全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723,，董事長：赤尾泰,，以下簡稱“瑞薩電子”）與臺灣積體電路制造（TSMC）（總公司：臺灣新竹、日本法人：TSMC日本株式會社、橫浜市西區(qū),、董事長：小野寺誠,、以下簡稱TSMC）——今天（28日）共同宣布,，雙方已經(jīng)簽署協(xié)議,，將在微控制器(MCU)技術(shù)方面的合作擴大至40納米嵌入閃存(eFlash)的制造，以生產(chǎn)應(yīng)用于下一代汽車及家電等消費類產(chǎn)品的微控制器,。瑞薩電子先前已委托TSMC生產(chǎn)90納米工藝的微控制器,，本次合作方案中，瑞薩電子將委托TSMC生產(chǎn)40納米工藝及更先進生產(chǎn)工藝的微控制器,。

   結(jié)合瑞薩電子支持高可靠性及高速的金屬氧化氮氧化硅（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技術(shù)與TSMC高品質(zhì)技術(shù)的支持,，包括先進的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）生產(chǎn)與靈活的產(chǎn)能調(diào)節(jié)的優(yōu)勢。瑞薩電子與TSMC將在MCU平臺與制造所需的先進技術(shù)上共同合作,，以取得世界領(lǐng)先地位,。此外，通過將此MONOS生產(chǎn)平臺提供給遍布全球的其他半導(dǎo)體供應(yīng)商,，包括無晶圓廠（Fabless）公司及整合元件制造商（IDM）,，目標是建立一個生態(tài)系統(tǒng)，進一步擴大客戶群,。

    基于雙方長久穩(wěn)固的合作關(guān)係,，TSMC為瑞薩電子提供先進的CMOS工藝和生產(chǎn)制造能力，使得瑞薩得以同時實現(xiàn)高成本效率和高可靠性,，并將閃存整合于單一微控制器上,。相比于目前的90納米制造工藝，采用40納米制造的微控制器產(chǎn)品具備更高速、更低功耗的優(yōu)勢,，而且晶片尺寸縮小逾50%,，這些特性對于整合型微控制器的設(shè)計格外重要，該設(shè)計將邏輯晶片,、存儲器,、及其他系統(tǒng)零組件壓縮至極小的面積上。

    瑞薩電子資深副總裁MCU事業(yè)本部長巖元伸一表示,，「今后瑞薩電子將以半導(dǎo)體事業(yè)全球的增長作為目標,，考慮到TSMC在提供產(chǎn)品迅速量產(chǎn)、實時并且大量提供尖端工藝的生產(chǎn)及對市場需求劇烈波動的應(yīng)對方面的卓越優(yōu)勢,。本次與TSMC合作是瑞薩電子努力實現(xiàn)全球市場增長的重要戰(zhàn)略。

    去年的日本大地震,，使瑞薩多條生產(chǎn)線受到?jīng)_擊,，給客戶造成了很大影響。為汲取教訓(xùn),，從公司營運持續(xù)計劃BCP（Business Continuity Plan）出發(fā),，瑞薩正在推進晶圓廠網(wǎng)絡(luò)（Fab Network）的構(gòu)建。通過此次強強合作發(fā)揮兩家公司領(lǐng)先世界的技術(shù)優(yōu)勢,，我們將為客戶構(gòu)建一條穩(wěn)定可靠的供應(yīng)鏈,，同時構(gòu)建引領(lǐng)市場發(fā)展的MCU生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)。

   臺積電公司全球業(yè)務(wù)暨行銷資深副總經(jīng)理陳俊圣表示："瑞薩電子是微控制器市場的領(lǐng)軍廠商,，通過此次合作,，TSMC將為瑞薩電子新的微控制器生產(chǎn)提供必要的性能，同時滿足客戶對產(chǎn)品高品質(zhì),、高可靠性的期待方面做出貢獻,。"

瑞薩電子的MONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入閃存技術(shù)

    在閃存單元（Flash Cell）中，每一個硅基（Silicon Base）上的電晶體都是由氧化物,、氮化物以及氧化物三層組成,，且在上方設(shè)有金屬控制閘極。瑞薩電子在MONOS閃存技術(shù)的應(yīng)用方面,，擁有20年以上的經(jīng)驗,，可提供IC卡專用的微控制器?；谠贛ONOS技術(shù)上優(yōu)異的成績,，瑞薩電子成功地開發(fā)出適用于MCU內(nèi)部閃存的分離閘(Split-Gate, SG)結(jié)構(gòu)，此項新型的SG-MONOS閃存能夠?qū)崿F(xiàn)微控制器高可靠性,、高速,、以及低能耗的功能。