臺積電痛宰三星電子，搶下高通（Qualcomm）驍龍（Snapdragon）處理器大單,？據(jù)傳臺積電微縮制程進(jìn)度大幅超前三星,，高通變心，決定把 7 納米芯片訂單轉(zhuǎn)給臺積電,。

韓國媒體 etnews 報導(dǎo),，三星替高通代工驍龍 820、830 系列芯片,。不過業(yè)界消息透露,，未來高通將轉(zhuǎn)單臺積電，生產(chǎn) 7 納米的次世代驍龍?zhí)幚砥?。?jù)了解,，臺積電今年 9 月將試產(chǎn) 7 納米驍龍芯片,，預(yù)定今年底到明年初間量產(chǎn)。據(jù)稱三星掉單原因是,，去年下半臺積電就提供客戶 7 納米的制程設(shè)計(jì)套件（Process Design Kit,，PDK），三星電子遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后,，要到今年 7 月才能發(fā)布 7 納米 PDK 的 beta 測試版本,。

報導(dǎo)稱，臺積電眼光精準(zhǔn),，跳過 10 納米,，直攻 7 納米制程。三星電子則停留 10 納米,，近來才推出比 10 納米略為升級的 8 納米制程,。從三星自家 Exynos 處理器生產(chǎn)進(jìn)度也可發(fā)現(xiàn)，三星 7 納米腳步遲緩,。明年初量產(chǎn)的次世代 Exynos 芯片,，將采 8 納米，7 納米 Exynos 芯片要到明年下半才會量產(chǎn),。

臺積電不只制程研發(fā)腳步快,，另一優(yōu)勢是掌握先進(jìn)封裝技術(shù)──“扇出型晶圓級封裝”（Fan-Out Wafer Level Package，F(xiàn)oWLP）,。三星在這方面也落后臺積,，盡管全力研發(fā)比 FoWLP 更進(jìn)步的“扇出型面板級封裝”（Fan-out Panel Level Package，F(xiàn)oPLP）,，但估計(jì)仍需一兩年時間才能采用。

之前外媒也有謠傳,，高通次世代驍龍 845 芯片訂單,，或許不再由三星吃下。

AndroidHeadlines 5 月報導(dǎo),，據(jù)了解高通次世代芯片驍龍 845 進(jìn)入研發(fā),，預(yù)定 2018 年初問世，首發(fā)機(jī)種是三星電子的 Galaxy S9,；一如今年上市的驍龍 835,，首發(fā)機(jī)種為 Galaxy S8。目前驍龍 835 訂單由三星電子一家通吃,。

消息稱,，驍龍 835 采用 10 納米制程，明年的驍龍 845 將晉級至 7 納米制程,，和前代相比,，效能將提升 25%~35%,。三星電子和臺積都努力爭取訂單，目前臺積電 7 納米制程已進(jìn)入試產(chǎn),。

據(jù)稱,，除了高通之外，聯(lián)發(fā)科,、中廠華為,、Nvidia 也都有意改用 7 納米制程。