Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET,。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,，離板高度只有0.4毫米,，占板面積只有四平方毫米,，是一款額定電壓為-25V的P通道器件,，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度,，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%,。

    DMP2039UFDE4針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，為電路設(shè)計人員提供3kV的電路保護(hù),，以免受人體本身的靜電放電所影響,。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on)的特性，例如  -12V P通道的DMP1022UFDE,，在4.5V的VGS下只有13mΩ,，使電池充電應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗減至最少。

    20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi),，成為理想的負(fù)載開關(guān)或高速開關(guān),，并提供2kV的高靜電放電保護(hù)。DMN6040UFDE將會是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一,，在60V的VDS下運(yùn)行,，并適合應(yīng)用于系統(tǒng)微型化設(shè)計行業(yè)(Small form-factor industrial)及供熱通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)(HVAC) 控制。

    新產(chǎn)品特別適合應(yīng)用于極纖巧的便攜式產(chǎn)品設(shè)計,，例如智能手機(jī),、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)。首批MOSFET系列九款產(chǎn)品包括-12V,、-20V,、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V,、20V及60V的N通道MOSFET器件,。

    如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請瀏覽www.diodes.com,。