臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事,、代行董事長,，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出,，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM,，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn),，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利,，且時間會對長江存儲有利!下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧,。

長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢,、南京兩地,，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%,、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和湖北投資集團占24%,、紫光集團占51%，高啟全從2月底成為長江存儲的執(zhí)行董事,、代行董事長,。

高啟全獨家在DIGITIMES公開長江存儲在技術(shù)和量產(chǎn)的規(guī)劃，技術(shù)開發(fā)大本營在武漢,，現(xiàn)已投入3D NAND研發(fā),，2017年底提供32層3D NAND的樣本，將是公司技術(shù)自主的里程碑,，之后從事64層技術(shù),，待該技術(shù)成熟后，長江存儲才會投入3D NAND量產(chǎn),，屆時與三星電子(Samsung Electronics),、SK海力士(SK Hynix),、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術(shù)差距會縮短至一代左右。

再者,，長江存儲也考慮自己開發(fā)DRAM技術(shù),，可能的切入點是18/20納米制程，無論是3D NAND或是DRAM,，一定要自己掌握核心技術(shù),，不會再走過去臺灣技術(shù)授權(quán)的老路!

高啟全表示，無論是DRAM或3D NAND技術(shù),，最好的合作伙伴是美光,，但現(xiàn)在政治氣氛不對，美國對大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感,，因此洽談的時間會再延長,，但美光1年來全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗,，未來只會更辛苦,。

長江存儲分為武漢和南京12吋廠兩大據(jù)點，各自單月產(chǎn)能都是30萬片規(guī)劃,，外界對于這樣的產(chǎn)能規(guī)模,，以及何時量產(chǎn)都有很多疑問，他強調(diào),，12吋廠規(guī)劃不會是虛晃一招，但技術(shù)沒成熟前也絕對不會冒然投產(chǎn),，長江存儲的存儲器規(guī)劃是有計劃,、慢慢做，千秋大業(yè)是急不得,，我們也不會去打亂市場的行情,。

高啟全指出，這樣的12吋產(chǎn)能規(guī)模將會成為對抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器,，歡迎美光加入,，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達80%、NAND Flash高達60%,，不出幾年的時間,，南韓就會掌握全球90%的存儲器晶片，這是全世界都該害怕的事情,，三星是全球科技業(yè)的威脅,。

他進一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力,，對臺灣亦有利,，以大陸有計劃的布局可扮演此角色,，且只有大陸才有這個資源投入，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生,，也是大基金唯一真正投資的存儲器陣營,。

他分析，大陸每年進口的 芯片金額高達2,500億美元,，當(dāng)中以存儲器芯片為大宗,，但自己制造的主流DRAM和NAND Flash芯片卻是零，大陸有半導(dǎo)體政策要做,、出錢出力,、給時間讓技術(shù)落地生根，大家應(yīng)該更正面去看長江存儲的規(guī)劃和發(fā)展,。

他強調(diào),，3D NAND和DRAM技術(shù)絕對在大陸自主開發(fā)，技術(shù)不成熟時不會冒然投產(chǎn),，另外,，我們不會再走回過去臺灣技術(shù)授權(quán)的失敗老路，發(fā)展自有技術(shù)同時,，侵犯別人專利會付錢,，且長存已累積多個3D NAND專利，別人用到也要付費,，唯有合法來源取得技術(shù),，持續(xù)前進，才能吸引到全球人才,，打造國際級的規(guī)格,。