諾發(fā)" title="諾發(fā)">諾發(fā)系統(tǒng)有限公司（Novellus Systems, Inc., Nasdaq股票代碼：NVLS）日前宣布推出采用 HCM IONX?技術(shù)的INOVA NexT系統(tǒng),，這是諾發(fā)公司300 mm INOVA^?金屬化系統(tǒng)的最新增強(qiáng)版本,。HCM(中空陰極磁電管) IONX是新一代離子化物理氣相沉積（PVD）源技術(shù)" title="源技術(shù)">源技術(shù)，支持薄膜阻障層與銅種晶層的沉積,，可擴(kuò)展至32nm節(jié)點(diǎn),。作為PVD阻擋層再濺 射(barrier re-sputter)技術(shù)的先驅(qū)，諾發(fā)公司充分利用其豐富的經(jīng)驗(yàn),，推出了已經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的銅種晶層再濺射" title="濺射">濺射系統(tǒng)，這對所有的高級銅互連技術(shù)而言都是一項關(guān)鍵的需求,。HCM IONX為鉭阻擋層和銅晶種層工藝提供了更出色的金屬膜鍍層,、臺階覆蓋和薄膜質(zhì)量。這種獨(dú)特的源技術(shù)也適用于其它薄膜的金屬化應(yīng)用,，包括鈦和鋁,。?

由于臨界尺寸(CD)的要求日益苛刻，同時還需要更薄的銅阻擋層和晶種層,，各大邏輯和存儲器的領(lǐng)導(dǎo)廠商在這方面都面臨挑戰(zhàn),。采用銅制程的存儲器件尤其如此，因?yàn)樽铍y的臨界尺寸比邏輯器件" title="邏輯器件">邏輯器件早了一代的時間,。HCM IONX再濺射技術(shù)是減少沉積中的膜層厚度所必需的,，提供了市場上最具擴(kuò)展性的種晶層。?

HCM IONX技術(shù)能產(chǎn)生高密度的等離子體,，可通過提高臺階覆蓋與薄膜質(zhì)量增強(qiáng)銅互連性能,。由于諾發(fā)公司在源技術(shù)方面的創(chuàng)新，等離子體的密度增加了四倍,，并有效控制了到達(dá)晶圓的電離通量,。諾發(fā)公司在實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)進(jìn)步的同時，以最低的擁有成本實(shí)現(xiàn)了世界級的生產(chǎn)率與缺陷控制,。采用HCM IONX技術(shù)的INOVA NExT系統(tǒng),，目前正在接受多家存儲器與邏輯器件制造商的認(rèn)證，另外一些客戶已經(jīng)采用了該產(chǎn)品,。?

“客戶對HCM IONX的反饋是非常積極的,，這清楚地表明了該技術(shù)正在為銅晶種層的擴(kuò)展性制定基準(zhǔn)?！敝Z發(fā)公司高級副總裁兼金屬互連事業(yè)部總經(jīng)理David Smith先生表示,，“我們的銅晶種層再濺射技術(shù)能夠很好地讓擁有領(lǐng)先技術(shù)的制造商滿足產(chǎn)品臨界尺寸的需求，特別是當(dāng)存儲器件互連向銅過渡的情況下。HCM IONX是諾發(fā)公司不斷創(chuàng)新擴(kuò)展技術(shù),、實(shí)現(xiàn)最低擁有成本的又一范例,。”?

關(guān)于 INOVA NExT?

INOVA NExT是針對銅阻擋層/晶種層以及鋁質(zhì)應(yīng)用的300mm" title="300mm">300mm金屬化系統(tǒng),。INOVA NExT 是對諾發(fā)成功的 INOVA 平臺的擴(kuò)展,，該系統(tǒng)采用先進(jìn)的物理氣相沉積技術(shù)、離子誘導(dǎo)原子層沉積技術(shù) (iALD) 以及廣泛的制造工藝創(chuàng)新,，將全球各大半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)力水平提高到新的高度,。?

諾發(fā)公司簡介：

諾發(fā)系統(tǒng)有限公司（Novellus Systems, Inc., Nasdaq股票代碼：NVLS）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商。通過創(chuàng)新性新技術(shù)的開發(fā)和值得信賴的高生產(chǎn)效率的支持,，該公司的產(chǎn)品能夠?yàn)榭蛻籼峁┳畲蟮膬r值,。諾發(fā)是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)公司，總部位于加州圣何塞,，分支機(jī)構(gòu)跨越全球各個國家和地區(qū),。有關(guān)諾發(fā)公司的更多信息，請訪問網(wǎng)站www.novellus.com,。?