日前,，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress) 宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM,，進一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品系列。新型的64 兆比特 (Mbit) MoBL (More Battery Life) SRAM 是市場上密度最大的低功耗 SRAM,，旨在延長高端銷售點終端、游戲應(yīng)用,、VoIP 電話,、手持消費和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用的電池工作時間。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接,，能充分滿足音頻處理,、無線和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的需求。
CY62187EV30LL 64兆比特3V MoBL SRAM 提供 4M×16 配置,，通常的超低待機電流僅為 8 uA,，存取時間僅為55-ns (taa)。其采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 48-BGA 封裝,，體積為 8.0×9.5×1.4 mm,，是同等密度水平下同類產(chǎn)品中最小的封裝,。
CY7C1024DV33 3兆比特 3.3V SRAM 提供 128K×24 配置，CY7C1034DV33 6兆比特 3.3V SRAM 提供 256K×24 配置,。這兩款產(chǎn)品的存取時間都為 10-ns,，采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 119-BGA 封裝。異步 SRAM 是采用賽普拉斯高性能 90 納米 C9 CMOS 工藝技術(shù)制造的,。
供貨情況
CY62187EV30LL 64 兆比特 MoBL SRAM 目前已經(jīng)推出樣品,，預(yù)計將于 2009 年 6 月開始量產(chǎn)。CY7C1024DV33 3 兆比特 SRAM 和 CY7C1034DV33 6 兆比特 SRAM 目前已經(jīng)量產(chǎn)上市,。