臺(tái)灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計(jì)第二（僅次于美國）的驕人成績(jī),，并沒有沾沾自喜,，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標(biāo),，這一點(diǎn)非常難能可貴。例如在臺(tái)灣島內(nèi)自2004年開始,，就半導(dǎo)體及平板顯示業(yè)展開大討論,，以南韓為目標(biāo)尋找差距，口號(hào)是“為什么韓國能,，臺(tái)灣不能,？”
通過分析與比較，臺(tái)灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的目標(biāo)是：1) 總產(chǎn)值要超過韓國,，成為繼美國,，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中,，存儲(chǔ)器業(yè)要超過韓國,，成為全球第一。
為什么選擇存儲(chǔ)器作為突破口,？
這是一個(gè)值得思考的好問題,。回顧80年代日本追趕美國,，以及90年代韓國追趕日本,，都是以存儲(chǔ)器作為突破口。原因是存儲(chǔ)器市場(chǎng)巨大,、設(shè)計(jì)技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單且易于擴(kuò)大市場(chǎng)份額,。
韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時(shí)，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì),，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的第一,。
臺(tái)灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時(shí),，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝,。結(jié)果臺(tái)灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲(chǔ)器第一與第二位,。
臺(tái)灣在存儲(chǔ)器方面重投資策略未能奏效
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)有個(gè)潛規(guī)則,，只要舍得投資就有可能成功。例如臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)在90年初代工模式剛興起時(shí),，年投資金額與年銷售額之比達(dá)60％以上,。
根據(jù)此理念,，臺(tái)灣地區(qū)從2004年開始加速存儲(chǔ)器方面的投資。例如從2004至2008年期間,，臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器方面的總投資達(dá)300億美元以上,，擁有近20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一,，大大超出同期三星的投資,。但是最終并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，日前臺(tái)灣地區(qū)已宣布放棄存儲(chǔ)器追趕策略,，而轉(zhuǎn)向固守陣地。臺(tái)灣DRAM和三星投資比較,，如下圖所示,。
臺(tái)灣DRAM與三星在投資方面的比較
原因初探
臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的,，也可以認(rèn)為臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體策略上的一次重大失誤,。據(jù)筆者觀察有以下三個(gè)主要原因：
首先，臺(tái)灣地區(qū)在發(fā)展存儲(chǔ)器業(yè)中主要采用代工模式,，而代工模式在DRAM中以失敗告終,。
眾所周知，在DRAM產(chǎn)業(yè)中有兩個(gè)趨勢(shì)已成為共識(shí),。一個(gè)是工藝制程轉(zhuǎn)變快,，緊跟摩爾定律。由于存儲(chǔ)器的產(chǎn)品設(shè)計(jì)上相對(duì)簡(jiǎn)單,，無多大差異,。例如在12英寸晶圓中，同為512Mb DDR2產(chǎn)品,，在相同工藝制程下,，假設(shè)成品率均為85％時(shí)，90nm制程每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數(shù)量為750至1050個(gè),，70nm制程則是1350至1420個(gè),，成本差距達(dá)40％以上。所以目前全球DRAM業(yè)紛紛從70nm制程加快轉(zhuǎn)進(jìn)6x-5xnm制程,。
另一個(gè)是月產(chǎn)能達(dá)15萬片的超級(jí)大廠盛行,，投資高達(dá)50-80億美元。主要原因是出于運(yùn)營成本的考慮,，運(yùn)行3個(gè)5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個(gè)15萬片晶圓廠,。按此理分析，代工廠的產(chǎn)能小,，無法與IDM廠競(jìng)爭(zhēng),。當(dāng)產(chǎn)能足夠大時(shí)，一來代工廠擔(dān)心未來訂單不足而猶豫擴(kuò)充產(chǎn)能，同時(shí)那些IDM廠又擔(dān)心代工廠會(huì)與自己爭(zhēng)奪客戶,。另外,，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進(jìn)制程的產(chǎn)品交給代工廠。因此,，代工模式在DRAM業(yè)中受到質(zhì)疑,，中芯國際于2007年退出存儲(chǔ)器代工可能也是基于此理。
再有一個(gè)原因,，臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器業(yè)中缺乏自己應(yīng)有的技術(shù),，過多的依賴于技術(shù)轉(zhuǎn)移。例如力晶與爾必達(dá),，茂德與海力士及華亞科與奇夢(mèng)達(dá)（現(xiàn)在的美光）,，這三對(duì)都是前者依賴于后者的技術(shù)，因而臺(tái)系廠缺乏自已應(yīng)有的技術(shù),，等于沒有脊梁,。這也是臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器追趕韓國失敗的主要原因。
最后一個(gè)原因是全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)未能達(dá)到預(yù)期,。而目前幾乎2/3的新建或擴(kuò)充產(chǎn)能集中在存儲(chǔ)器業(yè)中,。從市場(chǎng)分析，推動(dòng)全球存儲(chǔ)器業(yè)再次躍起有如下幾個(gè)潛在因素：Vista操作系統(tǒng)的普及,，全球服務(wù)器和數(shù)據(jù)處理中心中存儲(chǔ)器的更替,，以及筆記本和移動(dòng)多媒體中SSD的推廣。因種種原因市場(chǎng)并未如預(yù)期那么大,，而前幾年的投資開始發(fā)酵,，造成供過于求的局面，最終導(dǎo)致DRAM和NAND閃存價(jià)格的持續(xù)下跌完全超出市場(chǎng)預(yù)期,。
臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器業(yè)經(jīng)過近5年努力,，花費(fèi)300億美元以上的投資，結(jié)果未能超過韓國,。一方面表明韓國在存儲(chǔ)器方面的實(shí)力之強(qiáng)大,；另一方面也證明“金錢不是萬能的”，挑戰(zhàn)了半導(dǎo)體業(yè)的潛規(guī)則,。