DRAM與NAND Flash大漲價,,在三星、SK海力士兩大韓國重量級業(yè)者主導(dǎo)下,,第4季DRAM將再漲價逾一成,,累計下半年大漲逾25%,,漲幅最兇猛,NAND同步跟進(jìn),,華邦,、南亞科、群聯(lián)等營運(yùn)喊沖,。
存儲器通路商表示,,三星新款智能機(jī)Note 7驚傳電池爆炸意外,集團(tuán)營運(yùn)壓力大,,肩負(fù)三星集團(tuán)獲利逾八成重?fù)?dān)的半導(dǎo)體部門,,決定拉升DRAM和NAND售價,希望借此抵銷龐大手機(jī)回收造成獲利下滑的壓力,;眼見三星大漲價,,SK海力士也趁勢調(diào)漲價格。
三星和SK海力士先前已陸續(xù)于8月調(diào)漲DRAM報價,,通路商透露,,近期二大韓系廠再通知客戶,9月和第4季漲勢持續(xù),,顯示二大存儲器芯片廠已不樂見 DRAM價格長期低迷,,趁下半年手機(jī)廠、筆電廠和伺服器廠都為新產(chǎn)品布局,買氣加溫時,,同步拉升DRAM和NAND售價,,以DRAM漲勢最為明顯,繼第3 季合約價漲價15%之后,,第4季會再調(diào)漲10%,。
存儲器通路商分析,兩大韓系業(yè)者持續(xù)漲價,,除了三星希望能穩(wěn)住獲利,,彌補(bǔ)Note 7大量回收的損失之外,各大品牌手機(jī)為因應(yīng)高解析影響處理和儲存需求,,新機(jī)搭載DRAM和NAND容量都大幅提升,,也是“漲價有理”的關(guān)鍵,。
例如蘋果iPhone 7新機(jī)的DRAM搭載量由原2GB推升至3GB,,部分非蘋機(jī)種更上推至6GB,都是以驚人的幅度成長,,筆電廠和資料中心所需的伺服器存儲器需求成長性更為驚人,。
此外,第4季進(jìn)入歐美及亞洲零售旺季,,包括感恩節(jié),、耶誕節(jié)及雙十一光棍節(jié)等,各大科技廠都競相備貨搶食商機(jī),,韓系大廠在蘋果等主要大廠已包下大部分產(chǎn)能之后,,調(diào)升售價,借由漲勢催促通路端和委托制造代工(OEM)大廠備貨,。
同時,,韓系大廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向移動式記憶體和NAND,造成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM缺貨,,不僅近期標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨價回升,,估計第4季漲勢也會以標(biāo)準(zhǔn)型DRAM最明顯,漲幅恐逾一成,、甚至可達(dá)15%,;移動DRAM漲幅估計也會不小,華邦,、南亞科,、華亞科等臺廠后市看俏。
NAND市場方面,,因OEM端客戶不看好非三星陣營3D NAND新制程進(jìn)度,,加上企業(yè)級和筆電固態(tài)硬盤(SSD)需求快速升提升,下游擔(dān)心導(dǎo)致供應(yīng)吃緊,,已出現(xiàn)搶料,,價格同步看漲,。