Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET
2013-01-14
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB,、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封裝,。
在智能手機、平板電腦和移動計算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中,，今天推出的器件將用于電池和負載切換,。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實現(xiàn)超薄的外形,，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄,、更輕，而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗,，從而降低能耗,，延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負載開關(guān)上的壓降更低,，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象,。
對于導(dǎo)通電阻比空間更重要的應(yīng)用場合，8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和23mΩ,。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝,。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為43mΩ，將用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場合,。Si8466EDB的典型ESD保護達到3000V,。
Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓配合工作,，省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本,。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,。
Si8466EDB,、Si8424CDB和Si8425DB是MICRO FOOT家族的最新成員，詳見http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/,。
器件規(guī)格表：
|
型號 |
Si8466EDB |
Si8424CDB |
Si8425DB |
|
|
極性 |
N |
N |
P |
|
|
VDS (V) |
8 |
8 |
- 20 |
|
|
RDS(ON) (mΩ) max. @ |
4.5 V |
43 |
20 |
23 |
|
2.5 V |
46 |
21 |
27 |
|
|
1.8 V |
- |
23 |
40 |
|
|
1.5 V |
60 |
28 |
- |
|
|
1.2 V |
90 |
45 |
- |
|
|
外形尺寸(mm x mm) |
1 x 1 |
1.6 x 1.6 |
1.6 x 1.6 |
|
|
高度(mm) |
0.55 |
0.6 |
0.6 |
|
新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周,。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”,，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器,、電感器,、電容器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計算,、汽車,、消費、電信,、軍事,、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān)Vishay的詳細信息,，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。