0 引言

　　互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了強(qiáng)大的動(dòng)力,，在制作微型化、快速,、低成本的電子產(chǎn)品方面取得了巨大的成功[1],。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,，CMOS晶體管的特征尺寸進(jìn)入納米級(jí)別，CMOS正面臨巨大的發(fā)展瓶頸,，柵極泄漏,、短溝道效應(yīng)、結(jié)漏等[2-3]極大地阻礙了微電子技術(shù)的發(fā)展,，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的出現(xiàn)在很大程度上彌補(bǔ)了半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的不足,。微納機(jī)電開(kāi)關(guān)是在微機(jī)電系統(tǒng)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的特征尺寸在微米或納米量級(jí)內(nèi)的機(jī)械開(kāi)關(guān)，包括微機(jī)電（MEMS）開(kāi)關(guān)和納機(jī)電（NEMS）開(kāi)關(guān),。微納機(jī)電開(kāi)關(guān)具有體積小,、速度快、功耗低等特點(diǎn),，由于物理氣隙的存在,，其斷路時(shí)的泄漏電流幾乎為0，而且具有延遲效應(yīng),。隨著科技的進(jìn)步,，航空航天、通信,、計(jì)算機(jī)等高端前沿領(lǐng)域?qū)Φ凸奈⑿推骷男枨笞兊糜葹槠惹?，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)已不能滿足這種需求的同時(shí)，微納機(jī)電關(guān)極可能擔(dān)當(dāng)起這一重要使命,。

1 微納機(jī)電開(kāi)關(guān)應(yīng)用

　　微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的研究受到了各國(guó)學(xué)者的重視,，目前，部分微納機(jī)電開(kāi)關(guān)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用,，特別是在MEMS開(kāi)關(guān)與射頻器件的結(jié)合方面,。隨著通信技術(shù)的發(fā)展，小體積,、低功耗,、高性能、多功能的射頻設(shè)備成為無(wú)線電領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì),，射頻器件朝著微型化和集成化的方向發(fā)展,，對(duì)電感、電容,、濾波器等的Q值,、阻抗匹配、隔離度提出了更高的要求,。MEMS開(kāi)關(guān)在射頻器件上的應(yīng)用為解決上述問(wèn)題提供了突破口,，RF MEMS開(kāi)關(guān)具有寬帶、低損耗,、線性等優(yōu)點(diǎn),。經(jīng)過(guò)20余年的發(fā)展,，RF MEMS開(kāi)關(guān)已經(jīng)成為射頻器件中不可或缺的一員，其應(yīng)用領(lǐng)域也擴(kuò)展到防御應(yīng)用的雷達(dá)系統(tǒng),、衛(wèi)星通信系統(tǒng),、無(wú)線電通信系統(tǒng)、儀器系統(tǒng)等,。MEMS開(kāi)關(guān)在射頻領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用已經(jīng)趨于成熟,，性能也得到了大幅度的提升。Babak Yousefi Darani等人在2011年研制的微機(jī)電射頻開(kāi)關(guān)通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電極的面積使驅(qū)動(dòng)電壓降到了1.3 V,，且電學(xué)性能良好,，能夠通過(guò)共面波導(dǎo)傳輸線應(yīng)用在2 GHz～6 GHz頻段中，插入損耗僅為-0.16 dB,，而斷開(kāi)時(shí)的隔離度則高達(dá)-35 dB[4],。RF MEMS開(kāi)關(guān)在不停的循環(huán)工作中容易誘發(fā)疲勞失效，因此對(duì)穩(wěn)定性有較高的要求,。2013年David等人制作了一種RuO2-Au接觸開(kāi)關(guān),，接觸電阻小于4 Ω，在10 GHz的工作頻段下插入損耗為0.4 dB,，隔離度28 dB[5],，能夠連續(xù)工作100億次，極大地提高了使用壽命,。國(guó)內(nèi)的學(xué)者在RF MEMS開(kāi)關(guān)的研究中也做出了突出貢獻(xiàn)，東南大學(xué)的研究者將射頻微機(jī)電開(kāi)關(guān)的應(yīng)用頻率提高到了40 GHz,，同時(shí)工作電壓降到了0.3～0.55 V之間,，插入損耗小于-0.5 dB，隔離度大于-30 dB,，這種開(kāi)關(guān)能夠應(yīng)用在甚寬帶通信設(shè)備中[6],。隨著研究的進(jìn)一步深入，相信MEMS開(kāi)關(guān)在射頻器件中的應(yīng)用會(huì)得到更寬的擴(kuò)展,。

　　在過(guò)去的幾十年中,，最先進(jìn)的微處理芯片上晶體管數(shù)量已經(jīng)從4.2×108增加到了3×1010[7]。隨著CMOS晶體管的尺寸進(jìn)入納米量級(jí),，功耗逐漸成為CMOS晶體管不可忽視的問(wèn)題[8],，而且電子元器件經(jīng)常性充放電所造成的泄漏功耗也將降低系統(tǒng)的使用壽命。作為一種機(jī)械開(kāi)關(guān),，NEMS開(kāi)關(guān)不存在CMOS晶體管在納米量級(jí)內(nèi)所面臨的問(wèn)題,。與MEMS開(kāi)關(guān)相比，NEMS開(kāi)關(guān)的體積更小,、速度更快,。目前,，NEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用主要集中在數(shù)字邏輯電路和非易失存儲(chǔ)器上。雖然NEMS開(kāi)關(guān)還處在實(shí)驗(yàn)研究階段,，但是已有相關(guān)學(xué)者在該領(lǐng)域取得了重大突破,。Weon Wi Jang等人在2007年研制的一種適用于記憶芯片的NEMS靜電開(kāi)關(guān)[9]可以克服泄漏電流對(duì)場(chǎng)效晶體管的限制，應(yīng)用在非易失存儲(chǔ)器中,。測(cè)試結(jié)果表明,，該微型開(kāi)關(guān)具有良好的開(kāi)/關(guān)特性，亞閾值擺幅接近于零（約為4 mV/decade）,，開(kāi)關(guān)的閉合時(shí)間達(dá)到了3 μs,。2013年國(guó)外的Daesung Lee用一種NEMS開(kāi)關(guān)成功組合成了一個(gè)2-1邏輯轉(zhuǎn)換門(mén)電路[10]，并可以根據(jù)二元決策圖實(shí)現(xiàn)任何邏輯功能,，Daesung Lee的研究工作展示了NEMS開(kāi)關(guān)在邏輯電路中的巨大潛能,。

2 微納機(jī)電開(kāi)關(guān)分類

　　微納機(jī)電開(kāi)關(guān)根據(jù)不同的形式可以分為很多類。按照尺寸的大小可以分為微機(jī)電（MEMS）開(kāi)關(guān)和納機(jī)電（NEMS）開(kāi)關(guān),，微機(jī)電開(kāi)關(guān)的特征尺寸在微米量級(jí),，而納機(jī)電開(kāi)關(guān)的特征尺寸在納米量級(jí)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的不同則可以分為熱驅(qū)動(dòng)型,、壓電型,、電磁型和靜電型[11]。相比其他類型的微型開(kāi)關(guān),，靜電驅(qū)動(dòng)型微機(jī)械開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、控制方便，而且功耗小,、響應(yīng)頻率高,、便于集成，這類開(kāi)關(guān)的研究起始早,，原理成熟,，是目前微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的研究熱點(diǎn)。

　　微納機(jī)電開(kāi)關(guān)根據(jù)驅(qū)動(dòng)方向的不同又可以分為橫向型和縱向型,，這兩種類型的微納開(kāi)關(guān)也有各自的優(yōu)缺點(diǎn),。最初的研究多集中在縱向型，縱向結(jié)構(gòu)更符合微細(xì)加工自上而下的工藝方式,，可以方便地優(yōu)化彈性梁結(jié)構(gòu),，驅(qū)動(dòng)電極面積、氣隙大小等結(jié)構(gòu)參數(shù),，驅(qū)動(dòng)電壓能降到很低,，但同時(shí)也會(huì)增加器件尺寸、加大制作難度。其制作工藝往往需要多次光刻,，由此產(chǎn)生的套準(zhǔn)誤差將影響開(kāi)關(guān)的性能,。近年來(lái)對(duì)于微型開(kāi)關(guān)的研究越來(lái)越趨向于橫向驅(qū)動(dòng)型,。與縱向型微型開(kāi)關(guān)相比,，橫向驅(qū)動(dòng)納機(jī)電靜電開(kāi)關(guān)有很大的優(yōu)勢(shì)[12]：（1）大多數(shù)的橫向微型開(kāi)關(guān)僅需要一次光刻，工藝簡(jiǎn)單,，不存在多次光刻產(chǎn)生的對(duì)準(zhǔn)誤差,；（2）尺寸和形狀選擇性大；（3）容易封裝,；（4）便于集成,。但是橫向開(kāi)關(guān)只能制作一些簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，對(duì)異形梁等復(fù)雜結(jié)構(gòu)則無(wú)能為力,，且其氣隙是由光刻精度決定的,，因此橫向驅(qū)動(dòng)的微納機(jī)電開(kāi)關(guān)受工藝限制較大。圖1和圖2分別為兩種不同類型的微納機(jī)電開(kāi)關(guān),。

　　根據(jù)端口數(shù)量,，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)可以分為兩端口型、三端口型和四端口型[15],。兩端口微納機(jī)電開(kāi)關(guān)僅由彈性梁和一個(gè)電極組成,，該電極同時(shí)作為驅(qū)動(dòng)電極和接觸電極，這種類型的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,，但是驅(qū)動(dòng)電壓偏大,，且在閉合時(shí)控制電路會(huì)與工作電路產(chǎn)生干涉，因此實(shí)用性不強(qiáng),；三端口微納機(jī)電開(kāi)關(guān)在兩端口類型的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)電極,，實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)電極和接觸電極的分離，無(wú)論斷開(kāi)還是閉合,，驅(qū)動(dòng)電極都不參與開(kāi)關(guān)的工作電路，但是彈性梁在閉合后仍然兼具電極的功能,；四端口微納機(jī)電開(kāi)關(guān)在接觸電極和彈性梁之間加了一層絕緣介質(zhì),，彈性梁和驅(qū)動(dòng)電極只起控制作用，控制電路和工作電路是完全隔離的,，主要劣勢(shì)是制作工藝復(fù)雜,。目前微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的研究主要集中在三端口類型。

3 微納機(jī)電開(kāi)關(guān)研究進(jìn)展

　　微納機(jī)電開(kāi)關(guān)作為一個(gè)極具潛力的領(lǐng)域經(jīng)過(guò)近30年的發(fā)展,，在尺寸,、速度、閾值電壓、穩(wěn)定性等方面取得了巨大突破,。隨著電子設(shè)備朝著微型化,、集成化、高精度化的方向發(fā)展,，小尺寸逐漸成為評(píng)定微納機(jī)電開(kāi)關(guān)性能的標(biāo)準(zhǔn)之一,。微細(xì)加工工藝的發(fā)展促進(jìn)了微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的小型化，目前,，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的特征尺寸已經(jīng)從上世紀(jì)90年代的亞毫米級(jí),、微米級(jí)進(jìn)入了納米量級(jí)，其中彈性梁尺寸和氣隙能達(dá)到20 nm左右,。Davidson等人便通過(guò)原子層沉積（ALD）技術(shù)成功將微型開(kāi)關(guān)的運(yùn)動(dòng)氣隙縮小到了20 nm[16],。更小的尺寸不僅意味著更輕的質(zhì)量、更小的占用面積,，而且能在很大程度上縮小驅(qū)動(dòng)電壓,。2010年FENG X L制作出了一種NEMS開(kāi)關(guān)，通過(guò)將彈性梁的寬度和氣隙減小到25 nm,，使得閾值電壓僅為1.5 V[17],，如圖3所示。隨著電子束光刻等超精細(xì)加工技術(shù)的出現(xiàn),，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的尺寸和閾值電壓將會(huì)進(jìn)一步減小,。

　　除了尺寸和閾值電壓，穩(wěn)定性和速度也是反應(yīng)微納機(jī)電開(kāi)關(guān)性能好壞的重要指標(biāo),。在最初的研究中,，受限于材料和工藝條件，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的穩(wěn)定性很差,，不停的閉合工作往往導(dǎo)致疲勞失效,，器件僅能正常工作幾百次甚至幾十次。近年來(lái)微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的穩(wěn)定性得到了大幅提高,，從2010年的1 000次[18]到2011年的5 000 000次[19],，再到2012年的109次[15]，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的壽命正以指數(shù)形式增長(zhǎng),，在穩(wěn)定性方面已經(jīng)能滿足實(shí)際應(yīng)用需求,。微納機(jī)電開(kāi)關(guān)在工作過(guò)程中存在機(jī)械延遲，這種特性能被應(yīng)用到非易失存儲(chǔ)器中,，但同時(shí)也增加了器件的響應(yīng)時(shí)間,，而且由于受實(shí)際加工工藝的影響，氣隙,、彈性梁等尺寸參數(shù)不可能無(wú)限減小,，多方面的因素使得響應(yīng)時(shí)間成為微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的發(fā)展障礙。目前，場(chǎng)效晶體管的響應(yīng)時(shí)間在10 ns之內(nèi),，而微米級(jí)別的機(jī)電開(kāi)關(guān)仍然停留在微秒甚至毫秒級(jí)別,，雖然可以通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電壓縮短響應(yīng)時(shí)間，但是工作電壓的增加勢(shì)必會(huì)影響微納機(jī)電開(kāi)關(guān)與CMOS器件的集成,。理論分析表明,，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的速度與器件的尺寸是成反比關(guān)系的，隨著微型開(kāi)關(guān)的特征尺寸進(jìn)入納米量級(jí),，其響應(yīng)時(shí)間也縮短到了納秒級(jí)別,。在Rhesa Nathanael[15]設(shè)計(jì)的微納機(jī)電開(kāi)關(guān)中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為7.6 V時(shí),，開(kāi)關(guān)的響應(yīng)時(shí)間為100 ns左右,。而根據(jù)KAM H[20]等人的研究，如果微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的尺寸能減小到90 nm,，那么其響應(yīng)時(shí)間將能縮減至10 ns,，已與晶體管處于同一水平內(nèi)。

　　金屬良好的導(dǎo)電性和易得性使其成為研究微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的主要材料,，隨著研究的深入,，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的材料選擇正朝著多元化的方向發(fā)展，已由最初的金屬擴(kuò)展到了半導(dǎo)體和陶瓷等材料,。2004年出現(xiàn)了以碳納米管為結(jié)構(gòu)材料的NEMS開(kāi)關(guān)[21],，該開(kāi)關(guān)的初始?xì)庀稙?50 nm，閾值電壓在6 V左右,，在邏輯電路,、記憶單元、脈沖發(fā)射器,、電流/電壓放大器等高頻率吉赫茲電子器件中有著廣闊的應(yīng)用前景,。碳納米管具有良好的物理和化學(xué)性質(zhì)，它的重量輕,、強(qiáng)度高,、耐腐蝕，是制作微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的理想材料,，但是碳納米管在制作過(guò)程中數(shù)量和位置的不確定性阻礙了其在微納機(jī)電開(kāi)關(guān)上的應(yīng)用,。2008年，Weon Wi Jang[22]將目光投向了高熔點(diǎn),、高硬度、耐磨損,、導(dǎo)電性良好的TiN金屬陶瓷材料,，并將其成功應(yīng)用到微納機(jī)電開(kāi)關(guān)中，研制成功了包括彈性梁式固支梁式的TiN開(kāi)關(guān)，如圖4所示,。其中,，彈性梁式開(kāi)關(guān)泄漏電流為零，亞閾值擺幅小于3 mV/decade,，遠(yuǎn)小于CMOS器件在室溫下的理論極限值60 mV/decade,。為了能與CMOS結(jié)合以及實(shí)現(xiàn)更好的集成度，多晶硅也正被越來(lái)越多的應(yīng)用到微納機(jī)電開(kāi)關(guān)中,，但是鑒于多晶硅的導(dǎo)電性并不是十分理想,，往往需要在其表面生長(zhǎng)一層高導(dǎo)電性物質(zhì)。圖1便是用多晶硅制作的微納機(jī)電開(kāi)關(guān),，為了防止開(kāi)關(guān)在閉合的過(guò)程中產(chǎn)生“微焊接”并增加導(dǎo)電性,，在鍺硅上淀積了一層金屬鎢，其最小氣隙為50 nm,，驅(qū)動(dòng)電壓能夠降到2 V左右,，整個(gè)開(kāi)關(guān)的占用面積僅為4 μm2，而且具有很高的穩(wěn)定性[13],。材料等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展會(huì)繼續(xù)擴(kuò)展微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的材料選擇,，越來(lái)越多的新物質(zhì)將會(huì)被應(yīng)用進(jìn)來(lái)。

　　微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的高速發(fā)展得益于微加工技工技術(shù)的逐漸成熟,。作為MEMS技術(shù)的一個(gè)重要分支,，微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的制作工藝在初期的研究中多采用MEMS加工技術(shù)，如表面微加工技術(shù),、體硅微加工技術(shù)和紫外光刻技術(shù)等,，隨著微加工技術(shù)的發(fā)展，目前微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的制作包含了氣相淀積（CVD）,、紫外光刻技術(shù)（UV-LIGA）,、磁控濺射、原子層淀積（ALD）,、犧牲層釋放技術(shù),、離子注入、摻雜等多種工藝[23-24],。微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的制作正朝著CMOS技術(shù)的方向擴(kuò)展,，CMOS與MEMS器件相結(jié)合將是微納機(jī)電開(kāi)關(guān)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。與傳統(tǒng)的MEMS工藝相比,，CMOS與MEMS的結(jié)合具有以下優(yōu)點(diǎn)：（1）CMOS的標(biāo)準(zhǔn)化能大大降低設(shè)備和材料成本,。（2）可集成化程度高，縮短了器件的研發(fā)周期,。（3）CMOS工藝提高了MEMS/NEMS器件的性能和可靠性,。

4 結(jié)語(yǔ)

　　雖然微納機(jī)電開(kāi)關(guān)在近幾年取得了重要進(jìn)展,，但是仍有很長(zhǎng)的路要走。目前,，阻礙微納機(jī)電開(kāi)關(guān)發(fā)展的因素主要有兩種：一是現(xiàn)有加工技術(shù)的限制,，雖然MEMS加工技術(shù)和CMOS技術(shù)已經(jīng)非常成熟，但是能夠制作特征尺寸在納米量級(jí)內(nèi)器件的手段仍然非常有限,，而且大都十分昂貴,。另一因素則是器件縮小至納米量級(jí)內(nèi)時(shí)引起的物理、化學(xué)等性質(zhì)的變化,，如毛細(xì)力,、范德華力等，解決這一障礙牽涉到機(jī)械,、物理,、化學(xué)、數(shù)學(xué)等多門(mén)學(xué)科,，需要研究者具有扎實(shí)的理論知識(shí),。將來(lái)對(duì)微納機(jī)電開(kāi)關(guān)的研究工作應(yīng)集中在減小開(kāi)關(guān)尺寸、降低閾值電壓,、增加響應(yīng)速度,、消除粘附力等方面。而在加工工藝方面,，為了實(shí)現(xiàn)與CMOS器件的集成,，CMOS技術(shù)在微納機(jī)電開(kāi)關(guān)上的應(yīng)用將是未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。

參考文獻(xiàn)

　　[1] PARSA R,，SHAVEZIPUR M,，LEEK W S，et al.Nanoelec-tromechanical relays with decoupled electrode and suspen-sion[C].Micro Electro Mechanical Systems(MEMS),，2011 IEEE 24th International Conference.Cancun,，Mexico，2011：1361-1364.

　　[2] MEINDL J D,，CHEN Q,，DAVIS J A.Limits on silicon nanoelectronics for terascale integration[J].Science，2001,，293：2044-2049.

　　[3] FRANK D J,，DENNARD R H，NOWAK E,，et ａｌ.Device scaling limits of Si MOSFETs and their application depen-dencies[J].Proc IEEE,，2001，89：259-88.

　　[4] Yousefi Darani B,，Abbaspour Sani E,，Shayanfar R,，et al.Low actuation voltage RF MEMS switch for WiMAX appli-cations[C].RF and Microwave Conference,Seremban，Negeri Sembilan,，2011：351-355.

　　[5] CZAPLEWSKI D A，NORDQUIST C D.RF MEMS switches with RuO2-Au contacts cycled to 10 billion cycles[J].Journal of Microelectro Mechanical Systems,，2013,，22(3)：655-661.

　　[6] Zhu Yanqing，Han Lei,，Wang Lifeng.A novel three state RF MEMS switch for ultrabroadband(DC-40 GHz) applica-tions[J].Electron Device Letters,，2013，34(8)：1062-1064.

　　[7] Intel.Your source for Intel product information.[DB/OL].[2015-03-30].http：//ark.intel.com/.

　　[8] ZHIRNOV V V,CAVIN R K,HUTCHBY J A,，et al.Limits to binary logic switch scaling-a gedanken model[J].Proceedings of the IEEE,，2003，91(11)：1934-1939.

　　[9] Weon Wi Jang,，Jeong Oen Lee.A dram-like mechanical non-volatile memory[C].Solid-State Sensors,，Actuators and  Microsystems Conference，Lyon,，F(xiàn)rance,，2007：2187-2190.

　　[10] Daesung Lee，Lee W S.Combinational logic design using six-terminal NEM relays[J].Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems,，2013,，32(5)：653-666.

　　[11] RUAN M，SHEN J,，WHEELER C B.Latching micromag-netic relays[J].IEEE JMEMS,，2001,10：511-517.

　　[12] Roozbeh Parsa.Nanoelectromechanical relays for low power applications[D].California:Stanford University，2011.

　　[13] Jack Yaung.NEM relay scaling for ultra-low power digitallogic[D].California：University of California,，Berkeley,，2013.

　　[14] HINCHET R，MONTES L.Electrical and mechanical char-acterization of lateral NEMS switches[C].Design,，Test,，Integration and Packaging of MEMS/MOEMS(DTIP)，Aix-en-Provence,，F(xiàn)rance,，2011：348-351.

　　[15] NATHANAEL R.Nano-electro-mechanical (NEM) relay devices and technology for ultra-low energy digital inte-grated circuits[D].California：University of California，Berkeley,，2012.

　　[16] DAVIDSON B D,GEORGE S M,BRIGHT V M.Atomic layer deposition(ALD) tungsten nano-electromechanical transistors[C].2010 IEEE 23rd International  Micro ElectroMechanical Systems(MEMS) Conference,，2010：424-427.

　　[17] FENG X L，MATHENY M H,，ZORMAN C A.Low voltagenanoelectromechanical switches based on silicon carbide nanowires[J].NanoLetters,，2010,，10(8)：2891-2896.

　　[18] LEE D，LEE W S,，PROVINE J.Titanium nitride sidewall stringer process for lateral nano-electromechanical relays[C].IEEE International Conference on Micro Electro MechanicalSystems-MEMS,，Hongkong，2010：456-459.

　　[19] DAVIDSONA B D,，SEGHETEB D,，GEORGE S M.ALD  tungsten NEMS switches and tunneling devices[C].22nd IEEE International Conference on Micro Electro MechnicalSystems，Sorrento,，Italy,，2009：25-29.

　　[20] KAM H，POTT V,，NATHANAEL R,，et al.Design and reliability of a microrelay technology for zero-standby- power  digital  logic applications[C].International Electron Devices Meeting，Baltimore,，MD,，2009：809-812，2009.

　　[21] LEE S W,，LEE D S,，MORJAN R E.A three-terminal carbon nanorelay[J].Nano Lett，2004,，4(10)：2027-2030.

　　[22] Weon Wi Jang,，Jun-Bo Yoon，Min-Sang Kim.NEMS switch with 30 nm-thick beam and 20 nm-thick air-gapfor high densitynon-volatile memory applications[C].Semi-conductor Device Research Symposium,，College Park,，USA，2007：1-2.

　　[23] Lee W S,，CHONG S,，PARSA R.Dual sidewall lateral nanoelectromechanical relays with beam isolation[C].Solid-State Sensors，Actuators and Microsystems Conference,，Beijing,，China.2011：2606-2609.

　　[24] CHONG S，LEE B.Integration of nanoelectromechanical(NEM) relays with silicon CMOS with functional CMOS-NEM circuit[D].Electron Devices Meeting(IEDM),，Wash-ington,，USA，2011：30.5.1-30.5.4.