,、晶體管和濾波器電路的最終選用情況,進行測試并確保在整個預(yù)期的電流測量范圍內(nèi)具有足夠 的順應(yīng)性,,這始終不失為明智之舉,。你只要在電路受到負(fù)載電流階躍變化時,用示波器監(jiān)測基極電壓或柵極電壓,,就可以驗證這一穩(wěn)定性,。

  表1列出了 現(xiàn)成的電流檢測集成器件,,這些器件的體系結(jié)構(gòu)與本文中所述的相同。不過,,盡管表1所列的許多器件可能相互之間“功能相同”,,但不可能找到任何一種非獨家生 產(chǎn)的器件。在選用這樣一種器件時,,要確保其電壓額定值在設(shè)計的電源電壓范圍之內(nèi),。有些器件可進行雙向電流檢測,并可能具有比較器來提供“行程”指示,。有些 器件的實際額定工作溫度為-40℃至+125℃,,使其在汽車和工業(yè)中的應(yīng)用范圍得以擴大。

  IR21XX系列的獨特之處在于,,其浮動溝道體系結(jié)構(gòu)允許在高達600V的電位下進行高/低端電流檢測,。其輸出不是模擬電壓,而是正比于被測電流的輸出脈沖寬度,。它允許在沒有ADC的情況下進行微處理器接口。此外,,它還可通過光耦合器來傳遞脈沖寬度,,實現(xiàn)真正的隔離。

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  表1還列出了一些可供選用的霍爾效應(yīng)型電流檢測器件,?;魻栃?yīng)型電流檢測可實現(xiàn)電流變壓器那樣的完全隔離;兩者的區(qū)別就在于霍爾效應(yīng)既適合直流電流檢測又適合交流電流檢測,。

  表1所列器件絕非完整無缺,,許多制造商會定期在其產(chǎn)品系列中增加電流檢測器件,并且以甚至更快的速度淘汰一些產(chǎn)品,。


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