三星電子和英特爾將大幅拓展晶圓代工事業(yè)領域,。過去掌握晶圓代工市場的臺積電,、格羅方德等單純晶圓代工業(yè)者，和三星,、英特爾等綜合半導體企業(yè)(IDM)憑借各自的優(yōu)勢,，形成競爭版圖,。

　　據(jù)韓國朝鮮日報報導，三星在大陸上海舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)，以海思半導體,、展訊,、聯(lián)發(fā)科等IC設計業(yè)者為對象進行技術說明會。

　　三星大陸負責人崔哲(音譯)在100多名業(yè)界與會人士面前公開三星最尖端的10納米,、14納米制程,，并介紹8寸制程等可提升成本效益。

　 　韓國業(yè)界認為,，三星將以本次活動為起點,，積極在大陸確保晶圓代工客戶。三星自數(shù)年前開始逐漸降低對最大客戶蘋果(Apple)的依賴,，為吸引新客戶,，扶 植晶圓代工技術。2014年三星也與意法半導體(ST)合作,，開始研發(fā)28納米完全空乏式(depletion-type)絕緣上覆矽(FD-SOI)技 術,。

　　FD-SOI制程是在矽晶圓上制造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導體制程,。因外泄電流量少,，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產(chǎn)成本,。2015年3月三星完成FD-SOI產(chǎn)品測試階段,，目前也完成商用化生產(chǎn)準備。

　　韓國半導體業(yè)界人士表示,，移動應用處理器(AP)等高集成芯片一般會使用傳統(tǒng)3D FinFET制成,，結合類比電路的無線通訊(RF)芯片等，仍最適用FD-SOI制程,。三星為生產(chǎn)處理器之外的芯片,，一定會使用FD-SOI制程。

　 　全球半導體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場上拓展領域,。韓國業(yè)界先前預測英特爾2011年進軍晶圓代工市場,，而英特爾也透過與樂金電子(LG )、展訊,、拓朗半導體(Altera)等大客戶合作,，正式跨足市場。近來英特爾獲得ARM設計授權,，2017年下半將運用10納米制程,，生產(chǎn)樂金手機AP 產(chǎn)品。

　　三星,、英特爾等IDM大廠加強對晶圓代工市場攻略的理由,，是因相關市場獲利性將持續(xù)成長,。半導體微細制程轉換逐漸進入瓶頸，IC設計業(yè)者委托生產(chǎn)具一定水準的芯片的成本也逐漸攀升,。

　　有資料顯示,，2016年半導體整體市場將出現(xiàn)2%負成長，但晶圓代工領域的成長率預估有9%,。

　　另一方面,，臺積電獨吞逾5成市占率的晶圓代工市場版圖,，是否會因三星和英特爾的攻勢出現(xiàn)變化,，受到市場關注。

　　韓國業(yè)界認為在生產(chǎn)效益方面,，臺積電,、格羅方德等專門晶圓代工業(yè)者握有優(yōu)勢，但在微細制程,、封裝等高難度制程方面,，三星和英特爾則較為領先。