中國,，2015年7月23日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST,；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款M系列650V IGBT,，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）電機驅(qū)動,、不間斷電源,、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉(zhuǎn)換應用。

       采用意法半導體的第三代溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗制造工藝,，M系列IGBT有一個全新溝柵（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu),，可以在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能,。在150°C初始高結(jié)溫時,，最小短路耐受時間為6μs，175°C最大工作結(jié)溫及寬安全工作范圍有助于延長元器件的使用壽命,，同時提高對功率耗散有極高要求的應用可靠性,。

       此外,，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續(xù)流二極管（Free-wheeling Diode）。新二極管提供快速恢復功能,，并同時保持低正向壓降和高恢復軟度,。這項設計不僅可實現(xiàn)優(yōu)異的EMI保護功能，同時可以有效降低開關損耗,。正VCE(sat)溫度系數(shù),，結(jié)合緊密的參數(shù)分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián),，并滿足更大功率的要求,。

M系列產(chǎn)品的主要特性：

· 650V IGBT，大部分競爭產(chǎn)品為600V,；

· 低VCE(sat) (1.55V @25°C) 電壓,，能夠最大限度降低導通損耗；

· 出色的穩(wěn)健性,，擁有廣泛的安全工作范圍以及無閂鎖現(xiàn)象（latch-free operation）,；

· 業(yè)內(nèi)最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；

· 175°C最大工作結(jié)溫,；

· 高溫短路耐受時間最短6μs,；

· 電壓過沖有限，確保關斷期間無振蕩,；

       最新發(fā)布的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流,，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220,、D2PAK和TO-247 LL長腳封裝,，與意法半導體針對高頻工業(yè)應用研發(fā)的HB系列650V IGBT（高達60 kHz）相互補充。新產(chǎn)品已開始量產(chǎn),。

關于意法半導體

       意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領先的半導體解決方案供應商,，為客戶提供傳感器、功率器件,、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案,。從能源管理和節(jié)能技術，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,，從醫(yī)療健身設備,，到智能消費電子，從家電,、汽車,，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子器件無所不在,，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極,、創(chuàng)新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活（life.augmented）的理念