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人工智能重振存儲器式運算架構

2018-05-04
關鍵詞: 人工智能 CPU GPU

  業(yè)界開始重新審視十年前開發(fā)的處理器架構,看好速度較GPU更快1萬倍的所謂「存儲器式運算」(In-Memory Computing,;IMC),,將有助于新一代AI加速器發(fā)展。

  新創(chuàng)公司,、企業(yè)巨擘和學術界開始重新審視十年前開發(fā)的處理器架構,,看好它或許剛好就是機器學習(machine learning)的理想選擇。他們認為,,「存儲器式運算」(In-Memory Computing,;IMC)架構可望推動新型的人工智能(AI)加速器進展,使其速度較現行的GPU更快1萬倍,。

  這些處理器承諾可在CMOS微縮速度放緩之際擴展芯片性能,,而要求密集乘法累積陣列的深度學習演算法也正逐漸獲得動能。這些芯片雖然距離商用化上市還有一年多的時間,,但也可能成為推動新興非揮發(fā)性存儲器成長的引擎,。

  例如,新創(chuàng)公司Mythic瞄準在快閃存儲器(flash)陣列內部進行神經網路運算任務,,致力于從類比領域降低功耗,。該公司的目標是在2019年底量產芯片,成為率先推出這一類新芯片的公司之一,。

  美國圣母大學(Notre Dame)電子工程系系主任Suman Datta說:「在我們學術界大多數的人認為,,新興存儲器將成為實現存儲器處理器(processor-in-memory,;PIM)的技術之一。采用新的非揮發(fā)性存儲器將意味著創(chuàng)造新的使用模式,,而存儲器式運算架構將是關鍵之一,。」

  Datta指出,,在1990年代,,有幾位學者試圖打造這樣的處理器。諸如EXECUBE,、IRAM和FlexRAM之類的設計都「失敗了,,而今,隨著相變存儲器(PCM),、電阻式RAM (RRAM)和STT MRAM等新興存儲器出現,,以及業(yè)界對于機器學習硬體加速器的興趣濃厚,開始振興這個領域的研究,。不過,,據我所知,大部份的展示都還是在元件或元件陣列層級進行,,而不是一個完整的加速器,。」

  其中一家競爭對手來自IBM于2016年首次披露的「電阻處理器」(Resistive Processing Unit,;RPU),。這是一款4,096 x 4,096交叉陣列的類比元件。

  IBM研究員Vijay Narayanan認為,,「其挑戰(zhàn)在于找出正確的類比存儲器元素是什么——我們正在評估相變,、RRAM和鐵電?!筕ijay Narayanan同時也是一位材料科學家,,他主要的研究領域是在高K金屬閘極。

  在2015年,,美國史丹佛大學(Stanford University)也曾經發(fā)布在這一領域的研究,。中國和韓國的研究人員也在追求這一理念。

  為了實現成功,,研究人員需要找到相容于CMOS晶圓廠的存儲器元件所需材料,。此外,Narayanan說,,「真正的挑戰(zhàn)」就在于必須在施加電壓時展現對稱的電導或電阻,。

  20180502_IMC_NT01P1IBM Research的材料科學家Vijay Narayanan表示,大多數用于AI的存儲器處理器仍處于研究階段,,距離可上市的時間約三至五年(來源:IBM)

  關于未來電晶體的幾點思考

  IBM至今已經制造出一些離散式元件和陣列,,但并不是一款具有4Kx4K陣列的完整測試芯片,也尚未采用目前所認為的理想材料,。Narayanan表示,,IBM的Geoff Burr在500 x 661陣列上采用相變材料進行深度神經網路(DNN)訓練,而其結果顯示「合理的精確度和加速度」,。

  「我們正穩(wěn)步前進,,但了解還必須改善現有的材料,而且也在評估新材料,?!?/p>

  IBM希望使用類比元件,以便能夠定義多個電導狀態(tài),,從而較數位元件更有助于為低功耗操作開啟大門,。該公司還看好大型陣列可望成為平行執(zhí)行多項AI操作的大好機會。

  Narayanan樂觀地認為,,IBM可以利用其于高k金屬閘極方面累積的多年經驗,,找到調整AI加速器電阻的材料。他花了十幾年的時間,,才將IBM在該領域的專業(yè)知識從研究轉向商業(yè)產品,,并與格芯(Globalfoundries)和三星(Samsung)等業(yè)界伙伴合作。

  展望未來,,IBM將致力于開發(fā)閘極全環(huán)(GAA)電晶體,,將奈米片用于7nm節(jié)點以外的應用。他認為這一類的設計并不存在根本的障礙,,而只是實施的問題,。

  除了奈米片之外,研究人員正在探索負電容場效電晶體(FET),,這些FET可在電壓變化很小的情況下提供較大的電流變化,。從研究人員發(fā)現這種摻雜氧化鉿是鐵電材料,而且可能相容于CMOS后,,過去這五年來,,這種想法越來越受到關注。

  但Narayanan也說,,「目前還有很多反對者以及同時支持二者的人,。」

  「我們的研究顯示,,負電容是一種短暫的效應,,」Notre Dame的Datta說,「因此,,當極化開關切換時,,通道電荷得以暫時啟動,,而一旦暫態(tài)穩(wěn)定后就不會再取得任何結果?!?/p>

  美國加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)的研究人員則「相信這是一種重要的『新狀態(tài)』,。因此,故事仍在繼續(xù)發(fā)展中,,可以說大部份的公司都在內部進行評估中,。 」


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