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意法半導體(ST)的先進半導體技術(shù)為未來移動網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施奠定重要基礎(chǔ)

意法半導體的基于BiCMOS的射頻收發(fā)器可讓移動回程線路網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率高達10Gbps,,同時提高毫米波段頻譜利用率
2015-08-10

       中國,,2015年8月4日——意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST,;紐約證券交易所代碼:STM)的BiCMOS55 SiGe先進技術(shù)被歐洲E3NETWORK項目組采用,,用于開發(fā)適合下一代移動網(wǎng)絡(luò)的高效率、高容量數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),。

       移動數(shù)據(jù)使用量的迅猛增長,,要求網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)支持更大的容量和更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。而如何加快移動網(wǎng)絡(luò)向先進網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)轉(zhuǎn)型的速度,,對移動回程線路(backhaul)基礎(chǔ)設(shè)施是一個新的挑戰(zhàn),,例如異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)(Heterogeneous Network)與云端無線接入網(wǎng)絡(luò)(RAN, Radio Access Network),其中更高頻段(例如E-band)可提供更大帶寬,,以支持更快的數(shù)據(jù)傳輸通道,。

       建設(shè)這些超高效率的移動網(wǎng)絡(luò),,設(shè)備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規(guī)模集成電路電子元器件,。E3NETWORK項目利用意法半導體的高集成度,、低功耗BiCMOS55Si制造工藝,開發(fā)出55納米的Ft高達320GHz的異質(zhì)雙極晶體管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors),。這項制造工藝準許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能,、高容量的數(shù)字模塊,例如邏輯電路,、AD/DA轉(zhuǎn)換器和存儲器,。

       E3NETWORK項目采用意法半導體的BiCMOS55制造,目前正在研發(fā)一個集成化的E-band收發(fā)器,,用于去程線路(Fronthaul)和回程線路基礎(chǔ)設(shè)施,,以實現(xiàn)數(shù)字多層調(diào)制,及高度聚焦的筆形波束(Pencil-beam)傳輸,,數(shù)據(jù)速率可高達10Gbps,。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率,同時在毫米波(millimeter-wave)間隔期間保護頻譜利用率(Spectrum efficiency)不受影響,。

       作為歐盟第7框架計劃中的一個項目,,E3NETWORK(Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)匯集了眾多企業(yè),其中包括CEIT(西班牙),、Fraunhofer(德國),、阿爾卡特朗訊(意大利)、CEA(法國),、INXYS(西班牙),、OTE(希臘)、SiR(德國),、Sivers IMA(瑞典)和意法半導體(意大利),。

編者注:

       ST的BiCMOS技術(shù)將兩種不同制造工藝的優(yōu)勢整合在一顆芯片上,雙極晶體管提供高傳輸速率及高增益,,這對于高頻模擬電路至關(guān)重要,,而CMOS元器件在構(gòu)建簡單、低功耗邏輯門方面的應用表現(xiàn)也非常出色,。

       通過在一顆芯片上集成射頻,、模擬及數(shù)字電路,意法半導體BiCMOS55 SiGe器件不僅大幅降低了外圍設(shè)備的數(shù)量,,亦能夠同時進行功耗優(yōu)化,。

關(guān)于意法半導體

       意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商,,為客戶提供傳感器,、功率器件,、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),,到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,,從醫(yī)療健身設(shè)備,到智能消費電子,,從家電,、汽車,到辦公設(shè)備,,從工作到娛樂,,意法半導體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極,、創(chuàng)新的作用,。意法半導體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。

 



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