《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英特爾和美光科技推出突破性存儲技術(shù)

2015-07-30

       英特爾公司和美光科技有限公司今天推出了一種名為3D XPoint?的非易失性存儲器技術(shù),該技術(shù)有潛力對那些得益于快速訪問大量數(shù)據(jù)的任何設(shè)備、應(yīng)用或服務(wù)實現(xiàn)革新?,F(xiàn)已投入生產(chǎn)的3D XPoint技術(shù)是存儲器制程技術(shù)的一項重大突破,,也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術(shù)的非易失性存儲器。

  互聯(lián)設(shè)備和數(shù)字服務(wù)的爆炸式增長產(chǎn)生了大量的新數(shù)據(jù),。為了讓這些數(shù)據(jù)變得更有價值,,必須對這些數(shù)據(jù)進行非常快速地存儲和分析,,而這也為設(shè)計內(nèi)存和存儲解決方案時必須權(quán)衡成本,、功耗和性能的服務(wù)提供商和系統(tǒng)制造商帶來了挑戰(zhàn)。3D XPoint技術(shù)集當(dāng)今市場中所有存儲器技術(shù)在性能,、密度,、功耗、非易失性和成本方面的優(yōu)勢于一體,。與NAND相比,,這項技術(shù)在速度及耐用性方面均實現(xiàn)了高達1000倍的提升3。此外,,相比傳統(tǒng)存儲器,,該存儲器技術(shù)的存儲密度也提升高達10倍。

  “數(shù)十年來,,業(yè)界一直在尋找各種方法來降低處理器和數(shù)據(jù)之間的延遲,以加快分析速度,,”英特爾公司資深副總裁兼非易失性存儲器(NVM)解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示:“這種新型的非易失性存儲器將實現(xiàn)這一目標(biāo),,并為內(nèi)存和存儲解決方案帶來顛覆性的性能?!?/p>

  “處理器訪問長期存儲的數(shù)據(jù)所需的時間成為現(xiàn)代計算中最顯著的障礙之一,,”美光科技有限公司總裁Mark Adams表示:“作為一種革命性技術(shù),這種新型的非易失性存儲器能夠支持海量數(shù)據(jù)集的快速訪問并實現(xiàn)全新的應(yīng)用,?!?/p>

  數(shù)字世界的成長速度十分驚人。預(yù)計到2020年,,數(shù)字化的數(shù)據(jù)將由2013 年的4.4 ZB增長至44 ZB4,。3D XPoint技術(shù)可在幾納秒內(nèi)將這些海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛袃r值的信息。例如,,零售商可以使用3D XPoint技術(shù)更快地識別出金融交易中的欺詐檢測模式;醫(yī)療研究人員能夠?qū)崟r處理和分析更大的數(shù)據(jù)集,,從而加快基因分析和疾病跟蹤等復(fù)雜任務(wù)。

  3D XPoint技術(shù)的性能優(yōu)勢還可以改善個人計算的體驗,,讓消費者享受到更快速的社交媒體互動和協(xié)作,,并獲得更逼真的游戲體驗。由于這一技術(shù)具備非易失性,可使應(yīng)用這一技術(shù)的設(shè)備在斷電時數(shù)據(jù)不會丟失,。因此,,該技術(shù)也成為各種低延遲存儲應(yīng)用的理想之選。

  新方案,,面向突破性存儲技術(shù)的架構(gòu)

  3D XPoint技術(shù)誕生于十多年間的研究與開發(fā),。該技術(shù)能夠以較低成本滿足用戶在非易失性、高性能,、高耐用性和高容量方面對存儲與內(nèi)存的需求,。它開創(chuàng)了一種可顯著降低延遲的新型非易失性存儲器,使得在靠近處理器的位置存儲更多數(shù)據(jù)成為可能,,并以此前的非易失性存儲無法達到的速度來訪問更多數(shù)據(jù),。

  基于更少晶體管數(shù)量構(gòu)建的創(chuàng)新型交叉點架構(gòu)建立了一個存儲單元位于字線和位線交叉點的“三維棋盤”,以支持對單個存儲單元的獨立訪問,?;谶@個架構(gòu)的存儲器,數(shù)據(jù)可以作為更小的片段進行寫入和讀取,,從而實現(xiàn)更快速,、更高效的讀取/寫入操作。


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