多年以來,，2D NAND 一直都是半導(dǎo)體工業(yè)光刻（lithography）技術(shù)的發(fā)展推動力,，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降,。隨著 2D NAND 的尺寸縮小到了十幾納米節(jié)點（16nm、15nm甚至 14nm），每個單元也變得非常小,，使得每個單元中僅有少數(shù)幾個電子，而串擾問題又使得進一步縮小變得非常困難而且不夠經(jīng)濟,。
隨著 2D NAND 的問題越來越多,，業(yè)界開始著眼于 3D NAND。現(xiàn)在,，我們正見證著 3D NAND 的快速增長,，3D 位產(chǎn)量正在超過 2D 位產(chǎn)量。在這篇文章中,，我們將仔細探究 3D NAND 技術(shù),，并會對 3D NAND 和 2D NAND 的成本進行比較。
3D NAND 工藝
東芝和三星在 3D NAND 上的早期開拓性工作帶來了兩大主要的互相競爭的 3D NAND 技術(shù),。
東芝開發(fā)了一種叫做 Bit Cost Scalable（BiCS）的工藝,。BiCS 工藝采用了一種先柵極方法（gate-first approach），這是通過交替沉積氧化物（SiO）層和多晶硅（pSi）層實現(xiàn)的,。然后在這個層堆疊中形成一個通道孔,，并填充氧化物-氮化物-氧化物（ONO）和 pSi。然后沉積光刻膠,，通過一個連續(xù)的蝕刻流程,，光刻膠修整并蝕刻出一個階梯，形成互連,。最后再蝕刻出一個槽并填充氧化物,。如圖 1 所示。
圖 1：BiCS 工藝
三星則開發(fā)了一種 Terabit Cell Array Transistor （TCAT）工藝,。TCAT 是一種后柵極方法（ gate-last approach）,，其沉積的是交替的氧化物和氮化物層,。然后形成一個穿過這些層的通道并填充 ONO 和 pSi。然后與 BiCS 工藝類似形成階梯,。最后,，蝕刻一個穿過這些層的槽并去除其中的氮化物，然后沉積氧化鋁（AlO）,、氮化鈦（TiN）和鎢（W）又對其進行回蝕（etch back）,，最后用塢填充這個槽,。如圖 2 所示,。
圖 2： TCAT 工藝
這兩種工藝都能得到電荷陷阱存儲單元（charge trap memory cell）。
從前面的討論和圖中可以看出,，這兩種工藝的基本不同在于 BiCS 使用了 pSi 字線的先柵極方法,，而 TCAT 則使用 W 字線的后柵極方法。
長時間以來,，業(yè)內(nèi)都有傳言說東芝做不出有效的 BiCS，而東芝的生產(chǎn)部分基本上就是復(fù)制的 TCAT 工藝,，盡管東芝還是稱之為 BiCS。
英特爾-美光走了一條類似于 BiCS 的路,，只不過他們構(gòu)建的是浮柵極（floating gates）。
資金成本
很多人看了下面美光給出的圖后都評論說 3D NAND 的資金成本比 2D NAND 高 3 到 5 倍,。但這幅圖表達的不是這個意思！這幅圖想表達的是從 2D NAND 節(jié)點轉(zhuǎn)換到 3D NAND 節(jié)點的成本是從 2D NAND 節(jié)點轉(zhuǎn)換到一個新的 2D NAND 節(jié)點的成本的 3 到 5 倍
圖 3：美光 2D NAND 到 3D NAND 的轉(zhuǎn)換成本
2D NAND 是一種光刻主導(dǎo)的工藝,，20nm 以下的節(jié)點需要多個四重圖案步驟,。從一個節(jié)點移動到下一個節(jié)點的推動力主要來自于光刻工具的改進,。當升級光刻工具時,，通?？梢杂卯斍暗墓ぞ咭耘f換新獲得改進后的工具，從而降低轉(zhuǎn)換成本,。
而 3D NAND 則是使用的 3D 存儲堆棧技術(shù)所需的專門工具來進行沉積和蝕刻。光刻技術(shù)不是 3D NAND 發(fā)展的推動力,，在 3D NAND 工藝流程中最多也只有一個雙重圖案步驟,。但是,，其流程中卻有多個高縱橫比蝕刻步驟，其中每個晶片的蝕刻時間高達 30 至 60 分鐘,！
為了進一步探索它,，我們來研究一下 2D 和 3D NAND 新建晶圓廠的資金需求,。我的公司 IC Knowledge LLC 開發(fā)了半導(dǎo)體行業(yè)中應(yīng)用最廣泛的成本建模工具,。我們的戰(zhàn)略成本模型（Strategic Cost Model）可以為 2D 和 3D NAND 工藝給出詳細的設(shè)備配置需求,。在比較新建晶圓廠之前,，圖 4 給出了基于三星工藝的 2D 和 3D NAND 的轉(zhuǎn)換成本,。
圖 4： 2D NAND 和 3D NAND 的轉(zhuǎn)換成本
從圖 4 中我們可以看到,，在特定的工藝轉(zhuǎn)換上有類似于圖 3 的 3 到 5 倍的轉(zhuǎn)換成本,。
但是，如果我們模擬構(gòu)建一家新建 2D NAND 晶圓廠的成本與一家新建 3D NAND 晶圓廠的成本,，我們則會看到完全不同的景象,，3D 的資金成本甚至比 2D 的資金成本還稍微低一點,！如圖 5 所示,。
圖5：新建晶圓廠成本
晶圓成本
與資金成本類似,，我們相信在晶圓成本上也有些模糊不清的地方,。圖 6 比較了三星的 Line 12 晶圓廠的 2D 16nm 晶圓成本與三星的西安晶圓廠的 3D 64 層晶圓成本,。
圖 6：升級后設(shè)施的 2D NAND 和 3D NAND 晶圓成本對比
Line 12 在 2003 年上線，經(jīng)過了多次升級,，使得現(xiàn)在設(shè)備配置中關(guān)鍵部分的成本已經(jīng)達到了最低,。而西安晶圓廠則在 2014 年上線,，所有設(shè)備的成本都還在下降過程中,。如果我們將新建的 2D 和 3D NAND 晶圓廠的晶圓成本從不同的圖片融合到一起，就得到了圖 7.
圖 7：新建的 2D NAND 和 3D NAND 晶圓廠的晶圓成本
位密度
用一個 NAND 的位（bit）總數(shù)除以管芯尺寸（die size）,，我們可以計算出 bits/mm? 指標。在今年的 ISSCC 上,，三星在 session 11 發(fā)表了論文《A 512Gb 3b/cell 64-Stacked WL 3D V-NAND Flash Memory》,。根據(jù)這篇論文,，我們可以比較從 64 層 3D NAND 到 2D NAND 的各種工藝的位密度,。下面的表格給出了三星的值（所有器件都是 3 bits/cell）,。
表 1：三星 NAND 的位密度
從表 1 中我們可以看到 3D NAND 的位密度高于 2D NAND,，64 層的 3D NAND 更是超過了 16nm 的 2D NAND 的三倍！
目前 3D NAND 的產(chǎn)量還不及 2D NAND,，因此每個晶圓上優(yōu)良位的數(shù)量還未達到 3D 位密度優(yōu)勢應(yīng)有的水平。
位成本
為了計算位成本,，我們需要晶圓成本,、位密度和產(chǎn)量。如上所述,，晶圓成本嚴重依賴于生產(chǎn)該晶圓的晶圓廠的規(guī)格,。位密度和產(chǎn)量也因公司不同而各有差異。比如說,，英特爾-美光使用的是 CMOS-Under 技術(shù),，其中一些次要的 CMOS 構(gòu)建在存儲陣列之下，這能實現(xiàn)比其競爭對手更高的位密度。我們也相信英特爾-美光有相對好的產(chǎn)量,。
英特爾-美光在它們位于 Lehi Utah 的 Fab 2 工廠開始了它們最早的 3D NAND 生產(chǎn),，這是一個 2007 年的老廠。然后在新加坡的晶圓廠 10N 也承擔了部分生產(chǎn),，這是一個 2011 年的廠,。直到今年，我們才有望看到英特爾-美光新建的 10X 3D NAND 晶圓廠開始生產(chǎn),。英特爾也在調(diào)整其位于中國的 Fab 68 來生產(chǎn) 3D NAND,。在它們 2017 年的分析師會議上，美光展示了下面的圖 8.
圖 8：2D NAND 和 3D NAND 的位成本對比
從這張圖中我們可以看到,，相對于 2D-16nm,，3D-32 層工藝降低了 30% 的位成本，并有望在 3D-64 層工藝上再進一步降低 30%,。我認為這種行業(yè)領(lǐng)先的成本降低是源于舊晶圓廠有一些折舊的資產(chǎn),、CMOS-Under 所帶來的高位密度和高產(chǎn)量。
東芝最近表示 3D-64 層工藝是一個“甜蜜點（sweat spot）”,，并且最終將實現(xiàn)比 2D NAND 更低的成本,。我認為這是由東芝的未折舊的晶圓廠資源和相對更低的產(chǎn)量這些因素共同決定的。
三星還未在成本方面給出任何公開說明,，但我相信它們在 3D-48 層的左右大致持平,。我已經(jīng)聽說它們的產(chǎn)量非常不錯。
串堆疊（string stacking）
隨著存儲堆疊的層數(shù)越來越多,，通道孔長寬比隨之攀升,，使得該工藝的難度越來越大，也越來越慢,。在某個位置將需要串堆疊（string stacking）。在串堆疊中,，首先會沉積一些層，這些層被完全加工成存儲單元,，然后再沉積和加工一個或更多額外的存儲堆疊,。串堆疊會增加掩模和復(fù)雜性,，但會使通道孔的形成更快更輕松,。
據(jù)了解，在 64 層工藝上,，英特爾-美光使用了 2-stack 陣列,，而三星沒有使用堆疊。有人猜測東芝將會使用串堆疊，但據(jù)我了解還沒有得到確認,。據(jù)信三星希望一直避免串堆疊,，直到至少 128 層才會考慮使用。使用 IC Knowledge 的 Strategic Cost Model,，我在 96 層上對 TCAT 工藝的 2-stack 方法和單堆疊方法進行了比較,，并發(fā)現(xiàn) 2-stack 方法會增加大約 14% 的成本，所以關(guān)于三星在至少 128 層才會考慮在他們的工藝中使用堆疊的傳言是有道理的,。
總結(jié)
隨著 3D NAND 擴展到 64 層及以上,，所有主要制造商的位成本都將低于 2D NAND 的位成本。3D 位產(chǎn)量現(xiàn)在正在超越 2D 位產(chǎn)量,，而且隨著層數(shù)的進一步擴展,，3D NAND 應(yīng)該還能繼續(xù)將摩爾定律很好地延展和延續(xù)到下一個十年。