聯(lián)電有意推動(dòng)28納米制程在廈門(mén)廠(chǎng)生產(chǎn),。李建梁攝晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電看好大陸對(duì)于28納米制程需求將大爆發(fā),，積極為廈門(mén)12吋廠(chǎng)28納米制程投產(chǎn)解套，礙于半導(dǎo)體西進(jìn)N-1世代技術(shù)法令限制,，近期聯(lián)電與IC設(shè)計(jì)業(yè)者展開(kāi)18納米制程合作,，全面為廈門(mén)12吋廠(chǎng)挺進(jìn)28納米制程鋪路,。不過(guò)，相關(guān)消息仍待聯(lián)電對(duì)外宣布,。

　　全球半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)進(jìn)入16/14納米FinFET制程競(jìng)賽,，然28納米制程仍扮演重要角色，由于大陸移動(dòng)通訊產(chǎn)品需求旺盛,，業(yè)者預(yù)期28納米制程至少會(huì)再熱絡(luò)3年,，聯(lián)電看準(zhǔn)這一波商機(jī)，全力為廈門(mén)12吋廠(chǎng)生產(chǎn)28納米制程解套,。

　　聯(lián)電廈門(mén)12吋廠(chǎng)已動(dòng)土興建,，并申請(qǐng)55和40納米制程西進(jìn)，由于40與28納米PolySiON制程多數(shù)機(jī)臺(tái)設(shè)備都相通,，聯(lián)電希望28納米制程能在廈門(mén)廠(chǎng)合法生產(chǎn),。根據(jù)既有半導(dǎo)體廠(chǎng)西進(jìn)設(shè)立12吋廠(chǎng)法令規(guī)范，必須是N-1世代技術(shù),，因?yàn)槁?lián)電并沒(méi)有20納米制程技術(shù),，聯(lián)電若要在廈門(mén)廠(chǎng)生產(chǎn)28納米制程，必須在臺(tái)灣量產(chǎn)14納米制程,。

　　半導(dǎo)體業(yè)者透露,，14納米FinFET制程難度非常高，即便是臺(tái)積電和三星電子(Samsung Electronics)在16/14納米制程亦耗費(fèi)非常久的時(shí)間,，2015年才陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn),，聯(lián)電14納米制程雖號(hào)稱(chēng)2015年中進(jìn)入試產(chǎn),，預(yù)計(jì)2016年量產(chǎn)，但內(nèi)部評(píng)估需要更長(zhǎng)時(shí)間,，如此恐延誤廈門(mén)12吋廠(chǎng)生產(chǎn)28納米時(shí)程,，聯(lián)電內(nèi)部遂決定另辟戰(zhàn)場(chǎng)，研發(fā)18納米制程為廈門(mén)廠(chǎng)解套,。

　　由于不少I(mǎi)C設(shè)計(jì)業(yè)者認(rèn)為采用14納米制程生產(chǎn)太貴,，有意與聯(lián)電共同打造一個(gè)效能、耗電都優(yōu)于28納米,，但成本低于14納米的制程世代,，聯(lián)電遂決定投入18納米制程，初期僅規(guī)劃1萬(wàn)片產(chǎn)能,。

　　半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,，聯(lián)電28納米制程系延續(xù)臺(tái)積電T-Like設(shè)計(jì)，采用Gate-Last制程,，其他如GlobalFoundries等都是采用Gate-First制程,，很難說(shuō)服臺(tái)積電現(xiàn)有的28納米制程客戶(hù)轉(zhuǎn)單，聯(lián)電想要借由28納米制程在大陸搶市占是可行的策略,。

　　業(yè)界傳出聯(lián)電18納米制程采用FinFET設(shè)計(jì),，技術(shù)難度也相當(dāng)高，聯(lián)電好不容易量產(chǎn)28納米,，并投入14納米制程,，若要再發(fā)展18納米制程，恐分散內(nèi)部研發(fā)資源,。