據(jù)報(bào)導(dǎo)，艾司摩爾（ASML）上周公布上季財(cái)報(bào)亮眼，并宣布已接到新一代極紫外光（EUV）微影機(jī)臺(tái)六部訂單,，有分析師推測(cè),，臺(tái)積電可能訂走了其中五臺(tái)，即一口氣買下5.5億美元的設(shè)備。
EUV機(jī)臺(tái)每臺(tái)價(jià)值1.1億美元。研究半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者的Summit Redstone Partners分析師耶爾（Jagadish Iyer）說：“我們相信他們（ASML）處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)，除非相信技術(shù)已經(jīng)成熟,，沒有業(yè)者會(huì)同時(shí)買下每臺(tái)1.1億美元的機(jī)臺(tái)?！彼J(rèn)為是一口氣訂購(gòu)五臺(tái)的客戶是臺(tái)積電,。
半導(dǎo)體顧問公司（SA）半導(dǎo)體分析師梅爾（RobertMaire）估計(jì)，ASML今年12部EUV機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能已滿載,。耶爾認(rèn)為,，今年半導(dǎo)體設(shè)備支出可能超過業(yè)界預(yù)測(cè)的350億美元，他說,，三星電子為奪回臺(tái)積電的訂單,，將會(huì)設(shè)法趕上并爭(zhēng)取半導(dǎo)體的生意。
臺(tái)積電為什么要耗費(fèi)巨資購(gòu)買EUV光刻機(jī),？
我們都知道半導(dǎo)體工藝越先進(jìn)越好,，用以衡量工藝進(jìn)步的就是線寬，常說的xx nm工藝就代表這個(gè),，這個(gè)數(shù)字越小就代表晶體管越小,，晶體管密度就越大。現(xiàn)在半導(dǎo)體公司已經(jīng)進(jìn)軍10nm工藝,，但面臨的物理限制越來越高,，半導(dǎo)體工藝提升需要全新的設(shè)備。EUV極紫外光刻機(jī)就是制程突破10nm及之后的7nm,、5nm工藝的關(guān)鍵,。因此臺(tái)積電對(duì)EUV那么捉急,。
而在這些工藝上的快讀推進(jìn),，謀求領(lǐng)先,，也是臺(tái)積電那么積極購(gòu)買EUV的原因之一。
臺(tái)積電聯(lián)系CEO劉德音在2016年的某個(gè)會(huì)議上公布了TSMC的2020路線圖,，認(rèn)為EUV光刻工藝在2020年時(shí)能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本,，TSMC計(jì)劃在5nm節(jié)點(diǎn)上應(yīng)用EUV工藝以提高密度、簡(jiǎn)化工藝并降低成本,。
目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節(jié)點(diǎn)研發(fā)上使用了EUV工藝,，實(shí)現(xiàn)了EUV掃描機(jī)、光罩及印刷的工藝集成,。TSMC表示目前他們有4臺(tái)ASML公司的NX:3400光刻機(jī)在運(yùn)行,，2017年Q1季度還會(huì)再購(gòu)買2臺(tái)。
之前有報(bào)道稱三星也購(gòu)買了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī),，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn),。
EUV是新一代半導(dǎo)體工藝突破的關(guān)鍵，但進(jìn)展一直比較緩慢,，至少比三星,、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節(jié)點(diǎn)就能用上EUV工藝，之后又說7nm節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)EUV工藝,，但現(xiàn)實(shí)情況并沒有這么樂觀,，現(xiàn)在他們的說法也是2020年的5nm節(jié)點(diǎn)，跟Intel的預(yù)計(jì)差不多了,。
TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個(gè)客戶完成流片,，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10,、聯(lián)發(fā)科X30（被海思,、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了）以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計(jì)就是這三家了,。
TSMC表示今年底之前還會(huì)有更多客戶的10nm芯片流片,，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。
至于7nm,，TSMC表示他們已經(jīng)提前256Mb SRAM芯片,，進(jìn)展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度,、功耗及性能方面要比對(duì)手更出色,，已經(jīng)有高性能客戶預(yù)計(jì)在2017年上半年流片，正式量產(chǎn)則是在2018年,。
至于5nm,，臺(tái)積電表示，在制程基地塵埃落定后，最快今年就可動(dòng)工,，目標(biāo)則是要在2020年量產(chǎn),，屆時(shí)將有望甩開三星與英特爾，獨(dú)步全球,。
臺(tái)積電南科廠目前主力制程為16納米,，后續(xù)10納米及7納米則是放在中科，而接續(xù)的5納米制程將會(huì)由南科廠來擔(dān)綱,。臺(tái)積電廠務(wù)處處長(zhǎng)莊子壽表示,，5 納米制程為未來2~3 年的計(jì)畫，目前仍在發(fā)展中,。而關(guān)于廠區(qū)部分,，則是規(guī)劃占地約40 公頃，投資金額上千億元,，待臺(tái)積電董事會(huì)通過后就會(huì)啟動(dòng),，最快今年將動(dòng)工。
據(jù)悉,，南科環(huán)差案能順利通過的原因,，是因?yàn)槟峡瞥兄Z未來將采用每日3.25噸的再生水取代農(nóng)業(yè)用水，包括永康再生水的1.25萬噸及日后臺(tái)積電將投資20億元自設(shè)再生水廠,，供應(yīng)2萬噸再生水,，供5納米制程使用。
環(huán)評(píng)委員李育明表示,，南科環(huán)差案自2014年底,，歷經(jīng)2年審查。因臺(tái)積電更新半導(dǎo)體制程,，需增加用水用電量,，因此依規(guī)定須辦理環(huán)差變更，如今環(huán)保署順利通過南科環(huán)差案,，也讓臺(tái)積電在未來的競(jìng)爭(zhēng)布局上再下一城,，又往前推進(jìn)一步。
臺(tái)積電自去年底陸續(xù)斬獲好消息,，在晶圓代工方面仍穩(wěn)居龍頭寶座,，市占率逼近六成，大幅領(lǐng)先格羅方德的11%與聯(lián)電的9%,。而半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)ICinsights更看好晶圓代工將在2021年達(dá)到721億美元的市場(chǎng),，對(duì)身為該領(lǐng)域龍頭的臺(tái)積電來說將是一大利多。
此外,，臺(tái)積電,、三星與英特爾之間先進(jìn)制程的戰(zhàn)局依舊如火如荼的展開,，三方比拼毫不手軟。從近期“戰(zhàn)況”來看,，在10納米制程上,，臺(tái)積電已趕在去年Q4進(jìn)入量產(chǎn)階段，最快今年Q1就可挹注營(yíng)收,。而三星進(jìn)度則是與之不相上下，至于去年靜悄悄的英特爾則是在今年CES展前記者會(huì)上才推出10納米產(chǎn)品,。但是業(yè)界仍看好臺(tái)積電在良率穩(wěn)定度上的優(yōu)勢(shì),，且在產(chǎn)能上亦具有經(jīng)濟(jì)規(guī)模優(yōu)勢(shì)，因此臺(tái)積電仍將在10納米市場(chǎng)上技高一籌,。
至于7納米布局,，臺(tái)積電則是狠狠甩開三星，據(jù)傳將在今年Q1正式展開試產(chǎn),。據(jù)了解,，目前臺(tái)積電7納米試投片情況十分順利，包括賽靈思（Xilinx）,、英偉達(dá)（NVIDIA）均將采用外,，高通（Qualcomm）也傳出將在7納米重回臺(tái)積電投片。
而業(yè)界則預(yù)估,，臺(tái)積電7納米將在2018年正式進(jìn)入量產(chǎn),，屆時(shí)將正式超越英特爾（Intel）7納米量產(chǎn)時(shí)程超過兩年。早前英特爾因征才啟示意外透露該公司可能于2021年才進(jìn)行7納米量產(chǎn),，也就是說,，若臺(tái)積電5納米順利在2020年量產(chǎn)，這將使臺(tái)積電一舉超越勁敵英特爾,，并將其推上在先進(jìn)芯片科技上的領(lǐng)導(dǎo)地位,。