全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier,，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列,，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件,，具有極低的導通電阻(RDS(on)),。
IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝,，導通電阻典型值只有500µΩ，可大幅降低傳導損耗,，因而非常適合動態(tài)ORing和電子保險絲(eFuse) 應用,。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作,，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中,，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設計人員能夠在大電流應用內(nèi)減少器件數(shù)量,。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經(jīng)過擴充后,，能夠滿足市場對動態(tài)ORing和電子保險絲的高效開關的需求,。全新IRL6283M在高性能封裝內(nèi)提供行業(yè)領先的導通電阻，從而實現(xiàn)無可比擬的功率密度,。”
與DirectFET系列的其它器件一樣,，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無鍵合線設計,。此外,，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定(RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設計,。同類的高性能封裝包含高鉛裸片,，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期,。
規(guī)格
|
器件編號 |
電壓 |
最高VGS |
封裝 |
電流 額定值 |
導通電阻(典型/最高) |
認證級別 |
||
|
(V) |
(V) |
(A) |
10V |
4.5V |
2.5V |
|||
|
IRL6283M |
20 |
12 |
DirectFET MD |
211 |
.50/.75 |
.65/.87 |
1.1/1.5 |
工業(yè) |
|
IRFH8201 |
25 |
20 |
PQFN 5x6B |
100* |
.80/.95 |
1.20/1.60 |
不適用 |
|
|
IRFH8202 |
.90/1.05 |
1.40/1.85 |
||||||
|
IRFH8303 |
30 |
.90/1.10 |
1.30/1.70 |
|||||
|
IRFH8307 |
1.1/1.3 |
1.7/2.1 |
||||||
|
IRF8301M |
DirectFET MT |
192 |
1.3/1.5 |
1.9/2.4 |
||||
IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業(yè)標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝,，并符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定(RoHS) 。
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單,。更多信息和Spice模型請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com,。