能把閃存,、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)集于一身嗎,？恒憶(Numonyx)推出的全新系列相變存儲(chǔ)器(PCM)就可以做到。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)的新一代存儲(chǔ)技術(shù),，具有更高的寫入性能,、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡易性，適用于固線和無線通信設(shè)備,、消費(fèi)電子,、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。
    Numonyx亞太區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理徐宏來先生,，近日在北京向記者詳細(xì)介紹了該新產(chǎn)品系列——Omneo PCM P5Q及P8P,。

徐宏來先生
恒憶(Numonyx)亞太區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理

革命性技術(shù)——PCM
    Numony Omneo PCM所用的材料是硫族化合物Ge2,、Sb2、Te5(GST),，利用其生成的相變可逆變的物質(zhì),，存儲(chǔ)新的信息。即通過在非晶態(tài)與晶態(tài)之間變化實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ),；通過測量GST電阻實(shí)現(xiàn)讀?。煌ㄟ^電流給GST加熱(焦?fàn)栃?yīng))實(shí)現(xiàn)寫入,。徐宏來先生強(qiáng)調(diào)了PCM的一個(gè)特性——位修改性：“假設(shè)改變一個(gè)8位的信息,，從‘10111001’改成‘01011010’，位修改性能使得8位中只需要改5位,。但是按照目前NOR的原理或邏輯,，就不能只改變這5位，而需要先把8位都擦除,，形成‘11111111’的狀態(tài),，然后再寫入‘01011010’,，這是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的過程,。可見位修改大大簡化了寫操作過程,，速度更快,，數(shù)據(jù)處理更簡單易行。PCM提供了有效空間應(yīng)用,，帶來了革命性的結(jié)果,。此外，PCM還有非易失性,，能對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù),，且其讀寫性、成本降低空間都有非常特別的地方,。”
Omneo相變存儲(chǔ)器創(chuàng)新機(jī)遇
    “PCM帶來的變革會(huì)對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命性的影響,，過兩年整個(gè)DRAM應(yīng)用可能會(huì)被PCM所取代。目前,，DRAM所占有的產(chǎn)值是相當(dāng)大的,，一旦被PCM取代，整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)可能被重新改寫,。”徐宏來先生自豪地說,，“基于很好的材料和特性，Numonyx有幸成為第一個(gè)做相變存儲(chǔ)器的公司,，今天我將向大家介紹Omneo PCM P5Q和P8P,。”
    雖然PCM采用的是革命性的材料,，但目前Numonyx推出的產(chǎn)品是漸變、過渡的產(chǎn)品,，其目的在于讓市場更快地接受它,，認(rèn)識(shí)它與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器不一樣的地方，讓大家感受市場如何利用這個(gè)相變材料的特性生產(chǎn)出革命性產(chǎn)品,。DDRx這個(gè)產(chǎn)品我們目前正在研發(fā)狀態(tài),，產(chǎn)品一旦推出，會(huì)對(duì)現(xiàn)在的DRAM應(yīng)用產(chǎn)生直接的影響,。目前推出的P5Q和P8P是定位于嵌入式應(yīng)用的,，具有嵌入式系統(tǒng)所需的2個(gè)性能：一是長遠(yuǎn)制程升級(jí)能力，不管是NAND還是NOR,，都是基于量存儲(chǔ)原理,，在15 nm~12 nm就會(huì)產(chǎn)生瓶頸，而PCM不存在這個(gè)問題,；二是可靠性,，PCM結(jié)構(gòu)相當(dāng)穩(wěn)定，不像NAND和NOR,，在使用中氧化會(huì)使其急劇退化,，所以只能做到10萬次擦寫的極限，而目前PCM已經(jīng)達(dá)到100萬次,，隨著工藝的提升,，這個(gè)可靠性會(huì)有更進(jìn)一步的提高。
    徐宏來先生介紹：“兼容高速SPI接口的90 nm 128 MB P5Q瞄準(zhǔn)高速增長的串行存儲(chǔ)器市場,，支持并行NOR接口的90 nm 128 MB P8P 瞄準(zhǔn)并行存儲(chǔ)器市場,。預(yù)計(jì)到2012年，45 nm計(jì)劃會(huì)將現(xiàn)有市場總規(guī)模擴(kuò)大到10億美元以上,。”Numonyx Omneo相變存儲(chǔ)器給嵌入式應(yīng)用帶來的好處主要有：(1)簡單易用,，既能像RAM一樣可修改字節(jié)，又避免了閃存的文件系統(tǒng),；(2)提升系統(tǒng)性能,，不但能模仿閃存，寫速度是閃存的3倍,，而且無擦除操作,，寫速度是閃存的10倍；(3)耐寫能力是閃存的10倍,，可以進(jìn)行100萬次寫操作,。
    最后，徐宏來先生給記者展示了一些Omneo PCM的應(yīng)用案例,。例如在智能電表中,，P5Q可以完成NOR,、EEPROM和NVRAM三者相加的功能，并且需要的電池容量更小,，這樣既環(huán)保又實(shí)惠,，在數(shù)字機(jī)頂盒、電信,、商業(yè)打印機(jī)等領(lǐng)域,，P5Q和P8P也能發(fā)揮同樣的作用。