大家都知道,，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管,，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,，也就是說，在逆變H橋里頭,，MOSFET上去沒有問題,，但是IGBT上去，可能開機(jī)帶載就炸了,。這一點(diǎn)很多人估計(jì)都深有體會(huì),。當(dāng)時(shí)我看到做魚機(jī)的哥們用FGH25N120AND這個(gè)，反映很容易就燒了,，當(dāng)時(shí)不以為然,。
只到我在工作中遇到，一定要使用IGBT的時(shí)候,，我才發(fā)現(xiàn)我錯(cuò)了,，當(dāng)初我非常天真的認(rèn)為，一個(gè)IRFP460,20A/500V的MOSFET,，我用個(gè)SGH40N60UFD40A/600V的IGBT上去怎么樣也不會(huì)炸的吧,，實(shí)際情況卻是，帶載之后,，突然加負(fù)載和撤銷負(fù)載,，幾次下來就炸了，我以為是電路沒有焊接好,，然后同樣的換上去，照樣炸掉,，這樣白白浪費(fèi)了好多IGBT,。
后來發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律，就是采用峰值電流保護(hù)的措施就能讓IGBT不會(huì)炸,，下面我就會(huì)將這些東西一起詳細(xì)的說一說,，說的不好請(qǐng)大家見諒，這個(gè)帖子會(huì)慢慢更新,，也希望高手們多多提出意見,。
我們將這個(gè)問題看出幾個(gè)部分來解決：
2,，電流采集電流;
3,，保護(hù)機(jī)制;
一、驅(qū)動(dòng)電路
這次采用的IGBT為IXYS的,，IXGH48N60B3D1,，詳細(xì)規(guī)格書如下：IXGH48N60B3D1
驅(qū)動(dòng)電路如下：
這是一個(gè)非常典型的應(yīng)用電路,，完全可以用于IGBT或者M(jìn)OSFET，但是也有些不一樣的地方,。
1,，有負(fù)壓產(chǎn)生電路，
2,，隔離驅(qū)動(dòng),，
3，單獨(dú)電源供電,。
首先我們來總體看看,，這個(gè)電路沒有保護(hù)，用在逆變上100%炸,，但是我們可以將這個(gè)電路的實(shí)質(zhì)摸清楚,。
先講講重點(diǎn)：
1：驅(qū)動(dòng)電阻R2，這個(gè)在驅(qū)動(dòng)里頭非常重要,，圖上還有D1配合關(guān)閉的時(shí)候,，讓IGBT的CGE快速的放電，實(shí)際上看需要,，這個(gè)D1也可以不要,，也可以在D1回路里頭串聯(lián)一個(gè)電阻做0FF關(guān)閉時(shí)候的柵極電阻。
下面發(fā)幾個(gè)波形照片,，不同的柵極電阻,，和高壓HV+400V共同產(chǎn)生作用的時(shí)候，上下2個(gè)IGBT柵極的實(shí)際情況,。
上面的圖,，是在取消負(fù)壓的時(shí)候，上下2管之間的柵極波形,，柵極電阻都是在10R情況下,。
上面的圖是在不加DC400V情況下測(cè)量2管G極波形，下圖是在DC400V情況下,，2管的柵極波形,。
為何第二個(gè)圖會(huì)有一個(gè)尖峰呢。這個(gè)要從IGBT的內(nèi)部情況說起,，簡單來說,，IGBT的GE上有一個(gè)寄生的電容，它和另外的CGC一個(gè)寄生電容共同組成一個(gè)水池子,，那就是QG,，其實(shí)這個(gè)和MOSFET也很像的。
那么在來看看為何400V加上去，就會(huì)在下管上的G級(jí)上產(chǎn)生尖峰,。借花獻(xiàn)佛,，抓個(gè)圖片來說明：
如上圖所示，當(dāng)上官開通的時(shí)候,，此時(shí)是截止的,，由于上官開通的時(shí)候，這個(gè)時(shí)候要引入DV/DT的概念,，這個(gè)比較抽象,，先不管它，簡單通俗的說就是上管開通的時(shí)候,，上管等效為直通了,，+DC400V電壓立馬加入到下管的C級(jí)上，這么高的電壓立刻從IGBT的寄生電容上通過產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電流,，這個(gè)感應(yīng)電流上圖有公式計(jì)算,，這個(gè)電流在RG電阻和驅(qū)動(dòng)內(nèi)阻的共同作用下，在下管的柵極上構(gòu)成一個(gè)尖峰電壓,，如上面那個(gè)示波器的截圖所示,。到目前為止，沒有引入米勒電容的概念,，理解了這些,，然后對(duì)著規(guī)格書一看，米勒電容是什么,，對(duì)電路有何影響,，就容易理解多了。