長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形,。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手,？這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際,，這樣的選擇需要一番辯證,。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部,。

回歸基本面來(lái)看,。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖桑菰S其不斷的制程微縮,，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律,。DRAM 在很長(zhǎng)的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)（driving technology）,，也就是說(shuō)DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn),。半導(dǎo)體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產(chǎn)業(yè),，日本90年代的半導(dǎo)體霸業(yè),、臺(tái)灣,、韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，都與DRAM息息相關(guān),。如果不健忘的話,，臺(tái)灣的DUV、CMP,、12寸廠等先進(jìn)技術(shù)都是由DRAM廠率先引入,。
在2000年初后，邏輯與NAND的制程進(jìn)展相繼超越DRAM,，DRAM失去了其驅(qū)策技術(shù)的地位,。邏輯制程持續(xù)往平面微縮的方向前進(jìn)，能見(jiàn)度到3nm,，還有3,、4個(gè)世代可行；NAND往3D堆疊走,，這個(gè)方向能走多遠(yuǎn)尚未可知,，但是短時(shí)間內(nèi)碰不到物理極限，是比較技術(shù)面可克服的問(wèn)題,。
邏輯的平面制程微縮與NAND的3D堆疊同時(shí)是未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù),，大陸作為后發(fā)者選擇最近才興起、后面發(fā)展道路長(zhǎng)的驅(qū)策技術(shù)投入,，是比較合理的做法,。至于DRAM，已于20nm久滯,，雖然仍有機(jī)會(huì)繼續(xù)緩慢推進(jìn)到10nm,，但其制程技術(shù)主要是針對(duì)DRAM，很難嘉惠于其它產(chǎn)品,，戰(zhàn)略性比較不足,。
所以大陸選擇3D NAND重新出發(fā)，3D的制程技術(shù)還有機(jī)會(huì)應(yīng)用到其它產(chǎn)品,，譬如3D MRAM,。至于研發(fā)的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，由其所投資相應(yīng)的生產(chǎn)規(guī)模來(lái)看,，如果有盈余的話,，是有機(jī)會(huì)支撐持續(xù)的自主研發(fā)的。剩下來(lái)的問(wèn)題是NAND的技術(shù)靈不靈,？大陸NAND的技術(shù)授權(quán)引入研發(fā)已有好幾年了,，以前的表現(xiàn)頗有波折，就連二維平面NAND的生產(chǎn)也稱不上順利?，F(xiàn)在要當(dāng)成主要的產(chǎn)品并結(jié)合3D制程,，恐是個(gè)有點(diǎn)高風(fēng)險(xiǎn)的選擇,！