據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù),，韓國研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成,。韓國向美國提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天,，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收入,。
　　
　　首爾大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系教授李鍾浩(譯名)表示,，在韓國及美國持有與英特爾發(fā)表的3D晶體管制程技術(shù)tri-gateMOSFET相同的bulkFinFET相關(guān)技術(shù)專利。他表示,，2項(xiàng)技術(shù)只有名稱不同,，但應(yīng)用的方式是相同的。
　　
　　李鍾浩表示,，從英特爾目前為止公開的資料來看,，與韓國持有的專利技術(shù)完全相同，相關(guān)技術(shù)韓國已取得韓國境內(nèi)及美國的專利權(quán),，并發(fā)表60多篇論文,，在技術(shù)方面是已得到驗(yàn)證的事實(shí)。
　　
　　bulkFinFET技術(shù)2002年1月30日已在韓國申請(qǐng)專利,，且于2003年8月成功登錄專利,，接著2003年2月4日向美國申請(qǐng)專利，并于2年后的2005年4月26日完成登錄,，而英特爾則在晚李鍾浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gateMOSFET專利申請(qǐng),。
　　
　　英特爾發(fā)表的3D墊晶體制程技術(shù)可增加晶體管通道數(shù)量,，增加電流量，電流流失與目前的2D晶體管相比顯著減少,，大幅提升其效率,。此外，此3D晶體管技術(shù)也適合用在微細(xì)制程,，提升芯片集積度,。
　　
　　英特爾計(jì)劃將該計(jì)數(shù)應(yīng)用在22納米量產(chǎn)制程中，進(jìn)入行動(dòng)裝置芯片市場,。行動(dòng)芯片需求持續(xù)增加,，李鍾浩的專利技術(shù)若審核后確定為同樣的技術(shù)，將可獲得數(shù)量龐大的專利金,。
　　
　　bulkFinFET技術(shù)的美國專利及發(fā)明者皆登錄為李鍾浩,，專利權(quán)則由專利營銷專門公司PNIB所持有，此外,，該技術(shù)相關(guān)的多數(shù)應(yīng)用技術(shù)也由李鍾浩及其所屬的首爾大學(xué)共同持有,。李鍾浩當(dāng)時(shí)提出相關(guān)技術(shù)專利申請(qǐng)后,，曾邀請(qǐng)韓國企業(yè)進(jìn)行共同開發(fā)，然當(dāng)時(shí)因技術(shù)不具商業(yè)性為由遭拒,。
　　
　　李鍾浩表示,，先申請(qǐng)專利者可獲得專利權(quán)法保護(hù)，而經(jīng)過確認(rèn)后,，確實(shí)比英特爾更早提出專利申請(qǐng),，應(yīng)沒有其它問題。為取得美國專利權(quán)保護(hù),，將會(huì)以英特爾為對(duì)象,，與PNIB共同進(jìn)入相關(guān)法律程序。