國際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SEMI）公布數(shù)據(jù)顯示,，7月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比（B/B值）為1.05，并已連續(xù)8個(gè)月守穩(wěn)在1以上,，表明全球晶圓代工廠與存儲(chǔ)器設(shè)備投資加快,。另外,，今年全球主要集成電路制造企業(yè)的資本支出呈正增長(zhǎng)。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),，今年全球集成電路產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂|底回暖,。

　　數(shù)據(jù)顯示，2016年至2017年,，全球預(yù)計(jì)新建晶圓廠19座,。其中,，10座將建于我國，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能正加速向我國轉(zhuǎn)移,。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),，到2019年，我國集成電路企業(yè)銷售額增速將維持在25%至30%,。

　　存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出最高的領(lǐng)域,，占整個(gè)行業(yè)的38%。存儲(chǔ)器作為我國集成電路支柱產(chǎn)業(yè),，目前主要依賴進(jìn)口,。數(shù)據(jù)顯示，僅去年前三季度,，我國采購了120 億美元的DRAM 和66.7 億美元的NAND flash,，分別占到全球消費(fèi)量的 21.6%和29.1%。存儲(chǔ)器是我國半導(dǎo)體行業(yè)四大產(chǎn)品類型中自給率最低的一個(gè),，未來具有較大的發(fā)展空間,。

　　目前，我國正斥巨資啟動(dòng)國家存儲(chǔ)器戰(zhàn)略,。今年3月,，總投資240億美元的存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動(dòng)。據(jù)了解,，這一存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目的主要產(chǎn)品為3D NAND,，預(yù)計(jì)到2020年將形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年有望建成每月100萬片的產(chǎn)能,。另外,，紫光集團(tuán)已明確旗下紫光國芯為其存儲(chǔ)平臺(tái)，并已定增800億元用于存儲(chǔ)器戰(zhàn)略,。但由于存儲(chǔ)器行業(yè)門檻高,，我國在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器領(lǐng)域很難短期內(nèi)趕超國外同行，所以新型存儲(chǔ)器將成為我國彎道超車的最佳選擇,。

　　目前,，存儲(chǔ)器市場(chǎng)的三大主流產(chǎn)品分別為DRAM、NAND Flash和NOR Flash,。不論是NAND 還是DRAM,，在成本和性能等方面都漸漸開始顯露疲態(tài)，因此各大存儲(chǔ)器龍頭均在積極發(fā)展新型存儲(chǔ)器,。

　　研究認(rèn)為,，在政策的大力支持下，國內(nèi)企業(yè)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了較大發(fā)展。在3D NAND 方面,，去年武漢新芯攜手Spansion已經(jīng)在存儲(chǔ)器研發(fā)上取得進(jìn)展,，具有9層結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器芯片下線；在PCM和RRAM等新型存儲(chǔ)器方面,，國內(nèi)也有不少企業(yè)和科研單位進(jìn)行探索,，目前我國新型存儲(chǔ)器的專利擁有數(shù)已大大超過DRAM和NAND，和國內(nèi)龍頭企業(yè)的差距相對(duì)來說也較小,。

　　去年我國存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2842.7億元,，市場(chǎng)份額達(dá)54.1%。隨著一系列扶持政策的加速落實(shí),，集成電路產(chǎn)業(yè)投資力度將逐年加大,，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展新機(jī)遇，耗材,、裝備和封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上下游領(lǐng)域均有望受益,。