《電子技術(shù)應用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 用于Buck型電源芯片的電流檢測電路

用于Buck型電源芯片的電流檢測電路

2009-06-29
作者:劉穎杰,馮全源

  摘 要: 電流檢測是采用電流模式PWM控制方案的DC-DC變換器中最重要的技術(shù)之一,。分析了目前電流檢測電路的優(yōu)點和不足,,基于TSMC0.18 μm工藝,設(shè)計了一款高精度的電流檢測電路,該電路不需要運算放大器,,從而簡化了電路結(jié)構(gòu),,降低了設(shè)計的復雜度,而且有很好的線性度,,其采樣率不會隨著溫度和輸入電壓的改變而改變,實現(xiàn)了高精度的檢測,。
  關(guān)鍵詞: 電流檢測;電流模式,;Buck,;DC-DC變換器;電源管理

?

  隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展,,電子設(shè)備與人們的工作,、生活的關(guān)系日益密切,它們對電源的要求也越來越高,。電子設(shè)備的小型化和低成本化使電源以輕,、薄、小和高效率為發(fā)展方向,。單片集成的高效,、低電源電壓DC-DC變換器被廣泛應用,它可以大幅度提高電源的利用效率,,延長電池的使用壽命,同時大幅度縮小變壓器的體積和重量,, 這樣就大大縮小了整個系統(tǒng)的體積和重量。
  電流模式控制的DC-DC變換器具有動態(tài)反應快,、補償電路簡單,、增益帶寬大、輸出電感小,、易于均流等優(yōu)點,,因而獲得越來越廣泛的應用。而在電流模式的控制電路中,,需要準確,、高效地測量功率管和電感的電流,電流檢測電路不僅起到過流保護作用[1],,而且需要通過將電流檢測的結(jié)果加上斜坡補償信號與電壓環(huán)路的輸出做比較,,以實現(xiàn)脈寬調(diào)制(PWM)[2],故電流檢測電路的實現(xiàn)就成為一個至關(guān)重要的問題,,如圖1所示,。

?

?

  根據(jù)電流模式開關(guān)電源系統(tǒng)的要求,本文設(shè)計了一種用于Buck型DC-DC變換器的高精度的電流檢測電路,,電路沒有采用運算放大器,,而是使用共源共柵結(jié)構(gòu)的電流鏡,,有效降低了電源電壓、偏置電流和溫度等的影響,可以即時跟蹤檢測流過功率管的電流,通過反饋回路進行整個電路的調(diào)整,,提高了電流檢測精度,,同時具有良好的電源抑制特性,使電路結(jié)構(gòu)更加簡單,,易于應用,。
1 目前電流檢測方法
  目前比較常用的電流檢測方法有串聯(lián)電阻檢測、功率管RDS檢測和并聯(lián)電流鏡檢測,。
  串聯(lián)電阻檢測是將一個小電阻與功率管串聯(lián),,電流流過小電阻就會產(chǎn)生一個壓降,再通過運算放大器放大這個微小壓降,,就可以檢測功率管的電流,。這種方法的檢測精度較高,采樣速度快,,但會引入額外的功率損耗,,因此采樣電阻不能太大,適合用于較小電流的檢測,,是業(yè)界應用最為廣泛的一種方法,。
  功率管RDS檢測是將工作在線性區(qū)的功率管等效為一個電阻,通過直接檢測功率管上的壓降來反映電流的變化,。這種方法沒有額外的功率損耗,,最主要的缺點是檢測精度較差,由于等效電阻RDS=L/WμCox(VGS-VT),,溫度的變化會導致μCox和VT的變化,,因此功率管的RDS就會產(chǎn)生非線性的變化,最大誤差范圍可達-50%~+100%[3],。
  并聯(lián)電流鏡檢測是在功率管旁并聯(lián)一個檢測管,,若功率管與檢測管的寬長比為N(通常N>1 000),這樣流過檢測管的電流就為功率管電流的1/N,。這種方法一般需要一個運算放大器以使檢測管和功率管構(gòu)成的電流鏡達到更好的匹配,,電路結(jié)構(gòu)通常比較復雜,帶寬較低[4],,且檢測精度會隨N的增大而降低,。
2 電流檢測電路設(shè)計
  傳統(tǒng)的串聯(lián)電阻檢測方法通常需要一個運算放大器放大電阻上的壓降,本文提出的電流檢測電路不需要運算放大器,,電路結(jié)構(gòu)如圖2所示,。


  圖2中功率管MN、功率管MP,、電感L,、電容C以及負載Rload構(gòu)成了Buck電路,VN和VP分別是功率管MN和MP的驅(qū)動信號,。M1~M13,、電阻RSENSE、電阻R1~R4構(gòu)成了電流檢測電路,,Ibias為電路的偏置電流,,通常采用微安級,本設(shè)計中為1 μA,。由于電感在充電時,,電感電流線性上升,這一階段包含了輸入電壓的信息,,所以一般情況下,,檢測電感電流只需要檢測電感電流的上升階段[5],而這一階段對應功率管MP導通,,MN關(guān)斷,,即流過功率管MP的電流就是電感電流的上升階段,因此檢測電阻與功率管MP串聯(lián),,而不是與電感串聯(lián),,這種方法的另一個優(yōu)點是降低了檢測電阻所引入的額外功率損耗。
  圖2所示電路中,,電阻R1和R2的阻值相等,,M5、M7與M9,、M10是共源共柵的電流鏡結(jié)構(gòu),,M6、M8與M9,、M10也是共源共柵的電流鏡結(jié)構(gòu),,通過鏡像偏置電流,M5,、M7和M6,、M8兩條支路流過相同的電流,均為偏置電流Ibias,,這樣流過M1,、M3和M2、M4的電流也相同,,又由于M1,、M3和M2、M4是共源共柵的電流鏡結(jié)構(gòu),,要使流過M1和M2的電流相同,,則M1和M2的源極電壓必須相同,,即VGS1=VGS2。電路采用共源共柵結(jié)構(gòu)主要是為了改善由溝道調(diào)制效應而引起的不匹配,,從而減小電流檢測的誤差,。
  根據(jù)KVL定律可以得到:

  
? 式中,IL為功率管電流,,檢測電阻RSENSE阻值很小,,以減小其所引入的額外功率損耗,通常為幾十毫歐,,電阻R1和R2的阻值很大,,為千歐級,同時Ibias為1 μA,,所以式(2)中最后一項引起的誤差非常小,,可以忽略不計,因此,,檢測電流ISENSE與功率管電流IL的關(guān)系為:
    

  可見,,檢測電流ISENSE與功率管電流IL為線性關(guān)系,其比值為RSENSE/R1,,可以通過設(shè)置電阻RSENSE和R1,、R2的阻值來調(diào)節(jié)檢測電流的大小。電阻R3,、R4以及M12,、M13構(gòu)成電流鏡,鏡像檢測電流ISENSE到輸出,。
  本文設(shè)計的電流檢測電路相對于傳統(tǒng)的電阻檢測方法原理簡單且精度較高,。電路中電阻RSENSE、R1,、R2選用同種電阻,,其溫度系數(shù)相同,就可以消除RSENSE/R1的值隨溫度的變化而變化,,得到較好的溫度特性,,使檢測電流ISENSE不隨溫度的變化而變化。
3 仿真結(jié)果及討論
????本文設(shè)計的電流檢測電路,,其輸入電壓范圍為2.6 V~5.5 V,,基于TSMC0.18 μm工藝實現(xiàn),并用Hspice進行仿真驗證,,設(shè)置偏置電流為1μA,,功率管工作頻率為500 kHz,輸入電壓為典型值3 V,,電感電流從0 A變化到1 A,,在-40 ℃,、0 ℃、+25 ℃和+85 ℃下,,電路瞬態(tài)仿真結(jié)果如圖3所示,。

?


  圖3中,上圖為功率管電流IL,,下圖為電流檢測電路的輸出電流ISENSE,可見在不同溫度下(-40 ℃,、0 ℃,、
+25 ℃和+85 ℃),檢測電流ISENSE基本重合為一條線,,不隨溫度的變化而變化,,正如前面所分析的,該電流檢測電路具有很好的溫度特性,。
  同樣條件下,,電流檢測電路的輸出電流ISENSE與功率管電流IL的關(guān)系如圖4所示。圖中,,橫坐標為功率管電流IL,,縱坐標為電流檢測電路的輸出電流ISENSE,不同溫度下(-40 ℃,、0 ℃,、+25 ℃和+85 ℃),電流檢測電路的輸出電流ISENSE隨功率管電流IL均線性變化,,且電流檢測電路的輸出電流ISENSE與功率管電流IL的比率隨溫度的變化較小,,也說明電路具有較好的溫度特性。


  表1中的數(shù)據(jù)是在不同溫度下,,電流檢測電路的輸出電流ISENSE與功率管電流IL的比率,。比率在+85 ℃時達到最大和最小,分別為電感電流為100 mA時的11.1118e-6和電感電流為1 A時的11.0396e-6,,兩者之間相差7.22e-8,,比率的理論值為11.0804e-6,差值僅占理論值的0.65%,,因此比率ISENSE/IL基本不隨溫度而改變,,可以達到較高的檢測精度。這組數(shù)據(jù)還說明比率ISENSE/IL隨溫度的增加而微小增大,,隨功率管電流的增大而略微減小,。


  另外,電路具有較好的電源抑制特性,,不同輸入電壓下,,電流檢測電路的輸出電流ISENSE與功率管電流IL的比率隨輸入電壓的升高而略微減小,,兩者仍呈良好的線性關(guān)系。
  電流檢測電路的輸出電流ISENSE與功率管電流IL的比率為RSENSE/R1,,可通過設(shè)置電阻RSENSE和R1,、R2的阻值來調(diào)整比率。該電流檢測電路采用TSMC0.18 μm工藝實現(xiàn),,Hspice仿真結(jié)果表明,,電路可工作的輸入電壓范圍為2.6 V~5.5 V,功率管工作頻率為500 kHz,,可在不同溫度下(-40 ℃,、0 ℃、+25 ℃和+85 ℃)精確檢測功率管電流從0 A~1 A的變化,,且電流檢測電路的輸出電流ISENSE隨功率管電流IL線性變化,,驗證了理論分析,證明了該電路的可行性,。

?

參考文獻
[1] 程曉潔,,馮全源.一種低功耗高可靠性的CMOS過流保護電路[J].微電子學與計算機,2006,,23(1):52-54.
[2] CHEUNG Fai Lee,,PHILIP K T M.A Monolithic currentmode CMOS DC-DC converter with on-chip current-sensing technique[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2004,,39(1):3-14.
[3] Hassan Pooya Forghani-zadeh.Current-sensing techniques?for DC-DC converters[J].Midwest Symp Circuits Syst,,2002,2:577-580.
[4] GRANT D,,WILLIAMS R.Dynamic performance of currentsensing power MOSFETs[J].Electronic Letters,,1988,24(18): 1129-1131.
[5] LEUNG C Y,,PHILIP K T M.An integrated CMOS current-sensing circuit for low-voltage current-mode buck?
regulator[J].IEEE Trans Circ and Syst II:Express Briefs,,2005,52(7):394-397.

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。