《電子技術(shù)應用》
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最快trr性能的600V超級結(jié)MOSFET 成新標桿

有助于變頻空調(diào)等電機驅(qū)動應用顯著節(jié)能
2017-08-10
作者:于寅虎
來源:電子技術(shù)應用
關(guān)鍵詞: ROHM MOSFET R60xxMNx APF

近年來,,節(jié)能化趨勢日益加速,隨著日本節(jié)能法的修訂,,家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標識APF(全年使用家用空調(diào)時的能效比),,不再僅僅關(guān)注功率負載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能,要求負載較小的正常運轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲,。據(jù)稱,,在全球的電力需求中,,近50%被用于驅(qū)動電機,隨著空調(diào)在新興國家的普及,,全球的電力局勢逐年嚴峻,。

在這種背景下,ROHM開發(fā)出PrestoMOS,,非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機驅(qū)動,,可大大降低應用正常運轉(zhuǎn)時的功耗,滿足了社會的節(jié)能需求,。

   日前,,ROHM宣布推出高速trr(反向恢復時間)型600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”,非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機驅(qū)動,。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET,,以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評,。

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羅姆半導體(上海)有限公司設(shè)計中心高級經(jīng)理水原德健先生

據(jù)羅姆半導體(上海)有限公司設(shè)計中心高級經(jīng)理水原德健先生介紹,此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化ROHM獨有的芯片結(jié)構(gòu),,在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上,,還成功地使Ron(導通電阻)和Qg(柵極輸入電荷量)顯著降低。由此,,在變頻空調(diào)等電機驅(qū)動的應用中,,輕負載時的功率損耗與以往的IGBT相比,降低約56%,,節(jié)能效果非常明顯,。

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不僅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢,,還實現(xiàn)了超強的短路耐受能力,,減輕了因電路誤動作等導致的異常發(fā)熱帶來的破壞風險,有助于提高應用的可靠性,。

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據(jù)了解,,相比傳統(tǒng)的MOS管,R60xxMNx系列產(chǎn)品具備三大特征,。

第一,、業(yè)界最快的trr性能、低Ron,、低Qg,,有助于應用節(jié)能

一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導損耗低的優(yōu)點,設(shè)備正常運轉(zhuǎn)時可有效降低功耗,?!癛60xxMNx系列”利用ROHM獨有的Lifetime控制技術(shù),,不僅保持了業(yè)界最快trr性能,而且Ron和Qg更低,,非常有助于變頻電路的節(jié)能,。

第二、超強短路耐受能力,,確??煽啃?/p>

通常,一旦發(fā)生短路,,即具有電路誤動作,、流過超出設(shè)計值的大電流、引起異常發(fā)熱,、甚至元件受損的可能性,。一直以來,因性能與短路之間的制約關(guān)系,,確保超強的短路耐受能力是非常困難的,,而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢,對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進行了優(yōu)化,,可確保電機驅(qū)動所必須的短路耐受能力,,有助于提高應用的可靠性。 

第三,、自導通損耗微小

自導通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下,,高邊主開關(guān)一旦導通,則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加,,電壓被柵極感應,,柵極電壓上升,MOSFET誤動作,。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗,。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容,可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi),。

附:最新R60xxMNx系列產(chǎn)品陣容                          

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      ☆開發(fā)中


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