??? 瑞薩科技公司(Renesas)在近日宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡內(nèi)高端路由器和交換機使用的高速SRAM產(chǎn)品系列,。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟行業(yè)標準要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDR II+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度,，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件,。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進行銷售。
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新產(chǎn)品特性如下：
(1)業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版),；
?? 瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度,，同時還通過利用先進的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——333 MHz,，QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達到了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——533 MHz,。這些器件可以支持高端路由器與交換機(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統(tǒng))內(nèi)的分組查找和包緩沖器應用所需的高速處理,。
(2)大量72Mb器件,；
?? 瑞薩將為3種數(shù)據(jù)I/O寬度(9、18或36位)和2種突發(fā)長度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持,。此外,，瑞薩還提供具有內(nèi)置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品，極大地降低了高速操作過程中可能發(fā)生的信號質量下降,。瑞薩豐富的QDRII,、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統(tǒng)要求的解決方案,。
?? 新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長度和位寬度組合，并且標準HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
?? 新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝,，尺寸為15 mm × 17 mm,，具有出色的散熱特性，適于大密度安裝,。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求,，還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達288Mb的密度無縫移植,。并且,，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標準測試存取端口和邊界掃描架構(IEEE標準1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過程中實現(xiàn)交叉連接檢查。
?? 對于將來該領域的開發(fā),，瑞薩制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃,，并致力于開發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求,。
?? 典型應用：新一代通信設備,，如高端路由器和交換機