1,、芯片發(fā)熱

　　這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,，芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱,。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率mos管的消耗,，簡單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓,，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c,、v和f.如果c,、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,，注意不要引入額外的功耗,。再簡單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧,。

　　2,、功率管發(fā)熱

　　關(guān)于這個問題,，也見到過有人在電源網(wǎng)論壇發(fā)過貼,。功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,。要注意,，大多數(shù)場合特別是LED市電驅(qū)動應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗,。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān),，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管,，因?yàn)閮?nèi)阻越小,，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,，2N60的cgs為350pF左右,，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了,，選擇功率管時,，夠用就可以了。B,、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動能力了,，這里只談頻率的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比,，所以功率管發(fā)熱時,，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想辦法降低頻率吧,！不過要注意,，當(dāng)頻率降低時,，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大,，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域,。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將CCM（連續(xù)電流模式）改變成DCM（非連續(xù)電流模式）,，這樣就需要增加一個負(fù)載電容了,。

　　3、工作頻率降頻

　　這個也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象,，降頻主要由兩個方面導(dǎo)致,。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大,。對于前者,，注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，雖然負(fù)載電壓高,，效率會高點(diǎn),。對于后者，可以嘗試以下幾個方面：a,、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn),；b、布線干凈點(diǎn),，特別是sense這個關(guān)鍵路徑,；c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感,；d,、加RC低通濾波吧，這個影響有點(diǎn)不好,，C的一致性不好,，偏差有點(diǎn)大，不過對于照明來說應(yīng)該夠了,。無論如何降頻沒有好處,，只有壞處，所以一定要解決,。

　　4,、電感或者變壓器的選擇

　　終于談到重點(diǎn)了，我還沒有入門,，只能瞎說點(diǎn)飽和的影響了,。很多用戶反應(yīng)，相同的驅(qū)動電路，用a生產(chǎn)的電感沒有問題,，用b生產(chǎn)的電感電流就變小了,。遇到這種情況，要看看電感電流波形,。有的工程師沒有注意到這個現(xiàn)象,，直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流，這樣做可能會嚴(yán)重影響LED的使用壽命,。所以說,，在設(shè)計(jì)前，合理的計(jì)算是必須的,，如果理論計(jì)算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點(diǎn)遠(yuǎn),，要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。變壓器飽和時,，L會變小,，導(dǎo)致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升，那么LED的峰值電流也跟著增加,。在平均電流不變的前提下,，只能看著光衰了。

　　5,、LED電流大小

　　大家都知道LEDripple過大的話,，LED壽命會受到影響,，影響有多大,，也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個數(shù)據(jù),，他們說30%以內(nèi)都可以接受,，不過后來沒有經(jīng)過驗(yàn)證。建議還是盡量控制小點(diǎn),。如果散熱解決的不好的話,，LED一定要降額使用。也希望有專家能給個具體指標(biāo),，要不然影響LED的推廣,。