新一代UltraCMOS? PE45361是分立式PIN結(jié)二極管功率限幅器的單片替代品,，可提供可靠且可重復(fù)的接收機(jī)保護(hù)

　　RF SOI（射頻絕緣體上硅）的發(fā)明者及先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)派更（Peregrine）半導(dǎo)體公司宣布推出單片100瓦功率限幅器UltraCMOS? PE45361,。作為派更半導(dǎo)體公司功率限幅器系列產(chǎn)品的新一代成員,，PE45361建立在備受好評(píng)的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得極大成功的基礎(chǔ)之上,，并添加了更高的脈沖功率處理能力、更低的限幅閾值及正向閾值控制功能,。UltraCMOS功率限幅器提供了一種取代砷化鎵（GaAs）分立PIN結(jié)二極管功率限幅器的單片式方案，可保護(hù)設(shè)備不會(huì)受到過高RF功率,、故意干擾及ESD事件的損害,。PE45361能夠?yàn)闇y(cè)試與測(cè)量設(shè)備及無線基礎(chǔ)架構(gòu)收發(fā)器中的敏感低噪聲接收機(jī)提供可靠且可重復(fù)的功率保護(hù)。

　　派更半導(dǎo)體公司全球銷售副總裁Colin Hunt表示：“派更半導(dǎo)體的單片功率限幅器為我們的客戶提供了一種增強(qiáng)射頻功率保護(hù)的新奇而強(qiáng)大的方案,。我們推出的PE45361基于我們UltraCMOS限幅器的關(guān)鍵射頻性能及物料清單（BOM）成本優(yōu)勢(shì),，并可提供100瓦功率處理能力，實(shí)現(xiàn)較低的限幅閾值,，從而保護(hù)敏感的低噪聲放大器（LNA）,。”

　　與PIN結(jié)二極管功率限幅器相比,，UltraCMOS功率限幅器的響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間方面加快了10倍,，線性度（IIP3 ）改善了10~40 dB，靜電放電（ESD）保護(hù)能力提高了20倍,。此外,，UltraCMOS功率限幅器占用的電路板空間通常也小于PIN結(jié)二極管功率限幅器。最后,，UltraCMOS功率限幅器可通過低電流壓控管腳（VCTRL）調(diào)節(jié)限幅閾值,，無需配置隔直電容、射頻扼流電感器及偏置電阻器等外接元件,。

　　與其它UltraCMOS功率限幅器一樣,，PE45361也設(shè)有兩種工作模式：功率限幅和功率反射，從而最大程度地提高性能與靈活性,。用戶可通過可編程管腳VCTRL選擇模式,。在功率限幅模式下，限幅器對(duì)負(fù)載不起作用,。當(dāng)輸入射頻信號(hào)功率超過VCTRL設(shè)定的限幅閾值時(shí),，限幅器將限制輸入的射頻功率。在極端環(huán)境中使用功率反射模式時(shí),，限幅器將把大部分入射功率反射回功率源,。

　　產(chǎn)品特性、封裝,、價(jià)格與供貨

　　PE45361功率限幅器覆蓋10 MHz~6 GHz頻段,，可為高性能功率限幅應(yīng)用提供卓越的功率保護(hù)功能,。該限幅器可處理高達(dá)50 dBm或100瓦的大脈沖功率，可調(diào)限幅閾值為7 dBm~13 dBm,，正向閾值控制為0伏至0.3伏,。在6 GHz時(shí)，PE45361的低插入損耗為0.95 dB,，高回波損耗為12 dB,。PE45361的快速響應(yīng)時(shí)間僅為0.6納秒，迅捷恢復(fù)時(shí)間為1納秒,，線性度（IIP3）達(dá)37 dBm,。PE45361靜電放電功能極強(qiáng)，可達(dá)7 kV HBM,。

　　量產(chǎn)零件與評(píng)估工具現(xiàn)已上市,。PE45361采用緊湊型12引腳3x3 mm QFN封裝，訂購(gòu)1萬(wàn)片的價(jià)格為每片4.30美元,。