從過往的發(fā)展我們可以看到,，臺(tái)積電的大部分營(yíng)收增長(zhǎng)來自先進(jìn)的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，這些節(jié)點(diǎn)遵循了摩爾定律：每?jī)傻饺?，它們每代晶體管的密度就提高了2倍,。這為芯片設(shè)計(jì)人員提供了更大的晶體管預(yù)算,，更強(qiáng)大,、更高效的晶體管,，這也使他們可以增加功能。此外,，每個(gè)晶體管的成本也趨于下降,。

　　同樣，對(duì)于英特爾來說,，他們可以從摩爾定律如常運(yùn)行獲得的好處是使其產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)可以擴(kuò)展到物聯(lián)網(wǎng),，GPU和AI等新市場(chǎng)，這對(duì)他們來說至關(guān)重要,。

　　鑒于摩爾定律是指數(shù)趨勢(shì),，那就意味著即使僅領(lǐng)先一步也可以帶來巨大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。例如,，對(duì)于游戲玩家來說，性能提高2倍的GPU可能意味著獲得60fps而不是30fps,。

　　但對(duì)于英特爾來說,，由于10nm工藝延遲了三年，這使他們失去了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),，該優(yōu)勢(shì)先前由Tick-Tock節(jié)奏牢牢確立,。但是，這些延遲現(xiàn)在已經(jīng)過去,，英特爾似乎已經(jīng)恢復(fù)了其2年節(jié)奏目標(biāo),。同時(shí)，盡管采用了較為適度的2.5年節(jié)奏,，但TMSC的3nm節(jié)點(diǎn)承諾的改進(jìn)僅為1.7倍（明顯低于2倍）,。在接下來的幾年中，這將使英特爾有時(shí)間趕上并回到同等密度,。至少在理論上應(yīng)該如此,。

　　但自撰寫本文以來,，英特爾宣布了7納米的延遲，為此我進(jìn)行了一些必要的調(diào)整,。

　　不過就筆者看來,，半導(dǎo)體工藝技術(shù)的意義不僅僅在于投資者甚至技術(shù)愛好者所關(guān)注的晶體管密度指標(biāo)。而且,，在那些方面,，臺(tái)積電的知名度和建立的工藝領(lǐng)導(dǎo)力還不清楚。（的確,，雖然宣布了7nm延遲,，但英特爾還宣布了10nm SuperFin。）

　　正如英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛所說：“工藝技術(shù)比許多技術(shù)要復(fù)雜得多,，我認(rèn)為人們已經(jīng)將其簡(jiǎn)化到幾乎荒謬的程度,。”

　　本文的論點(diǎn)是,，晶體管的性能和功耗同密度一樣重要,。納米級(jí)數(shù)字已經(jīng)只是市場(chǎng)營(yíng)銷的手段，而不是參考實(shí)際的晶體管尺寸,，甚至更不用說晶體管在切換時(shí)消耗多少能量,，或者其切換速度有多快。

　　但是,，最重要的是,，首先要提到的是密度以外的其他指標(biāo)，但它們不如單位面積的晶體管（密度）那樣簡(jiǎn)單,。它們（也）受頂層設(shè)計(jì)決策的影響很大,。（盡管密度也是如此，但可以更容易地對(duì)其進(jìn)行測(cè)量,。）

　　晶體管創(chuàng)新

　　我將通過回顧一些歷史示例來說明晶體管的這一方面：

　　在1990年代后期,，晶體管的性能縮放（稱為Dennard縮放）已達(dá)到極限，從而拉開了GHz戰(zhàn)爭(zhēng)的序幕,。英特爾（Intel）在2001年發(fā)明了一種稱為應(yīng)變硅（strained silicon）的技術(shù),，該技術(shù)在90nm出現(xiàn)，而在2004年左右才出現(xiàn)在65nm ,。此技術(shù)的進(jìn)一步增強(qiáng)使晶體管能夠隨著時(shí)間的推移繼續(xù)提高驅(qū)動(dòng)電流（性能）,。

　　此外，并非所有晶體管的特征都具有相同的長(zhǎng)度,。例如,，在柵極（控制晶體管）和源極—漏極（電流在其中流動(dòng)）之間存在一個(gè)相對(duì)較小的絕緣層。在2000年代初期,，該層的寬度接近以原子單層測(cè)量的寬度,。無法進(jìn)一步擴(kuò)展將進(jìn)一步降低功耗,。它的小寬度也導(dǎo)致泄漏的大量增加（由于量子效應(yīng)）。為了克服這些問題,，英特爾于2007年推出了一套材料科學(xué)創(chuàng)新技術(shù),，即45nm的HKMG（高k金屬柵極），然后在2011-2012年左右將其復(fù)制到28nm ,。這些有緩解泄漏增加到不可持續(xù)的水平,，并允許持續(xù)進(jìn)行特征尺寸縮放（因此，防止摩爾定律終止）,。

　　然而,，由于泄漏一直是一個(gè)問題，眾所周知的歷史CMOS晶體管仍被耗盡（盡管有HKMG）,。確實(shí),，如果您還無法在縮小尺寸的同時(shí)降低功耗并增加泄漏，確實(shí)能夠縮小功能是一回事（特別是在最近十年的移動(dòng)時(shí)代中）,。英特爾再次引領(lǐng)開發(fā)Tri-Gate / FinFET,。可以說,，這是一個(gè)新的晶體管“架構(gòu)”,，它可以使柵極更充分地圍繞源漏溝道。因此,，這增加了電流控制,，或者換句話說，減少了泄漏,。英特爾于2012年初在22nm處推出了該產(chǎn)品,，隨后于2015年初在16nm 處推出了該產(chǎn)品。

　　另外,，值得注意的是,，臺(tái)積電的20nm仍然是平面的,。但是,，可以說，這是臺(tái)積電迄今為止最不成功的節(jié)點(diǎn)之一,。最好的例子是GPU：Nvidia和AMD,。盡管20nm的密度提高了1.9倍，但兩者都跳過了20nm,。事實(shí)證明,，如果沒有足夠的功耗預(yù)算，更多的晶體管不是很有用,。

　　此外,，值得注意的是,，臺(tái)積電可能會(huì)因英特爾業(yè)界領(lǐng)先的22nm FinFET推出而措手不及。TSMC從其14nm節(jié)點(diǎn)引入FinFET,，將其插入其20nm工藝中,，并將其稱為16nm的“新”工藝（因此將其14nm重命名為10nm，將其重命名為10nm至7nm等）,。

　　在FinFET時(shí)代,，可以通過增加鰭片的高度或以犧牲晶體管密度為代價(jià)使用更多鰭片來進(jìn)一步提高FinFET的性能。

　　反向稱為鰭減少：每個(gè)晶體管使用更少的鰭,。隨著FinFET性能的提高,，這已經(jīng)成為可能，并且已經(jīng)發(fā)生了幾代,。這樣,，奇怪的是，性能的提高實(shí)際上是密度提高的原因,。

　　上面提到的三項(xiàng)主要材料科學(xué)創(chuàng)新（應(yīng)變硅,，HKMG，F(xiàn)inFET）為英特爾提供了巨大的工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì),，因?yàn)橛⑻貭柋绕渌I(lǐng)先的代工廠領(lǐng)先三到四年推出了它們,。

　　但是，它們只是與密度有松散的關(guān)系：它們是為了繼續(xù)進(jìn)行歷史擴(kuò)展而發(fā)明的,，但它們不僅提供了擴(kuò)展功能,，還提供了性能和功率方面的優(yōu)勢(shì)。

　　互連創(chuàng)新

　　此外,，不僅有晶體管,。同樣重要的是，還有互連,，顧名思義就是連接晶體管,。打個(gè)比方：它的功能是晶體管的作用更像是多米諾骨牌鏈，而不是單個(gè)（無用的）碎片,。

　　如今,，稱為線后端（back-end of line，BEOL）的互連堆棧由10多個(gè)金屬層組成,。這里可以指出其他幾種趨勢(shì)：

　　互連也是功率和性能的瓶頸：?jiǎn)蝹€(gè)晶體管實(shí)際上可以在高達(dá)數(shù)十或數(shù)百GHz的頻率下切換,。它也越來越成為擴(kuò)展的瓶頸。

　　在14nm處,，英特爾在一些選定層之間引入了“氣隙”（air gaps） ,。某些讀者可能知道，空氣是最好的絕緣體之一，因此確實(shí)提高了功率和性能,。英特爾仍然是唯一一家存在空隙的晶圓廠,。因此，在這方面,，英特爾目前有六年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),，而且還在繼續(xù)增長(zhǎng)。

　　最接近晶體管的最低層也稱為中間線（middle-of-line ：MOL）,。在這里,，英特爾在10nm的時(shí)候帶來了Ruthenium和Co，但還在互連堆棧的最底層使用了鈷,，從而帶來了顯著的改進(jìn),。

　　臺(tái)積電還推出了7nm的Cobalt，但它不在互連中,，只有MOL,。

　　為了繼續(xù)進(jìn)行晶體管縮放，在EUV之前,，業(yè)界使用了多次曝光：多次曝光晶圓,，而不是一次曝光。迄今為止,，英特爾仍然是唯一在互連層中使用四重圖案的晶圓廠,，盡管英特爾表示這是導(dǎo)致良率問題的原因之一。

　　英特爾的10nm SuperFin行業(yè)首創(chuàng)的Super MIM與其他行業(yè)相比,，在相同面積上的電容增加了5倍,。顯然，這是一項(xiàng)重大的過程創(chuàng)新,。

　　英特爾的首席工程師Murthy曾表示,，互連在5nm上也很重要。

　　一般來說,，以上提到的所有創(chuàng)新（也許除了FinFET之外）都可以稱為材料科學(xué)創(chuàng)新,。從發(fā)布之日起，我注意到（甚至延續(xù)到10nm SuperFin）,，顯然英特爾的歷史材料科學(xué)創(chuàng)新領(lǐng)先地位和創(chuàng)新無與倫比,。

　　（注：尚不清楚7nm延遲對(duì)英特爾2023年5nm生產(chǎn)目標(biāo)的影響程度,。）

　　未來

　　隨著晶體管及其之間的特征尺寸不斷變小,，在過去的二十年中仍將需要半導(dǎo)體創(chuàng)新,。

　　通過將柵極完全包裹在溝道周圍,，可以進(jìn)一步改善FinFET 。在不久的將來,，該行業(yè)確實(shí)將超越FinFET（三柵極）,，簡(jiǎn)稱為全方位柵極（“四柵極”）或GAA,。

　　盡管理論上的收益不如FinFET平面那么大，但這將提供與使用FinFET相似的收益,。

　　英特爾將在其5nm（據(jù)Murthy稱2023年末）,，三星將在2022年達(dá)到3納米，臺(tái)積電在2024/2025年達(dá)到2納米,。

　　通過將溝道材料從硅更改為Ge或III-V組合,，可以進(jìn)一步提高FinFET和納米線的功率和性能。

　　納米線可以水平或垂直取向,。

　　目前尚不清楚當(dāng)納米線用盡之時(shí),，行業(yè)將如何做，但是（研究中）的選擇范圍很大,。

　　除了轉(zhuǎn)向GAA,，未來的另一項(xiàng)改進(jìn)可能是將通道材料（電流流過）更改為后硅（post-silicon）材料。

　　除了GAA之外,，在各個(gè)研究階段中,，實(shí)際上還有數(shù)十種未來的CMOS后選項(xiàng)。自旋電子學(xué),，碳納米管,，量子隧道…在英特爾的研究中，英特爾似乎更喜歡自旋電子學(xué),，臺(tái)積電（TSMC）碳納米管,，盡管目前尚無真正發(fā)展的東西。

　　英特爾在2018-2019年宣布了其正在研究的高度未來化的后CMOS量子器件,，稱為MESO,。

　　英特爾可能會(huì)在臺(tái)積電2N之前采用5nm的全能（GAA）納米線，這有力地表明,，即使在密度方面有所落后,，英特爾仍然可以繼續(xù)在摩爾定律的材料科學(xué)和晶體管創(chuàng)新方面保持領(lǐng)先地位。

　　它也顯示了我所說的“納米級(jí)游戲”,，因?yàn)橛⑻貭柕?nm可能與臺(tái)積電的2N一樣先進(jìn),，盡管名稱上似乎存在很大差異。（作為比較,，硅原子約為0.2nm,。）

　　亞閾值斜率（Sub-threshold Slope）

　　作為稍微技術(shù)性的部分（如果還沒有，但是可以跳過）,，為了說明除晶體管密度以外的一種度量標(biāo)準(zhǔn)（晶體管規(guī)格）,，有一個(gè)關(guān)鍵的晶體管度量標(biāo)準(zhǔn)稱為亞閾值斜率。

　　晶體管本身不像計(jì)算機(jī)程序員那樣二進(jìn)制。通常,，驅(qū)動(dòng)電流隨著電壓施加到柵極而增加,。此外，正如術(shù)語“泄漏”所暗示的,，即使處于“截止”狀態(tài)的晶體管仍然可以流過一些電流,。

　　在大多數(shù)芯片中，“導(dǎo)通”或“關(guān)斷”要求驅(qū)動(dòng)電流相差幾個(gè)數(shù)量級(jí),。假設(shè)隨著電壓的增加驅(qū)動(dòng)電流僅會(huì)有限地增加,，這意味著將晶體管視為“導(dǎo)通”狀態(tài)需要有一些最小電壓，稱為閾值電壓,。

　　因此,，電流增加（電壓增加時(shí)）的（指數(shù)）速率決定了該閾值電壓。因此,，可以改善該指標(biāo)的技術(shù)可以允許大幅降低工作電壓,。而且，由于功率/能量在電壓函數(shù)中呈二次方比例變化,，因此這可能導(dǎo)致芯片的功耗和能效得到嚴(yán)重改善（盡管可能以峰值性能為代價(jià)）,。

　　這稱為亞閾值（驅(qū)動(dòng)電流）斜率。它以mV /dec為單位：將驅(qū)動(dòng)電流增加10倍需要多少毫伏,。越低越好,。

　　對(duì)于硅/ CMOS，理論極限為60mV / dec,。平面晶體管可實(shí)現(xiàn)低至三位數(shù)的低值（,？100-120）。

　　實(shí)際上,，F(xiàn)inFET能夠?qū)⑵浣档偷椒浅＝咏鼧O限的水平,，約為65mV / dec。這進(jìn)一步顯示了英特爾憑借其三年FinFET領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),。（如果僅英特爾的領(lǐng)導(dǎo)層/管理層預(yù)見到了智能手機(jī)的重要性,，或者這對(duì)于GPU的有用性，等等,。）

　　無論如何,，這一限制表明，超越CMOS的技術(shù)至少可以在功耗/能耗方面進(jìn)一步提高：其他技術(shù)的亞閾值斜率可能比CMOS的60mV / dec 更陡,?？赡艿椭粒?0mV / dec甚至更低,。

　　現(xiàn)實(shí)意義

　　我現(xiàn)在將總結(jié)這些創(chuàng)新帶來的一些實(shí)際產(chǎn)品收益：

　　英特爾在45納米（HKMG節(jié)點(diǎn)）上的Core CPU幫助其擴(kuò)大了與AMD的差距,，并奪回了市場(chǎng)份額,，并在接下來的10多年中奪回了絕對(duì)的CPU領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　英特爾的平面晶體管CPU在32nm Sandy Bridge的情況下達(dá)到了約4.6GHz,。鑒于FinFET大多會(huì)降低功耗,，而很少關(guān)注性能（最初）,，因此其22納米后繼產(chǎn)品Ivy Bridge的時(shí)鐘速度有所下降,。

　　但是，改進(jìn)的FinFET（更薄,，更矩形）,，氣隙以及其他可能的技術(shù)使14nm Skylake最終在性能上擊敗了平面晶體管，如今14nm ++在商業(yè)產(chǎn)品中可達(dá)到5.3GHz（單核）,。

　　Ice Lake（10nm）的15W配置達(dá)到3.9GHz,，28W達(dá)到4.1GHz。Tiger Lake（10納米SuperFin）將其提高到4.8 GHz,。這表明在引入過程之后,，過程改進(jìn)可以繼續(xù)進(jìn)行，并且可以帶來顯著的改進(jìn)（即使在這種情況下,，只是為了與上一代保持一致）,。

　　AMD的Zen幾乎不會(huì)超過4.0GHz?；?nm的Zen 2對(duì)此進(jìn)行了改進(jìn),，但其頻率仍然很容易落后于14nm ++。

　　如上所述,，Nvidia和AMD都跳過了20nm,，因?yàn)樗鄙貴inFET（以及以HP為重點(diǎn)的設(shè)計(jì)庫(kù)）。同樣,，20nm并不能改善每個(gè)晶體管的成本,。就像使用電源一樣，如果每個(gè)晶體管的成本沒有下降,，您就無法真正實(shí)現(xiàn)更多的晶體管,。利用摩爾定律。

　　高通公司當(dāng)時(shí)的Snapdragon 600（如果我沒記錯(cuò)的話）是對(duì)Snapdragon S4的有意義的改進(jìn),，盡管其架構(gòu)相同,，但它已使用HKMG從28nm升級(jí)到了臺(tái)積電的28nm版本（臺(tái)積電如此努力地從英特爾復(fù)制了四年）在Intel之后）。

　　英特爾的22FFL工藝于2017年宣布為低成本FinFET工藝,，具有超低泄漏晶體管,，其泄漏量降低了100倍。臺(tái)積電對(duì)此根本沒有任何等效/競(jìng)爭(zhēng),，因?yàn)樗约旱母?jìng)爭(zhēng)工藝使用平面晶體管,。臺(tái)積電（TSMC）最近宣布推出了這種12nm的變體,，或者沒有同類產(chǎn)品。這意味著被認(rèn)為是全球領(lǐng)先的代工廠的臺(tái)積電在引入主流FinFET節(jié)點(diǎn)方面落后于英特爾3-4年,。

　　再說一次,，Applede CPU內(nèi)核的頻率尚未達(dá)到3GHz。因此,，即使蘋果擁有更好的架構(gòu),，英特爾CPU也將朝著5GHz的方向加速?？紤]到蘋果即將向基于ARM的Mac過渡,，這一點(diǎn)尤其重要。

　　最后,，人們一直在將手機(jī)芯片的功耗與筆記本電腦芯片的功耗進(jìn)行比較,，甚至繼續(xù)陷入ARM與x86（RISC與CISC）的謬論。上述優(yōu)勢(shì)）,。但是,，還有一個(gè)更現(xiàn)代的例子，例如英特爾的Lakefield,，繼續(xù)證明其x86芯片（Core和Atom）在低功耗設(shè)計(jì)中使用都沒有困難,。

　　考慮到7nm的延遲，英特爾甚至可能進(jìn)一步開發(fā)其10nm技術(shù)的改進(jìn),，因?yàn)樗F(xiàn)在必須使用比計(jì)劃更長(zhǎng)的時(shí)間（除非用于臺(tái)積電）,。英特爾認(rèn)為，這將使其在 10nm 范圍內(nèi)進(jìn)一步提高摩爾定律（密度除外）,，SuperFin已證明10nm,。為此，可能在即將推出的10nm ++（+）中引入了一些計(jì)劃用于7nm（+）（+）的材料科學(xué)創(chuàng)新,。

　　根據(jù)定義,，這種節(jié)點(diǎn)內(nèi)改進(jìn)主要取決于材料科學(xué)的創(chuàng)新（針對(duì)功率/性能），而不是密度方面的改進(jìn),。

　　晶體管技術(shù)遠(yuǎn)不止于特征尺寸和密度數(shù)字,。自2000年代初以來，英特爾在領(lǐng)先的材料科學(xué)創(chuàng)新領(lǐng)域取得了歷史性且重要的3年領(lǐng)先地位,，其中應(yīng)變硅,，HKMG和FinFET的重要三重奏證明了這一點(diǎn)。進(jìn)一步的創(chuàng)新包括互連中的氣隙和鈷（臺(tái)積電沒有）,。在不直接影響晶體管密度的同時(shí),，這也是制程技術(shù)，因此在比較和討論制程領(lǐng)導(dǎo)力時(shí)應(yīng)予以考慮,。

　　顯然,，但可以承認(rèn)的是,，如果英特爾在此類創(chuàng)新方面取得了3年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)（但確實(shí)如此），但10納米工藝被推遲了3年,，那么這種領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)也將受到質(zhì)疑,。確實(shí)：三星將在英特爾之前邁向GAA。

　　但是,，這樣的研究和創(chuàng)新渠道并不會(huì)因?yàn)橐粋€(gè)節(jié)點(diǎn)存在良率問題而消失,。

　　英特爾對(duì)+和++節(jié)點(diǎn)內(nèi)變體的介紹以及有意義的增強(qiáng)功能說明了這一點(diǎn)。例如,，據(jù)說14nm + / 14nm ++具有10nm的功能,。這可能是一種方式,，例如,，將來10nm +（+）或7nm（+）（+）可能會(huì)減少3年延遲的影響，如果它們同樣實(shí)現(xiàn)7nm / 5nm的功能,，也許,，并繼續(xù)展示本文所述的過程技術(shù)的功率性能方面。

　　確實(shí),，鑒于已宣布的10nm SuperFin特性,，這可能會(huì)在這些方面與臺(tái)積電的5nm競(jìng)爭(zhēng)，從而縮小功率和性能差距,。

　　或者相反,，英特爾可能會(huì)通過在+和++節(jié)點(diǎn)中分散創(chuàng)新來提高其執(zhí)行力，從而降低在一個(gè)節(jié)點(diǎn)中組合太多功能的風(fēng)險(xiǎn),。

　　因此,，總結(jié)起來，功耗和性能（以及每個(gè)晶體管的成本）對(duì)于產(chǎn)品和推進(jìn)摩爾定律同樣重要,。如果沒有功耗或成本預(yù)算,，則不能使用更多的晶體管,。對(duì)于性能,，特別是與CPU（臺(tái)積電大部分收入來自于CPU）相關(guān)的臺(tái)積電，絕不具有它可以合理聲稱擁有的性能領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)（相對(duì)于其約1年的晶體管密度領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)）,，因?yàn)樗菚r(shí)鐘頻率英特爾的14nm ++（+++++）CPU證明,，盡管以功耗方面的劣勢(shì)為代價(jià)，但10nm（增強(qiáng)型）SuperFin也會(huì)改善這一點(diǎn),。

　　如上所述,，密度以外的所有這些方面也受到材料和晶體管科學(xué)創(chuàng)新的嚴(yán)重影響。

　　除了密度之外,，一個(gè)過程還有更多的內(nèi)容,。并非所有產(chǎn)品都首先需要最高密度,。總體上,，雖然新節(jié)點(diǎn)確實(shí)具有一攬子好處,，但不僅包括密度，而且還具有更低的成本,，更低的功率以及更高的性能,，但一些關(guān)鍵的創(chuàng)新（例如HKMG和FinFET）已經(jīng)在某些方面實(shí)現(xiàn)高于平均的改進(jìn)，例如泄漏,，即使這不像密度那樣容易量化或預(yù)測(cè),。

　　從歷史上講，甚至在10nm時(shí),，英特爾在許多重要?jiǎng)?chuàng)新中都處于領(lǐng)先地位,。這些方面的領(lǐng)導(dǎo)者可以緩解密度不足的問題。實(shí)際上,，正如我在未發(fā)表的10nm SuperFin文章中所說的那樣,，該節(jié)點(diǎn)可能被視為當(dāng)前生產(chǎn)中最前沿的（“過程領(lǐng)導(dǎo)”）節(jié)點(diǎn)。

　　對(duì)雙方的影響

　　最臭名昭著的是臺(tái)積電的壽命短的20N節(jié)點(diǎn),，因?yàn)樗狈inFET架構(gòu),。同樣，3N缺乏其后繼者,，即GAA（而競(jìng)爭(zhēng)者正在全力以赴）,，因此這可能會(huì)或可能不會(huì)保證對(duì)此節(jié)點(diǎn)有一些初步的謹(jǐn)慎。

　　對(duì)于英特爾投資者來說,，14納米+和14納米++的節(jié)點(diǎn)內(nèi)部應(yīng)該至少提供一些保證,，即英特爾在材料科學(xué)方面非常成功的產(chǎn)品線和領(lǐng)導(dǎo)地位不會(huì)隨10納米的延遲而消失。對(duì)于10nm,，10nmSF和10nmESF將幫助英特爾有所恢復(fù),。即將到來的Tiger Lake的10nmSF應(yīng)該使英特爾比Ice Lake的10nm更具備競(jìng)爭(zhēng)力，因?yàn)樗试S更高的頻率,。英特爾已經(jīng)表示,，由于頻率相關(guān)的原因，它正在等待10nmESF在臺(tái)式機(jī)上引入10nm,。

　　將來,，盡管英特爾不會(huì)像三星那樣成為第一個(gè)向GAA過渡的公司，但它仍將領(lǐng)先于臺(tái)積電（在最后確定的路線圖時(shí)間表上）,，而且英特爾歷史材料科學(xué)的專業(yè)知識(shí)可能使他們能夠更好地實(shí)施了這項(xiàng)技術(shù),。例如，使用GAA,，可以將多條導(dǎo)線彼此堆疊,，從而在不縮小晶體管尺寸的情況下大大提高了密度,。也許，這可以使英特爾在將來重新獲得密度領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),?；蛟S，英特爾還有其他一些技術(shù)正在醞釀之中,，這些技術(shù)將在三星和臺(tái)積電之前數(shù)年推出,，但這只是猜測(cè)（盡管英特爾對(duì)其發(fā)明的MESO設(shè)備產(chǎn)生了一些質(zhì)疑）。

　　因此,，誠(chéng)然,，雖然10nm SuperFin的SuperMIM表明它可能仍將是英特爾在工藝技術(shù)方面的強(qiáng)項(xiàng)之一，但不能肯定的是,，英特爾是否會(huì)像HKMG和FinFET一樣繼續(xù)在這一領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位,。

　　總結(jié)

　　總而言之，當(dāng)一家公司宣布一項(xiàng)新工藝時(shí),，臺(tái)積電和英特爾的投資者應(yīng)該注意,，除了標(biāo)準(zhǔn)密度或PPA（功耗性能區(qū)域）的改進(jìn)（例如Intel 22nm的FinFET）以外,，是否還有其他特別要求。這些變化可能與密度無關(guān),，但也具有重要的好處,。或如臺(tái)積電（TSMC）的20nm所示：如果不引入任何創(chuàng)新來改善這些泄漏,，則諸如泄漏之類的某些方面可能會(huì)帶來真正的阻力（這可能會(huì)或可能不會(huì)提供有關(guān)臺(tái)積電3N節(jié)點(diǎn)性能的任何線索）,。

　　在這方面，英特爾的下一個(gè)重要里程碑將是7nm,，因?yàn)橛⑻貭栃Q設(shè)計(jì)規(guī)則大幅減少了4倍,，這主要?dú)w功于EUV的推出。這就意味著至少在產(chǎn)量允許的情況下,，產(chǎn)品的設(shè)計(jì)+量產(chǎn)應(yīng)該要快得多,，但是EUV也應(yīng)該有助于提高產(chǎn)量（顯然不會(huì)）。

　　接下來（盡管自從14nm以來,，“下一個(gè)”一直是重復(fù)出現(xiàn)的主題）,，并且對(duì)于英特爾而言，現(xiàn)在更重要的是,，考慮到7nm問題,，英特爾/ TSMC在5nm / N3方面在全能門方面的分歧將是下一個(gè)基準(zhǔn)來看看誰的材料科學(xué)和工藝創(chuàng)新真的可以扼殺,。

　　臺(tái)積電在FinFET上使用3N可能會(huì)或可能不會(huì)提供有關(guān)誰將領(lǐng)先的線索,。另一方面,，如果7納米延遲也影響5納米（英特爾尚未提供任何澄清）,，則英特爾和臺(tái)積電可能會(huì)同時(shí)進(jìn)入納米線時(shí)代,。無論如何，投資者之間關(guān)于英特爾工藝技術(shù)的共同的,，過分的悲觀印象似乎與現(xiàn)實(shí)完全脫節(jié),，甚至可能需要進(jìn)行認(rèn)真的校準(zhǔn)，甚至Nvidia的首席執(zhí)行官也建議這樣做,。