功率半導(dǎo)體元件或簡(jiǎn)稱功率元件，是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,；主要用途包括變頻、整流,、變壓,、功率放大、功率控制等,，并同時(shí)可具有節(jié)能的功效,，因此功率元件廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子,、新能源交通等眾多領(lǐng)域,。

　　其中，金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET）自1980年即進(jìn)入電子商業(yè)應(yīng)用,，主要用在PC,、NB等消費(fèi)性電子的主機(jī)板跟電路板上，屬中低壓市場(chǎng),，在900V以上的高壓領(lǐng)域較無用武之地,，而絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）的發(fā)明，則滿足大功率化與高頻化的需求,，自1988年以來已進(jìn)展至第六代產(chǎn)品,，成為目前高壓電子產(chǎn)品之主流應(yīng)用。

　　功率元件全球市場(chǎng)規(guī)模約140億美元,，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的3.5％，其中MOSFET規(guī)模約68億美元,、IGBT約12.6億美元,，占功率半導(dǎo)體元件分別為48％與9％；根據(jù)IEK調(diào)查指出,，近年受惠電動(dòng)汽車與油電混和車快速發(fā)展,、汽車電子化比重提升以及手機(jī)快充、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）新應(yīng)用興起,，功率元件在提高能源轉(zhuǎn)換效率上占據(jù)重要地位,，產(chǎn)業(yè)需求逐漸提升；而未來電動(dòng)車半導(dǎo)體的需求為傳統(tǒng)汽車的兩倍以上,，預(yù)期MOSFET等功率元件用量將大幅提升,。

　　MOSFET與IGBT市場(chǎng)過去皆呈大廠寡占的態(tài)勢(shì)，英飛凌,、安森美與瑞薩占MOSFET市場(chǎng)近50％,，IGBT市場(chǎng)英飛凌、三菱電機(jī)與富士電機(jī)三家市占率更達(dá)61％,；此類IDM垂直整合大廠以英飛凌為首,，均優(yōu)先將產(chǎn)能給毛利率較高的新產(chǎn)品，相繼退出中低壓MOSFET一般消費(fèi)性產(chǎn)品線,，導(dǎo)致MOSFET供需缺口擴(kuò)大,，使臺(tái)廠自去年第2季開始即逐漸感受到轉(zhuǎn)單效應(yīng),，預(yù)料這股缺貨風(fēng)潮恐將持續(xù)下去。

　　在晶圓供給方面,，MOSFET與IGBT產(chǎn)品考量8吋光罩費(fèi)用僅12吋的1/10,，加以功率元件還有不漏電的要求，尚無法做到尺寸微縮等原因,，臺(tái)灣與大陸的MOSFET功率元件IC設(shè)計(jì)公司都投產(chǎn)在8吋晶圓廠,；然由于指紋辨識(shí)、影像感測(cè)器（CIS）,、電源管理（ICPMIC）等IC產(chǎn)品,，受到資安需求提升，對(duì)8吋晶圓需求亦增加,，致使全球8吋晶圓投片量提升,。

　　MOSFET市場(chǎng)的供需失衡，讓臺(tái)廠迎來多年以來難得的成長(zhǎng)契機(jī),，上游IC設(shè)計(jì)方面,，大中（6435）、杰力（5299）在PC市場(chǎng)與消費(fèi)性電子產(chǎn)品較具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),，預(yù)計(jì)下半年供需仍吃緊態(tài)勢(shì)下,，對(duì)下游的議價(jià)能力轉(zhuǎn)強(qiáng)，有助其獲利表現(xiàn),；在晶圓生產(chǎn)方面,，世界先進(jìn)（5347）8吋產(chǎn)能滿載，加上電源管理營(yíng)收占比持續(xù)提升改善產(chǎn)品組合,，未來營(yíng)運(yùn)展望樂觀,。

　　此外，隨著氮化鎵（GaN）相關(guān)分離式元件的制程研發(fā),，對(duì)IGBT等高壓市場(chǎng)需求增強(qiáng),，強(qiáng)茂（2481）預(yù)期未來能搭上IGBT代工潮，且積極導(dǎo)入自動(dòng)化并進(jìn)行車規(guī)認(rèn)證,，目前產(chǎn)能滿載,，2018年預(yù)估產(chǎn)品平均漲幅15?20％，后續(xù)成長(zhǎng)可期,；MOSFET及IGBT等產(chǎn)品雖早已應(yīng)用于電子產(chǎn)品,，然近年市況匹變，需求大增,，將迎來一場(chǎng)功率半導(dǎo)體元件的逆襲,。