LAST POWER[1]項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果,。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè),、汽車,、消費(fèi)電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用,。項(xiàng)目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿,。
歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會(huì)（ENIAC）聯(lián)盟（JU）是納米工業(yè)上市公司與私營企業(yè)的聯(lián)盟組織,，于2010年4月啟動(dòng)了LAST POWER項(xiàng)目，聚集了寬帶隙半導(dǎo)體（SiC和GaN）領(lǐng)域的私營企業(yè),、大學(xué)和公共研究中心,。該聯(lián)盟成員包括項(xiàng)目協(xié)調(diào)人意法半導(dǎo)體（意大利）、LPE/ETC （意大利）,、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR（意大利）,、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH（希臘）, NOVASiC（法國）、Consorzio Catania Ricerche -CCR（意大利）,、Institute of High Pressure Physics – Unipress（波蘭）,、Università della Calabria（意大利）、SiCrystal（德國）,、SEPS Technologies（瑞典）,、SenSiC（瑞典）、Acreo（瑞典）,、, Aristotle University of Thessaloniki - AUTH（希臘）,。
碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底,。在晶體結(jié)構(gòu)和表面粗糙度方面,，材料質(zhì)量兼容項(xiàng)目啟動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)100mm 4°偏軸材料。在LPE/ETC,，這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長,，適用于加工600-1200V JBS（結(jié)勢壘肖特基）二極管和MOSFET，項(xiàng)目組為在大面積（150mm）4H-SiC上生長外延開發(fā)了一個(gè)創(chuàng)新的CVD（化學(xué)汽相淀積）反應(yīng)堆,。
外延層質(zhì)量讓意法半導(dǎo)體能夠在工業(yè)生產(chǎn)線上制造JBS結(jié)勢壘肖特基二極管,。第一批晶圓特征分析顯示，電氣性能與先進(jìn)的4°偏軸材料相當(dāng),。在這種情況下,，關(guān)鍵工序是在NOVASiC上實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）- StepSiC ® 填充和平面化，對于外延層生長前的襯底制備和器件活動(dòng)層表面粗糙度亞納米控制,，該工序是一個(gè)關(guān)鍵問題,。在這個(gè)項(xiàng)目內(nèi)，同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長能力,。
項(xiàng)目組與意法半導(dǎo)體,、IMM-CNR公司進(jìn)行SiO2/SiC接口的合作研發(fā)，以改進(jìn)4H-SiC MOSFET晶體管的溝道遷移率,。
最后,，項(xiàng)目組與Acreo、FORTH合作開發(fā)出了用于高溫4H-SiC JFET和MOSFET的全新技術(shù)模塊,，為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持,。
LAST POWER項(xiàng)目還從事在功率電子應(yīng)用中使用基于GaN器件的研究。特別是意法半導(dǎo)體在150mm Si襯底上生長AlGaN/GaN HEMT外延層結(jié)構(gòu)的開發(fā)取得了成功，外延層長至3µm,，抗擊穿電壓能力高達(dá)200V,。LAST POWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導(dǎo)體合作,，采用一種“無金”方法開發(fā)常關(guān)型AlGaN/GaN HEMT器件,。該制程模塊完全兼容意法半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求的芯片制造流程，目前正在整合至HEMT生產(chǎn)線,。項(xiàng)目成員在材料生長和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動(dòng),，讓業(yè)界向單片集成GaN和SiC器件的目標(biāo)邁出重要一步，這兩項(xiàng)技術(shù)在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功,。
關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics,；ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，為客戶提供傳感器,、功率器件,、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費(fèi)電子,，從家電,、汽車，到辦公設(shè)備,，從工作到娛樂,，意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極,、創(chuàng)新的作用,。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。
意法半導(dǎo)體2012年凈收入84.9 億美元,。詳情請?jiān)L問公司網(wǎng)站www.st.com,。