韓媒etnews 4日報導(dǎo),，業(yè)界消息證實,，SK海力士第四代72層的3D NAND進入量產(chǎn),，主要用于移動裝置,，并已交貨給客戶,。SK海力士4月份才宣布研發(fā)出72層3D NAND,，3個月內(nèi)就進入量產(chǎn),，速度極為驚人,。一般研發(fā)成功之后,，快的話要6個月,，慢的話要一年以上，才會開始量產(chǎn),。以三星電子為例,，該公司2016年8月研發(fā)出64層3D NAND，今年6月才宣布量產(chǎn),，大約花了10個月時間,。
據(jù)傳SK海力士不只量產(chǎn)，生產(chǎn)效能也極佳,，該公司72層3D NAND生產(chǎn)率提高30%,，與三星64 層3D NAND近似，而且達到“黃金良率”（golden yield）,，比美三星,。不只如此，新品采用SK Hynix自家的控制器和韌體（firmware）,，不再對外采購,，可提高毛利。專家稱,，如此一來,，SK Hynix的競爭優(yōu)勢逼近三星。
SK海力士是NAND Flash的第四大廠,，市占率落后三星電子,、東芝、Western Digital（WD）,。不過目前東芝和WD為了東芝記憶體業(yè)務(wù)出售案,，鬧得不可開交，倘若SK海力士掌握72層3D NAND技術(shù),，可趁勢奪取客戶,，改寫NAND市場版圖。
投180億擴充芯片市場,，有意而為之,？
在SK海力士挑戰(zhàn)的消息傳出之后，韓國三星電子有限公司本周二表示,，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元（約合186.3億美元）,，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,。這家營收居位全球第一位的存儲芯片制造商表示，到2021年,，該公司在平澤市的新NAND工廠總計投入將達到14.4萬億韓元，其中的6萬億韓元將用于建造一條新的半導(dǎo)體生產(chǎn)線,，但未對時間或產(chǎn)品加以詳細說明,。
由于市場對長期數(shù)據(jù)存儲芯片的需求不斷增長，該公司還將在中國西安的NAND工廠增設(shè)一條生產(chǎn)線,，但沒有設(shè)定投資金額或時間框架,。
外界普遍預(yù)計，三星和其他內(nèi)存生產(chǎn)商將在2017年實現(xiàn)利潤創(chuàng)紀錄,，因為智能手機和服務(wù)器的性能不斷提高,，從而導(dǎo)致價格上漲。行業(yè)消息人士和分析師表示,，由于高端存儲產(chǎn)品的普及,，NAND芯片的短缺問題更為嚴重。
一些分析師表示,，三星的生產(chǎn)技術(shù)至少要比東芝和SK海力士（SK Hynix Inc）等競爭對手領(lǐng)先一年,。三星每年在半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資超過100億美元，幫助其保持領(lǐng)先優(yōu)勢,。分析師表示,，最新投資旨在拉大這一差距。
近年來,，三星,、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的生產(chǎn)，但分析師和業(yè)內(nèi)人士表示,，由于新設(shè)備在2017年無法提供有意義的供應(yīng),，短缺可能至少持續(xù)到明年。
一些分析師表示,，這種額外的產(chǎn)能可能會在2018年初造成輕微的供應(yīng)過剩,，但隨著智能手機制造商選擇更大的內(nèi)部存儲，價格崩潰的現(xiàn)象不太可能發(fā)生,。市場對用于云計算和虛擬現(xiàn)實應(yīng)用程序的高端服務(wù)器存儲的需求也將繼續(xù)增長,。
“我相信，2020年之前,，NAND市場環(huán)境將繼續(xù)利好供應(yīng)商,，”HMC投資分析師Greg Roh表示。他說,，任何供應(yīng)過剩的問題都將是暫時的,，而且僅限于季節(jié)性較弱的時期,。
三星表示，對韓國的投資是為了響應(yīng)新總統(tǒng)文在寅的號召,，將在2021年創(chuàng)造多達44萬個就業(yè)機會,，并將有助于提振經(jīng)濟。
該公司周二還表示,，三星顯示器公司計劃在韓國新成立一家企業(yè),，生產(chǎn)有機發(fā)光二極管顯示器，投資約1萬億韓元,。
中國的長江存儲也是未來的挑戰(zhàn),？
三星前有強敵，在后面也有追兵,。自從紫光和武漢新芯合作打造閃存產(chǎn)業(yè),，并拉攏了高啟全來負責(zé)全新的長江存儲以后，中國存儲產(chǎn)業(yè)獲得了突飛猛進的進步,。這無疑會給三星帶來壓力,。
在今年四月份，高啟全接受媒體采訪時表示,，公司現(xiàn)已投入3D NAND研發(fā),，2017年底提供32層3D NAND的樣本，將是公司技術(shù)自主的里程碑,，之后從事64層技術(shù),，待該技術(shù)成熟后，長江存儲才會投入3D NAND量產(chǎn),，屆時與三星電子(Samsung Electronics),、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術(shù)差距會縮短至一代左右,。
再者,，長江存儲也考慮自己開發(fā)DRAM技術(shù)，可能的切入點是18/20納米制程,，無論是3D NAND或是DRAM,，一定要自己掌握核心技術(shù)，不會再走過去臺灣技術(shù)授權(quán)的老路,！
高啟全表示,，無論是DRAM或3D NAND技術(shù)，最好的合作伙伴是美光,，但現(xiàn)在政治氣氛不對,，美國對大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感，因此洽談的時間會再延長,，但美光1年來全球DRAM市占率從28%掉到18%,，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗,，未來只會更辛苦。
長江存儲分為武漢和南京12寸廠兩大據(jù)點,，各自單月產(chǎn)能都是30萬片規(guī)劃,，外界對于這樣的產(chǎn)能規(guī)模，以及何時量產(chǎn)都有很多疑問,，他強調(diào),，12寸廠規(guī)劃不會是虛晃一招，但技術(shù)沒成熟前也絕對不會冒然投產(chǎn),，長江存儲的內(nèi)存規(guī)劃是有計劃、慢慢做,，千秋大業(yè)是急不得,，我們也不會去打亂市場的行情。
高啟全指出,，這樣的12寸產(chǎn)能規(guī)模將會成為對抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器,，歡迎美光加入，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達80%,、NAND Flash高達60%,，不出幾年的時間，南韓就會掌握全球90%的內(nèi)存芯片,，這是全世界都該害怕的事情,，三星是全球科技業(yè)的威脅。
他進一步表示,，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力,，對臺灣亦有利，以大陸有計劃的布局可扮演此角色,，且只有大陸才有這個資源投入,，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生，也是大基金唯一真正投資的內(nèi)存陣營,。
他強調(diào),，3D NAND和DRAM技術(shù)絕對在大陸自主開發(fā)，技術(shù)不成熟時不會冒然投產(chǎn),，另外,，我們不會再走回過去臺灣技術(shù)授權(quán)的失敗老路，發(fā)展自有技術(shù)同時,，侵犯別人專利會付錢,，且長存已累積多個3D NAND專利，別人用到也要付費,，唯有合法來源取得技術(shù),，持續(xù)前進,，才能吸引到全球人才，打造國際級的規(guī)格,。