???1月6日,，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,，三星傳出有意調(diào)降今年半導(dǎo)體部門資本支出,，由6兆韓元大減五成至3兆韓元,，而且僅達(dá)去年10兆韓元的30%，激勵(lì)昨（5）日DRAM現(xiàn)貨價(jià)開(kāi)新春紅盤(pán)大漲逾4%,，并朝1美元關(guān)卡靠攏,，創(chuàng)波段新高。

????三星是全球DRAM與NAND Flash龍頭,，DRAM市占率更超過(guò)25%,，三星大砍資本支出，意味大舉減產(chǎn)時(shí)代來(lái)臨,，有助舒緩供過(guò)于求問(wèn)題,，促使價(jià)格回升，使得上周DRAM報(bào)價(jià)大漲逾四成的狀況可能重現(xiàn),，力晶等臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠將受惠,。

????業(yè)界認(rèn)為,，三星節(jié)制資本支出，對(duì)抒解市場(chǎng)供過(guò)于求絕對(duì)是好事一樁,，以其削減金額龐大來(lái)看,，應(yīng)該是針對(duì)目前內(nèi)存主力12吋晶圓的配置，絕非僅有6吋與8吋晶圓,。

????根據(jù)集邦科技（DRAMeXchange）報(bào)價(jià),，1Gb DDRII DRAM有效測(cè)試顆粒（eTT）昨天已起漲，均價(jià)站上0.91美元的波段新高,，漲幅超過(guò)4%,；品牌顆粒報(bào)價(jià)更大漲逾5%。法人預(yù)期,，有效測(cè)試顆粒報(bào)價(jià)短期將先朝1美元靠攏,，若能再度掀起大漲行情,，有助DRAM廠轉(zhuǎn)虧為盈,。

????三星上個(gè)月初才表示，今年半導(dǎo)體部門的資本支出,，將由去年的10兆韓元縮減四成至6兆韓元,，迄今不到一個(gè)月，三星消息人士再次透露,，今年三星半導(dǎo)體部門資本支再降至不超過(guò)3兆韓元,，大砍五成。

????臺(tái)灣DRAM廠也紛紛縮手今年資本支出,。力晶今年資本支出,，由去年的300億元降到只剩數(shù)十億元，創(chuàng)近年來(lái)最低紀(jì)錄,。南科,、華亞科、茂德雖然尚未公布今年?duì)顩r,，但各公司內(nèi)部已有保守的共識(shí),。

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