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Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET為汽車應用提供更小且更節(jié)能的解決方案

器件是業(yè)內首顆通過AEC-Q101認證的完全無鉛的MOSFET,,占位面積8mm x 8mm
2015-04-01

    日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK? 8x8L封裝40V TrenchFET?功率MOSFET-SQJQ402E,目的是為汽車應用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝,,實現(xiàn)大電流,并能節(jié)省空間和功耗的方案,。該款40V TrenchFET?功率MOSFET是業(yè)內首顆使用這種8mm x 8mm占位,,通過AEC-Q101認證的MOSFET,首次采用帶有能釋放機械應力的鷗翼引線的8mm x 8mm封裝,。

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    SQJQ402E可在+175℃高溫下工作,,為電機驅動、電動助力轉向,、傳動控制和噴油驅動等汽 車應用提供所需的耐用性和可靠性,。器件PowerPAK  8x8L封裝的內部結構使電感最小化,在10V和4.5V下的最大導通電阻為1.5mΩ和1.8mΩ,,連續(xù)漏極電流高達200A,。SQJQ402E表明了 Vishay的MOSFET發(fā)展路線,這些MOSFET讓設計者在大量汽車應用里能發(fā)揮這種封裝的優(yōu)點,。

    今天發(fā)布的器件還采用為減小PCB焊點應力而專門設計的鷗翼引線,,這種應力是由寬溫工作引起的,在汽車應用里會經常碰到,。這種方法已經在Vishay更小的5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封裝中得到成功應用,。D2PAK和DPAK封裝含鉛,而PowerPAK 8x8L超越了目前的RoHS標準,,是完全無鉛的,。

    為了節(jié)約PCB空間,降低成本,,并在通常需要多個MOSFET的應用中實現(xiàn)更小和更輕的模塊,,SQJQ402E具有與采用D2PAK封裝的器件近似的導通電阻和更高的連續(xù)電流,而占位面積小60%,,高度低60%,。與采用DPAK封裝的器件相比,SQJQ402E的導通電阻低一半,,電流是其兩倍,,高度低21%,,占位僅僅多12%,能有效降低功耗,。

    SQJQ402E現(xiàn)可提供樣品,,將在二季度實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周,。

VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc.  是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000  強企業(yè)”,,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器,、電感器,、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè),、 計算,、汽車、消費,、電信,、國防、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備,。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,,以及“一站式”服務使 Vishay成為了全球業(yè)界領先者,。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com,。


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